中国科学院上海微系统与信息技术研究所专利技术

中国科学院上海微系统与信息技术研究所共有5030项专利

  • 本发明公开了一种电阻分功率型单天线雷达前端,包括发射天线、接收天线和电路部分,所述电路部分为收发组件,其与中频信号处理系统相连,包括压控振荡器、环行器、电阻、驱动放大器和混频器;由压控振荡器输出的发射信号,一小部分信号经电阻分配,再经驱...
  • 本发明是一种基于微电子机械系统的光学电流传感器,其特征在于采用微机械工艺将MEMS金属线圈制作于MEMS扭转微镜上,非磁性骨架结构的Rogowski线圈和MEMS金属线圈将高压交流电信号以感应电流的形式引入到MEMS扭转微镜的线圈中,在...
  • 本实用新型公开了一种微波芯片测试装置,包括中间设有缺口的环型介质衬底,衬底的上表面附着有输入输出信号线、直流馈电线和调配块,介质衬底为,中间缺口处设有外层镀金的金属垫块,被测芯片附着在金属垫块的上表面,直流馈电线上固接有贴片电容,直流馈...
  • 本发明涉及一种中红外波段半导体激光器性能测量表征系统,属于半导体测试技术领域。其特征是该硬件部分由5个部分组成,分别是傅里叶变换光谱仪并引入双调制技术的激射谱测量系统;基于宽范围脉冲信号发生器的驱动系统;基于数字示波器电流探头及中红外探...
  • 本发明提供一种绝缘体上硅(SOI)的电学参数的表征方法,属于微电子与固体电子学、硅基集成光电子器件材料的一种表征方法。其特征在于所述的方法以四探针测试平台为基础,附加导电样品台,搭建起一套赝MOS(Metal-Oxide-Semicon...
  • 本发明涉及一种绝缘体上硅(SOI)的埋层氧化物电荷密度的快速表征方法,更明确地说是涉及一种用汞探针测试系统表征SOI材料的埋层氧化物电荷密度的方法,属于微电子学与固体电子学领域。该方法采用汞探针测试系统,通过比对腐蚀顶层硅前后电容-电压...
  • 本发明涉及一种基于微电子机械系统(Micro-Electronic  MechanicSystem,MEMS)的光电检流计、制作及其检测方法,其特征在于采用微机械工艺制作螺旋线圈式MEMS扭转微镜。无需放大电路,将待测的直流或低频微弱电...
  • 本发明提供一种电池充放电过程的X射线衍射原位(in-situ  XRD)测试装置及其使用方法,其特征在于它是由XRD原位测试样品架和平板电池组成。XRD原位测试样品架为用绝缘材料加工的长方体板,它由平板电池槽、平板电池引线槽及带有四个固...
  • 本发明涉及一种基于电镀工艺的微机械测试探卡及制作方法。其特征在于在硅片上,利用电镀金属镍制作形成悬臂与探针针尖;探针针尖制作在硅片的(111)斜面上,且每个探针针尖由一个或两个探针悬臂与陶瓷基板相链接;探针悬臂与探针针尖采用等应力梁结构...
  • 本发明涉及一种用于微波功率放大器芯片在片测试的方法及其测试系统,属于微波通信中的芯片测试技术领域。特征在于通过脉冲方式的偏置电压大大降低了热量对微波功率放大器性能上的影响,真正的实现了芯片的探针台在片测试,免除了封装以及外部散热系统的安...
  • 本发明涉及一种湿法制造的微机械电容式加速度传感器,属于微电子机械系统领域。其特征在于,最为关键的是利用补偿条结构牺牲方法和(110)单晶硅在各向异性腐蚀液中选择性腐蚀特性,采用硅各向异性湿法腐蚀在(110)单晶硅上制造出所需要的电容式加...
  • 本发明涉及一种三维集成的高量程加速度传感器。其特征在于所述的三维加速度传感器是由三个相互独立的加速度传感元件集成一体构成的;X、Y轴方向的加速度传感元件的结构相同,其敏感方向在硅平面方向,两个相同结构的传感元件相互垂直排布;Z轴方向的加...
  • 本发明涉及一种微机械电容式加速度传感器及制作方法,属于微电子机械系统领域。其特征在于,最为关键的就是通过可动质量块上下两面的弹性梁交错分布,不重合,呈90°交叉或平行分布的设计,利用各向异性腐蚀技术,在(100)单晶硅片上实现在无凸角补...
  • 一种量程可达200万m/s↑[2]的微机械加速度传感器,其特征在于: (1)它由锚区、敏感薄板、质量块、压敏电阻、框架及上、下玻璃盖板构成; (2)由锚区、敏感薄板、质量块、压敏电阻构成的敏感芯片(A)封装在框架中,并且上、...
  • 本发明涉及一种湿法制造微机械电容式加速度传感器及其结构,属于微电子机械系统领域。其特征在于,最为关键的是利用补偿条结构牺牲方法和(110)单晶硅在各向异性腐蚀液中选择性腐蚀特性,采用硅各向异性湿法腐蚀在(110)单晶硅上制造出所需要的电...
  • 本发明涉及一种单片集成直拉直压微梁结构压阻加速度传感器及制作方法。其特征在于:二个直拉直压微梁对称地位于弯曲主悬臂梁的两边,使得微梁只有X方向的直拉直压变形,微梁的自由端与质量块相连;硼扩散的微梁本身作为压阻敏感电阻;硅框架、悬臂梁、可...
  • 本发明涉及一种高固有频率的量程可达200万m/s#+[2]的微机械加速度传感器,其特征在于它是由压敏电阻、敏感梁、锚区、主梁、质量块、锚区与敏感梁之间的过渡结构及下盖板组成;敏感梁和中间主梁采用串联结构,主梁位于传感器结构的中部;通过锚...
  • 一种微型角速度传感器,其特征在于传感器由第一基板及其上的两组检测用交叉梳齿状固定对电极、固定于第一基板上的中央锚点和两侧锚点、第二基板的上表面的中点电极、悬于第一基板上方的可沿第一方向运动的两组完全相同且对称的驱动质量块、中央锚点与驱动...
  • 本发明涉及一种单硅片体微机械工艺实现的带有静电自检测功能的加速度传感器,其特征在于它在同一个单元上集成了加速度传感器和自检驱动执行器。使用深沟电隔离绝缘条将体硅深刻蚀侧壁隔绝为不同电学区域后,独立出适当的区域用以实现静电驱动。该传感器采...
  • 本发明涉及一种悬臂梁-质量块结构的吸合时间式数字加速度传感器其特征在于(1)质量块由悬臂梁支撑,组成悬臂梁-质量块结构,通过锚点与衬底连接;在质量块两侧对称分布了一对左、右驱动电极和一对左、右敏感电极;所述传感器用纯数字电路制作接口电路...