本发明涉及基于砷化镓基含磷化合物半导体材料的紫外增强光电探测器及制作方法，其特征在于以半绝缘砷化镓单晶材料作为探测器的衬底，在其上采用外延方法生长特定的宽禁带含磷化合物薄膜材料作为有源光吸收层和窗口层，以达到紫外增强光吸收效果并消除其对...

本发明涉及一种玻璃微流控芯片的低温键合方法，其特征在于具体包括（１）在腐蚀出相应图形和完成储液池打孔加工后基片进行表面清洗；（２）基片预键合，清洗后的基片和盖片用去离子水冲洗后，直接在去离子水中将基片和盖片的键合面贴合在一起，转移到培养...

本发明涉及一种新型的抑制锑化物硫钝化失效的保护层及其生成方法，其特征在于绝缘Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［ｘ］薄膜作为失效保护层材料及其抑制硫钝化失效的机制和在硫钝化层上淀积绝缘Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［ｘ］薄膜保护层的技术。本发明是在研究硫钝化失效的物理...

本发明涉及一种新型的锑化物及其器件的表面硫钝化方法。包括钝化前的表面预处理与表面硫钝化方法。本发明的锑化物表面处理方法克服了常规表面腐蚀形成的高低不平的粗糙表面与界面形貌，获得了致密的平整光滑表面和界面形貌，保证后续腐蚀速率和器件工艺可...

本发明涉及一种室温Ｆ－Ｐ红外探测器阵列及制作方法，其特征在于硅基底和可动微镜之间构成了红外谐振腔，可动微镜和带有高反膜的玻璃之间构成Ｆ－Ｐ腔。其制作特征在于采用普通硅片，首先通过腐蚀硅确定Ｆ－Ｐ腔的长度，通过制作牺牲层确定红外谐振腔的长...

本发明提供一种可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法。主要利用相变材料的半导体特性，通过对相对稳定且易微细加工的可逆相变材料所具有的Ｎ型与Ｐ型特性制备出微米到纳米量级的小尺寸场效应晶体管，利用纳米加工技术，在晶体管的源、...

本发明涉及一种新颖的微机械碳纳米管场发射型非致冷热成像器件及制作方法，属于微电子机械系统领域。该器件由红外光学系统、衬底１、ｍ×ｎ的像素阵列１５、荧光屏１４以及偏置电路１６等组成。其特征在于采用微机械技术制作双材料梁（膜）作为栅极，在催...

本发明涉及一种用于集成电路多层互连结构铜／钽化学机械抛光（ＣＭＰ）的一步抛光工艺技术及相应纳米抛光液。对于互连结构的铜／钽多层膜体系的化学机械抛光，通过本发明的“一步抛光工艺”，单头抛光机能够代替昂贵的多头抛光机，实现多层膜的分步抛光。...

本发明涉及一种氢化物气相外延氮化镓材料中采用多孔阳极氧化铝作为掩膜及其制备方法，其特征在于采用多孔阳极氧化铝作为ＧａＮ横向外延过生长的掩膜。在ＨＶＰＥ制备ＧａＮ膜的过程中，先在ＧａＮ模板上沉积一层金属Ａｌ薄层，然后经电化学的方法阳极氧化...

本发明涉及一种提高基于绝缘体上的硅材料的金属－氧化物－半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）抗总剂量辐射的场区加固方法，属于微电子技术领域。由此可见，其特征在于所述的场效应晶管制作的工艺过程进行体注入时，采用先进行高浓度深注入，再进行较低浓...

本发明涉及抗辐射加固的特殊体接触的ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ及源漏极的注入方法。其特征在于在绝缘体上硅场效应晶体管结构中，源和漏的结深不同，漏极深度与顶层硅膜厚度一致，源极的结深小于顶层硅膜的厚度，体从源极下面与器件末端的体接触相连；对于ｎ型金...

本发明涉及一种纳电子相变存储器器件单元的制备方法。本发明采用纳米加工技术在金属氧化物半导体场效应晶体管的源端或漏端处的相变材料层上制备出柱状小电极，且柱状小电极底面与相变材料层保持良好接触，然后在柱状小电极周围填充绝热材料层，去除柱状小...

本发明涉及一种纳米硫系化合物相变存储器的制备方法，属于微电子领域。本发明的特征在于，在硅基片上，先生长一层ＳｉＯ↓［２］，然后在上面沉积一层底电极。接着在电极上面，均匀生长一些相变纳米点，最后沉积一层相变薄膜。退火处理后，可在电极上形成...

本发明涉及一种生物微喷阵列点样装置及其制作方法。所述的点样装置的主体部分是ＰＺＴ薄膜驱动器和生物微喷阵列芯片；ＰＺＴ薄膜驱动器是由ＰＺＴ薄膜驱动层和氧化锆缓冲层组成，生物微喷阵列芯片上集成制作了微进样孔、微管道、微贮液池和微喷嘴。生物样...

本发明涉及一种采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器单元的方法，具体包括硫系化合物纳米材料的制备方法及其用于制备相变存储器器件单元的方法。通过采用在一维绝缘的纳米材料表面覆盖一层硫系化合物薄膜，制备出硫系化合物纳米材料，进而再采用纳米加工...

本发明涉及一种制备相变存储器纳米加热电极的方法，首先通过微纳加工技术，在ＳｉＯ↓［２］衬底上制备较大尺寸的孔洞，接着利用常规的ＣＶＤ技术的良好台阶覆盖性能在该孔洞中和孔洞侧壁上淀积一层几个纳米厚的加热金属层，在孔洞里填充介质层，最后进行...

本发明涉及一种ＸｅＦ↓［２］腐蚀过程中锚的制作方法，其特征在于将ＳｉＯ↓［２］、ＳｉＮｘ、ＳｉＣ、Ａｕ、Ａｌ及Ｃｒ等ＸｅＦ↓［２］气体几乎不腐蚀的材料淀积在要保护的锚周围，形成所需要的锚；或者直接采用ＸｅＦ↓［２］气体几乎不腐蚀的材料来...

本发明涉及一种制作相变随机存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺，其刻蚀液的组成为：酸溶液为１～３０％，氧化剂为０．５％～１０％，络合剂为０．０５％～１０％，表面活性剂０．１～５％（均为ｗｔ％），余量为去离子水。湿法刻蚀工艺步骤为：（１）...

本发明涉及一种新的基于双材料效应的微机械红外探测器阵列的制作方法，其特征在于采用硅作为牺牲层，采用ＳｉＯ↓［２］、ＳｉＮ↓［ｘ］、ＳｉＣ、Ａｕ、Ａｌ及Ｃｒ等ＸｅＦ↓［２］气体几乎不腐蚀的材料来制作像素的双材料支撑梁和红外敏感部分，采用Ｓ...

本发明涉及可用于相变存储器的加热电极材料及制备方法；所述的加热电极材料为至少含Ｇｅ元素的加热电极材料，通式为Ｇｅ↓［ｘ］Ｗ↓［ｙ］Ｎ↓［１－ｘ－ｙ］、Ｇｅ↓［ｘ］Ｔｉ↓［ｙ］Ｎ↓［１－ｘ－ｙ］、Ｇｅ↓［ｘ］Ｗ↓［ｙ］Ｏ↓［１－ｘ－ｙ］、...