本发明公开了一种同时制备多方向水平定向单壁碳纳米管阵列的方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明采用含钠离子的溶液处理表面为Ｓｉ或ＳｉＯ↓［２］的衬底，使用铁蛋白作为催化剂源，用于催化制备以含碳原料气和氢气为碳纳米管生长气源，用化学气相沉...

本发明涉及一种在（１１１）晶面的硅片上纳米梁的结构及制作方法。其特征在于所述纳米梁由金属线条提供力学支撑，金属线条与衬底间电学绝缘；纳米梁的周围与下方为各向异性湿法腐蚀形成的腐蚀区；同时纳米梁为浅槽区包围，纳米梁下表面与浅槽区的上表面均...

本发明涉及一种在ＳＯＩ硅片上纳米宽度谐振结构及制作方法，其特征在于巧妙利用了（１１０）晶向硅片的各向异性湿法腐蚀特性，通过精确控制光刻掩模图形与（１１２）晶向间夹角，利用各向异性湿法腐蚀会自动校准晶向、同时结合腐蚀液对（１１１）晶面的低...

本发明涉及一种低温圆片级微型气体盒的制作方法，其特征在于利用苯并环丁烯材料进行材料键合和半导体材料的湿法腐蚀或干法刻蚀技术，在２５０℃的低温条件下键合，实现芯片级气体盒的圆片级气密性封装键合，包括芯片级原子钟气体盒、高精度磁场传感器气体...

本发明涉及一种利用干法刻蚀氮化镓纳米线阵列的方法，其特征在于采用了金属Ｎｉ纳米粒子点阵作为掩膜，而Ｎｉ纳米粒子点阵是通过阳极氧化铝来制作的。在ＧａＮ纳米线阵列的制作中，先在ＧａＮ模板上沉积一层金属Ａｌ，再采用电化学的方法生成多孔状阳极氧...

本发明涉及一种在普通硅片上与衬底绝缘的纳米梁结构及制作方法。其特征在于所述纳米梁通过各向异性湿法腐蚀形成，并通过干法腐蚀结合无电极电化学腐蚀自停止实现梁厚度的控制；纳米梁由金属连线提供力学支撑，金属连线与衬底间电学绝缘；纳米梁的周围与下...

本发明公开了一种高密度植入式平面阵列微电极及其制作方法，其特征在于所述的阵列微电极利用聚合物作为绝缘层材料，通过隔层布线的设计，将电极刺激位点或记录位点与其连接导线分布在不同的绝缘层之间，并在隔离绝缘层上制作通孔结构，由电镀工艺在通孔中...

本发明涉及一种植入式双面柔性微阵列电极的制备方法，该方法以柔性聚合物作为微电极基底材料，首先在硅基片上制作牺牲层，通过剥离（Ｌｉｆｔ－ｏｆｆ）、聚合物图形化制作正面电极；然后将硅基片电极面与已完成聚合物图形化的玻璃基片通过热压局部键合，...

本发明公开了一种三维柔性神经微电极及其制作方法，该微电极利用柔性聚合物作为基底材料，通过金属种子层的环状图案设计，进行递进式电镀，形成具有圆滑三维凸起特征的电极位点结构，该结构既可保证电极位点与神经细胞的良好接触，同时又可避免现有三维神...

本发明涉及一种多孔硅无痛注射微针阵列及其制备方法，其特征在于微针密度可达５０％，微针针孔与基底垂直，阵列中微针为多根针头或单根针头，微针长度达１００－２００μｍ，针孔最小为２ｎｍ，且针孔的开口可在针头上方或侧面。本发明拟采用电化学腐蚀方...

本发明涉及凸点连接气密封装ＭＥＭＳ器件的结构及制作方法，其特征在于：利用硅硅键合，将含ＭＥＭＳ芯片的硅片和含有腔体图形的硅片键合在一起，形成ＭＥＭＳ器件的下腔体，然后，将含有腔体图形的硅片的背面减薄，并将含ＭＥＭＳ芯片的硅片的背面刻蚀。...

本发明涉及一种ＭＥＭＳ器件圆片级芯片尺寸的封装结构及实现方法。所述封装结构特征在于①利用ＴＭＡＨ湿法减薄硅片作为封装结构的盖板；②利用凸点替代封装结构中的垂直通孔，所述的凸点是由在减薄的硅盖板上ＴＭＡＨ湿法腐蚀开出的垂直通孔，植入焊球，...

本实用新型涉及一种控制键合过程中熔融玻璃或有机胶塌陷的支撑体，其特征在于支撑体放置在芯片和盖板之间；或位于盖板上；或位于芯片上，所述支撑体的高度略低于键合前有机胶或熔融玻璃的高度，从而为微机械芯片的动件提供一个不受外界环境干扰或使后续的...

本实用新型涉及一种实现微机电系统（ＭＥＭＳ）器件气密密封装的结构，其特征在于：（１）晶片上每个ＭＥＭＳ器件的周边上有一个焊料封环，键合区分布在焊料封环周边的一侧，并与ＭＥＭＳ器件通过介质下的导体形成电连接；（２）盖板基片上腔体与晶片上Ｍ...

一种毛细管法气密封装ＭＥＭＳ器件的方法，其特征在于：　　　　（１）在ＭＥＭＳ器件晶片和腔体的晶片上，各制作出熔融焊料的导入导出线和导入导出孔，通过导入导出线，将周边的封环与导入导出孔连接起来；　　　　（２）对位后，两晶片上相对应的封环和...

本发明提供了一种利用掩膜－无掩膜腐蚀技术实现ＡＦＭ悬臂梁和探针一次成型的制作方法。其特征在于在腐蚀过程中，探针采用有掩膜腐蚀技术腐蚀，而梁采用无掩膜腐蚀技术腐蚀，当探针针尖的直径达到预定值时，梁的厚度达到设定值。本发明所涉及的各向异性湿...

本发明涉及一种圆片级微机械器件和光电器件的低温气密性封装方法，其特征在于利用苯并环丁烯（ＢＣＢ）材料针对经过湿法腐蚀或干法刻蚀的半导体材料或玻璃进行２５０℃低温圆片级气密性键合，键合压力为１－３×１０↑［－５］Ｐａ，真空度为１０↑［－３...

本发明涉及一种用于电磁激励高阶模态谐振硅微机械悬臂梁的驱动结构、制作方法及应用，属微机械传感器技术领域；其特征在于采用与悬臂梁高阶谐振模态的振动函数曲线相匹配的优化布置电磁激励线圈，产生与该模态悬臂梁相应位置运动方向相同的洛伦兹力驱动悬...

本发明涉及一种光读出非致冷红外成像阵列器件及其制作方法，其特征在于：由硅衬底上一系列像素单元组成，每个像素单元的两个锚柱立于硅衬底上，支撑像素单元，两条绝热梁一端与锚柱相连接，另一端与“双材料梁－微镜一体化”结构相连接，像素单元与硅衬底...

本发明涉及一种微机电系统芯片尺寸气密封装垂直互连结构及其制作，其特征在于提出了一种新颖的圆片级芯片尺寸封装结构。其中芯片互连采用了通孔垂直互连技术：ＫＯＨ腐蚀和ＤＲＩＥ相结合的薄硅晶片通孔刻蚀技术、由下向上铜电镀的通孔金属化技术、纯Ｓｎ...