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本发明涉及一种在ＳＯＩ硅片上纳米宽度谐振结构及制作方法，其特征在于巧妙利用了（１１０）晶向硅片的各向异性湿法腐蚀特性，通过精确控制光刻掩模图形与（１１２）晶向间夹角，利用各向异性湿法腐蚀会自动校准晶向、同时结合腐蚀液对（１１１）晶面的低速腐...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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