利用无电极电化学腐蚀自停止制作的纳米梁结构与方法技术

本发明专利技术涉及一种在普通硅片上与衬底绝缘的纳米梁结构及制作方法。其特征在于所述纳米梁通过各向异性湿法腐蚀形成，并通过干法腐蚀结合无电极电化学腐蚀自停止实现梁厚度的控制；纳米梁由金属连线提供力学支撑，金属连线与衬底间电学绝缘；纳米梁的周围与下方为各向异性湿法腐蚀形成的腐蚀区；且纳米梁为可动结构，上下自由振动。本发明专利技术是基于各向异性湿法腐蚀、干法刻蚀及无电极电化学腐蚀自停止方法制作的。包括梁区台阶制作、深刻蚀、电学连接与力学支撑结构制作、纳米梁释放四个步骤，具有加工精度高、一致性高、重复性好的特点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
利用无电极电化学腐蚀自停止制作纳米梁的结构，其特征在于所述的纳米梁由金属线条提供力学支撑，它是通过两端面上的引线孔与金属线条连接的，金属线条与硅衬底间有氧化层存在，金属线条与衬底间为化学绝缘，从而实现纳米梁与衬底间的电学隔离。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴燕红，陆荣，杨恒，王跃林，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]