一种柔性电容式触觉传感器的制作方法，其特征在于包括聚二甲基硅氧烷中间层的准备，柔性衬底聚酰亚胺的制备，敏感电极及其电连接金属薄膜的沉积及图形化、第一高弹性介电层聚二甲基硅氧烷和第二柔性介电层聚酰亚胺形成，驱动电极及其电连接的金属薄膜的沉...

本发明提出了一种ＭＯＳ电容衬底的压阻结构及检测方法，以实现对纳米厚度梁的弯曲的压阻检测。本发明是在半导体纳米厚度梁上制作ＭＯＳ电容结构。检测时在ＭＯＳ电容上施加电压使ＭＯＳ电容下纳米梁中形成强反型层与空间电荷区。不导电的空间电荷区使其下...

本发明涉及一种基于硅硅键合的绝缘体上硅（ＳＯＩ）的高温压力传感器芯片及制作方法，属于传感器芯片领域。其特征在于支撑硅衬底上的浅槽和导气孔都是通过各向异性腐蚀形成，通过控制腐蚀时间获得适当的浅槽深度可以实现器件的过压保护。将支撑硅衬底与倒...

本发明涉及基于硅硅键合和绝缘层上硅（ＳＯＩ）的压力传感器芯片及其制作方法，属于传感器芯片领域。其特征在于支撑硅片上的浅槽和导气孔都是通过各向异性腐蚀形成的，通过控制腐蚀时间获得适当的浅槽深度可以实现器件的过压保护。通过硅硅键合技术将支撑...

本发明公开了一种柔性温度传感器的制作方法。其特征在于首先在载体硅片上涂覆一层聚二甲基硅氧烷（ＰＤＭＳ）中间夹层，在室温固化后，用氧等离子体活化其表面；紧接着在上面重叠涂覆高粘度聚酰亚胺（ＰＩ）预聚体并用阶梯式工艺进行预固化，其后在上面重...

本发明涉及一种自对准制作微结构的方法及其制作的微机械热电堆红外探测器，特征在于利用多晶硅条的自对准刻蚀下面的介质层形成热电堆，使用各向同性的干法刻蚀腐蚀硅衬底释放结构。热电堆可成悬臂梁直接悬空于衬底上。工艺步骤包括复合介质膜形成、多晶硅...

一种封闭膜结构的微机械热电堆红外探测器，复合介质膜上有热堆结构（４）和红外吸收区（５），其中热堆的热结区（３）位于红外吸收区（５）附近，冷结区（２）在硅基体上，其特征在于在硅基体（１）上，由各异性腐蚀剂腐蚀后，留下侧壁为（１１１）慢腐蚀...

本发明涉及一种高量程压阻加速度器共振频率的测试方法，特征在于利用金属端面之间碰撞产生较高的加速度和频率成份分布丰富的波作为激励源，当激励源中某些频率的波与高量程压阻加速度传感器的固有模态的频率等于或者接近时，器件高量程压阻加速度传感器发...

本发明涉及一种高速车辆超重测量系统，其特征在于它是由若干个现场敏感器件与信号放大器及控制器组成多路分布，并通过多路通路并行Ａ／Ｄ转换将其产生的模拟信号输入到信号中央处理器，信号中央处理器根据各路发送的信号，通过特定的算法，进行车辆载重情...

本发明涉及一种音叉式微机械陀螺及其制作方法。微机械陀螺主它是由第一基板及其上的四组驱动用条形固定对电极和两组检测用条形固定对电极、固定在第一基板上的中间锚点和两侧锚点、悬在第一基板上方的第二基板组成；第二基板包括可沿驱动方向振动的两个结...

本发明涉及一种微梁直拉直压结构的压阻微机械陀螺及制作方法，其特征在于将加速度计作为陀螺的科里奥利加速度检测部分，把两个加速度计放在扭转驱动结构两侧，形成类似音叉原理的微机械陀螺；使用压阻四端器件，检测、控制陀螺的驱动幅度，实现陀螺灵敏度...

本发明公开了一种电阻分功率型小型化双天线引信，包括发射天线、接收天线和电路部分，电路部分为收发组件，其与中频信号处理系统相连；包括压控振荡器、第一驱动放大器、电阻、第二驱动放大器、混频器和低噪声放大器；压控振荡器输出的发射信号，通过第一...

本发明提供一种分子束外延（ＭＢＥ）技术中原位测量束源炉中源材料质量的便捷方法，其特征在于具体步骤是：测量出束源炉升温时的时间－功率曲线；测量出束源炉降温时的时间－功率曲线；根据时间－功率曲线上的波动计算源炉中源材料发生相变时吸收或放出的...

本发明提供一种分子束外延（ＭＢＥ）技术中测量束源炉中源材料熔化时对应源炉热偶温度的测量方法。其特征在于测定步骤是测量出束源炉升温时的热偶温度－－功率曲线；测量出束源炉降温时的热偶温度－－功率曲线；将升温时和的热偶温度－－功率曲线上源材料...

本发明涉及镁合金表面生成复合陶瓷质膜和微弧阳极氧化处理生成方法。其特征在于复合陶瓷质膜是由内外两层组成，内层膜为含硅的Ｍｇ、Ａｌ复合氧化物层，外层膜为Ｍｇ、Ａｌ的硅氧化物。内外层厚度介于５～７０μｍ。经表面精整、脱脂处理、中和、水洗、微...

本发明涉及一种用于集成电路多层互连结构金属化学机械抛光（ＣＭＰ）的抛光液原位批处理方法及所使用的装置。创新点在于利用电化学工作原理，将抛光产生的金属离子还原转移达到去除的目的，同时恢复抛光液中氧化剂的功能。所述的装置是在传统的单头或多头...

本发明涉及一种氢化物气相外延（ＨＶＰＥ）氮化镓（ＧａＮ）膜中的金属插入层及制备方法，其特征在于采用了金属钨（Ｗ）插入层的结构。在ＨＶＰＥ制备ＧａＮ膜的过程中，先在ＧａＮ模板上电子束蒸发一层Ｗ薄层，然后经高温退火后继续ＨＶＰＥ生长ＧａＮ层...

一种改善人工心脏瓣叶血液相容性和使用安全性的方法，属于生物医用材料表面改性领域。其特征在于或用常规的离子注入或用等离子浸没式离子注入方法在热解碳制成的瓣叶中直接注入Ｎ↑［＋］，其剂量为２×１０↑［１６］－８×１０↑［１７］／ｃｍ↑［２］...

本发明涉及鳞状碳纳米管、制备方法和专用装置。所述鳞状碳纳米管特征在于其外径１５～５０纳米，内径５～２０纳米，长度１０～１００微米，鳞状实起长度１００纳米，宽５０纳米，由３～１０层呈蜷曲状的多层石墨层片的实起。其制备包括中间层制备、过渡金...

一种用于气相沉积的水平式反应器结构，其特征在于：　　　　（１）反应器由两组喷淋头、一路载气、一个样品托和一个水平腔体构成；　　　　（２）两组源气以垂直喷淋方式分别从两个喷淋孔流出；两组气的喷淋头在空间上重叠，两路喷淋头的喷淋孔在水平位置...