一种玻璃微流控芯片的低温键合方法技术

技术编号:3201301 阅读:231 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种玻璃微流控芯片的低温键合方法,其特征在于具体包括(1)在腐蚀出相应图形和完成储液池打孔加工后基片进行表面清洗;(2)基片预键合,清洗后的基片和盖片用去离子水冲洗后,直接在去离子水中将基片和盖片的键合面贴合在一起,转移到培养皿中,然后放置到真空干燥箱中,干燥温度为90-110℃,抽真空使真空度达60-90Pa并保持真空2h完成基片预键合;(3)基片预键合后退火,提高键合强度,在预键合好的基片上面施加0.2-0.4MPa的压力,同时将真空干燥箱的温度设定为180-210℃,抽真空真空度为60-90Pa保持6h后关闭电源,自然冷却至室温。键合过程在非净化条件下完成,基片预键合仅需真空干燥箱中施加一定压力实现高温键合与退火。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种玻璃微流控芯片的低温键合制作方法,属于微细加工

技术介绍
微全分析系统(Micro Total Analysis Systems,μTAS)是上世纪90年代在分析化学领域发展起来的多学科交叉的新的研究方向,它以微电子机械系统(microelectromechanical systems,MEMS)为基础,以生命科学为主要研究对象,在不同材料的基片上设计并加工出适合生化分析的各种微管道网络,用于此目的的芯片常称为微流控芯片。制作微流控芯片的材料很多,包括硅、石英、普通玻璃以及PDMS、SU-8等聚合物,而玻璃(包括石英和普通玻璃)由于其优良的光学特性,在微流控芯片的研究中应用较多。对于玻璃微流控芯片的制作,涉及到许多MEMS加工制作过程和方法,包括光刻、腐蚀以及键合等步骤。作为芯片制作的最后一步,键合效果的好坏直接决定了芯片制作的成败。传统的键合方法,如热键合、阳极键合等,键合的整个过程需要在净化室完成,芯片键合前的表面处理可在较低等级的净化间完成,而芯片预键合以及芯片退伙键合等过程则需要更高要求的净化条件,且键合的退火需要在高温下才可完成。高温的退火,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种玻璃微流控芯片的低温键合方法,其特征在于包括以下步骤:    (1)基片在腐蚀出相应图形和完成储液池打孔加工后进行表面清洗,依次用丙醇和乙醇溶液、Piranha洗液、RCA1、RCA2和氨水亲和液表面清洗,每次清洗后需用去离子水冲洗出去清洗液;    (2)基片预键合,将步骤(1)清洗后基片和盖片用去离子水冲洗后,直接在去离子水中将基片和盖片的键合面贴合在一起,转移到培养皿中,然后放置到真空干燥箱中,干燥温度为90-110℃,抽真空使真空度达60-90Pa并保持真空2h完成基片预键合;    (3)基片预键合后退火,提高键合强度,在预键合好的基片上面施加0.2-0.4MPa的压力,同时将真...

【技术特征摘要】
1.一种玻璃微流控芯片的低温键合方法,其特征在于包括以下步骤(1)基片在腐蚀出相应图形和完成储液池打孔加工后进行表面清洗,依次用丙醇和乙醇溶液、Piranha洗液、RCA1、RCA2和氨水亲和液表面清洗,每次清洗后需用去离子水冲洗出去清洗液;(2)基片预键合,将步骤(1)清洗后基片和盖片用去离子水冲洗后,直接在去离子水中将基片和盖片的键合面贴合在一起,转移到培养皿中,然后放置到真空干燥箱中,干燥温度为90-110℃,抽真空使真空度达60-90Pa并保持真空2h完成基片预键合;(3)基片预键合后退火,提高键合强度,在预键合好的基片上面施加0.2-0.4MPa的压力,同时将真空干燥箱的温度设定为180-210℃,抽真空真空度为60-90Pa保持6h后关闭电源,自然冷却至室温,完成退火过程。2.按权利要求1所述的玻璃微流控芯片的低温键合方法,其特征在于基片表面清洗步骤依次是(1)首先用去离子水冲洗基片5min,然后分别用丙酮和乙醇各超声清洗5min,超声清洗后再用去离子水冲洗准备...

【专利技术属性】
技术研发人员:金庆辉庄贵生刘菁贾春平赵建龙
申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]

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