用于微波功率放大器芯片的在片测试方法及其测试系统技术方案

本发明专利技术涉及一种用于微波功率放大器芯片在片测试的方法及其测试系统，属于微波通信中的芯片测试技术领域。特征在于通过脉冲方式的偏置电压大大降低了热量对微波功率放大器性能上的影响，真正的实现了芯片的探针台在片测试，免除了封装以及外部散热系统的安装。脉冲调制和脉冲产生装置利用了晶体管的开关特性来调制脉冲信号作为微波功率放大器的偏置。用直流脉冲信号连接在晶体管的栅极作为其栅极电压以控制晶体管沟道的开启和关闭，当脉冲信号的正压加载时，晶体管的沟道建立，连接在晶体管漏极的电流源就会通过沟道，施加电流在源极的负载上；当脉冲信号的零压加载时，晶体管的沟道就被截止，电流源就会无法通过沟道到达源级，负载上无电流通过。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及了一种用于微波功率放大器芯片在片测试方法及系统，所述 的方法适用于各种频段的微波功率放大器芯片，.广泛的应用于各种微波功率 放大器的功率测试和增益测试。属于微波通信中的芯片测试
技术背景对于GaAs FET(砷化镓场效应管)器件而言，沟道温度对于其射频特性， 直流特性都有很大的影响，这是由于GaAs基底不具有很好的热沉能力的缘 故；这种特性在功率芯片的基于探针台的在片(on wafer)测试中表现的尤为突 出。随着沟道温度的升高，芯片的特性呈现出急剧恶化的趋势。因此，基于 等温环境的脉冲偏置测量系统被提出。所谓脉冲测试就是将直流馈电电压由连续直流变成一个一个的直流脉 冲。放大器只在脉冲内工作，而在其余的时间内由于没有直流电压而不工作。 这样在脉冲周期内工作所产生的热量能够在没有脉冲的周期内得到充分的散 发，从而缓解了对散热系统的要求，控制了芯片温度的上升。图(1)显示了美国Huei. Wang在IEEE上发表的一种用于W波段的微波功 率放大器芯片测试的脉冲测试系统的脉冲发生调制部分(Huei Wang et al. IEEE Microwave and g本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于微波功率放大器芯片在片测试的方法，其特征在于用晶体管的开关特性，加载大电流的直流电平来调制脉冲信号发生器的发出的脉冲信号使之达到功率放大器的直流工作要求；脉冲信号发生器发出的脉冲信号作为晶体管的栅极控制信号，控制沟道开启和关闭的速度，以调制最后得到的大电流脉冲信号的占空比和频率。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张健，孙晓玮，李凌云，顾建忠，钱蓉，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]