在绝缘体上硅的硅片上纳米宽度谐振结构及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种在ＳＯＩ硅片上纳米宽度谐振结构及制作方法，其特征在于巧妙利用了（１１０）晶向硅片的各向异性湿法腐蚀特性，通过精确控制光刻掩模图形与（１１２）晶向间夹角，利用各向异性湿法腐蚀会自动校准晶向、同时结合腐蚀液对（１１１）晶面的低速腐蚀减小宽度，在（１１０）绝缘体上硅的硅片上制作出宽度小于光刻最小线宽、侧壁为（１１１）晶面的纳米梁结构，通过浓硼自终止技术很好地控制锚点和驱动电极的形貌。利用本发明专利技术可以制成宽度小于１００纳米的纳米梁，在纳米梁两侧制作驱动／敏感电极，从而实现纳米谐振结构。由于各向异性湿法腐蚀对硅（１１１）晶面的腐蚀速率慢，可以通过控制腐蚀时间实现对纳米梁宽度的较精确控制。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种在绝缘体上硅的硅片上纳米宽度谐振结构，其特征在于所述纳米梁由锚点支撑，且在纳米梁的两侧有一对电极；在锚点和电极上制作有金属压焊块，实现电学连接；纳米梁、锚点和电极均制作在（１１０）晶面的ＳＯＩ硅片的上层硅上；且纳米梁下面的二氧化硅埋层被腐蚀去除，纳米梁可以自由振动。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨恒，许科峰，李铁，焦继伟，李昕欣，王跃林，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]