湿法腐蚀制造微机械电容式加速度传感器的方法技术

本发明专利技术涉及一种湿法制造微机械电容式加速度传感器及其结构，属于微电子机械系统领域。其特征在于，最为关键的是利用补偿条结构牺牲方法和（１１０）单晶硅在各向异性腐蚀液中选择性腐蚀特性，采用硅各向异性湿法腐蚀在（１１０）单晶硅上制造出所需要的电容式加速度传感器结构，电容加速度传感器可动电极和固定电极同时形成在（１１０）单晶硅上，电容极板间隙为３－１５微米。电容的平行电极必须严格对准（１１１）晶向。本发明专利技术提供的方法简化了微机械电容式加速度传感器的制造工艺，提高了电容式加速度传感器的成品率，而且也使制造出来的加速度传感器具有高的灵敏度和输出稳定性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的一种湿法腐蚀制造微机械电容式加速度传感器及其结构，更确切地说本专利技术涉及一种以补偿条牺牲技术及硅各向异性腐蚀技术为关键技术的制造微机械电容式加速度传感器及其结构。属于微电子机械系统领域。制作电容式加速度传感器的方法有表面微机械加工方法和硅体微机械加工方法。采用表面微机械加工方法制作电容式加速度传感器的好处在于与集成电路工艺兼容，可以集成信号处理电路，成本低，但也存在噪声大，稳定性差，量程有限，带宽小等缺点。采用硅体微机械加工方法制作电容式加速度传感器的好处在于噪声低，稳定性好，可具有高灵敏度，具有大阻尼等优点，缺点是体积稍大。在以往用硅体微机械加工方法制作电容式加速度传感器时，多数采用(100)晶向的硅片，双面腐蚀方法形成电容加速度器件结构，如F.Rudolf et.al，Precision Accelerometers with μg Resolution，Sensors and Actuators，A21-23，(1990)pp297-302。这种方法存在器件结构尺寸控制难，工艺加工难度大及封装应力等问题。采用(100)晶向的硅片进行湿法各向异性腐蚀无法形成垂直硅片表面和相互平行的条状结构，因此为了形成垂直硅片表面和相互平行的条状结构通常需要采用干法刻蚀技术(深反应离子刻蚀技术DRIE)，这就要使用昂贵的设备，增加了器件制作成本，同时电容极板间隙受DRIE技术深宽比限制，不能很窄，如Zhixiong Xiao et.al，Silicon micro-accelerometerwith resolution，high linearity and large frequency bandwidth fabricated with twomask bulk process，Sensors and Actuators，A77，(1999)pp113-119。采用(110)晶向硅片进行湿法各向异性腐蚀可形成垂直硅片表面和相互平行的条状结构。然而，由于硅各向异性的特性，通常腐蚀的结果是形成一个平行四边形结构，而无法形成矩形结构，如D.R.Ciarlo，A latchingaccelerometer fabricated by the anisotropic etching of(110)oriented siliconwafers，J.Micrromechanics and Microengineering，Volume 2，Number 1，March1992，pp10。这就限制了器件的形状设计，影响器件的性能。本专利技术的目的之二在于提供一种在湿法腐蚀硅过程中保护希望保留的单晶硅结构方法，采用细条结构被牺牲腐蚀，使得最终形成矩形结构；采用二次氧化形成的氧化硅作为传感器结构底面的保护掩膜，使得预期的器件结构在完成湿法各向异性腐蚀后，能完整保留，不被损坏。本专利技术的目的之三在于提供一种用上述新的制造方法制作的具有特殊结构的微机械电容式加速度传感器，其特征是采用两组阻挡块，增加微机械电容式加速度传感器抗过载能力。两组阻挡块除了起增加传感器抗过载能力作用外，还可用于器件的自检测。本专利技术是通过下述过程实施的(1)首先对双面抛光(110)单晶硅片1氧化，正面光刻胶保护，背面对准<111>晶向光刻出悬空释放区域图形。(2)然后各向异性腐蚀剂氢氧化钾(KOH)溶液，或四甲基氢氧化氨(TMAH)溶液腐蚀硅，腐蚀深度可以根据设计要求决定。(3)用HF溶液漂去氧化硅，再次对硅片氧化，正面光刻胶保护，背面光刻出键合区。进行双面光刻，正面光刻出加速度传感器结构图形，背面光刻胶保护。(4)将硅片腐蚀面与另一块Pyrex玻璃片键合。(5)接着用各向异性腐蚀剂腐蚀硅，直至硅被腐蚀穿，形成电容加速度传感器结构。(6)漂去氧化硅，释放加速度传感器结构。(7)蒸发金属铝薄膜，形成电极。(8)用倒扣封装法完成器件封装。下面结合附图，详细阐明本专利技术。具体的制作加速度传感器的方法过程如下选择双面抛光(110)晶向单晶硅片1，进行1050-1150℃热氧化，形成0.1-0.3微米氧化硅2(图3)。然后正面光刻胶保护，背面对准<111>晶向光刻出电容式加速度传感器悬空释放区域图形(图4)。用硅各向异性腐蚀液如氢氧化钾(KOH)或四甲基氢氧化铵(TMAH)腐蚀硅，腐蚀形成一定深度，该深度根据需要来控制，一般在4-10微米。用HF溶液漂去氧化硅，在1050-1150℃条件下进行第二次热氧化，形成1-1.4微米的氧化硅。对硅片进行二次光刻，正面光刻胶保护，背面光刻出键合区3(图5)。再进行双面光刻，正面光刻出加速度传感器结构图形，背面光刻胶保护。将光刻好的硅片与Pyrex 7740玻璃4进行阳极键合，键合温度380℃～470℃，键合电压800V～1100V(图6)。或可与另一硅片键合。硅片与玻璃片键合为阳极静电键合，硅片与硅片键合为高温键合。然后将键合后的硅片放入氢氧化钾(KOH)或四甲基氢氧化铵(TMAH)硅各向异性腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀温度为60℃。在硅片被腐蚀穿透形成加速度传感器结构后，取出硅片进行清洗(图7)。用HF溶液漂去氧化硅，释放加速度传感器结构。蒸发金属铝薄膜5，形成电极(图8)。最后用倒扣封装完成加速度传感器封装(图9)。为了形成垂直硅片平面和相互平行的电容极板，加速度传感器电容平行电极光刻图形必须严格对准<111>晶向，即最终形成的平行电容极板平面平行于和(110)硅片表面垂直的(111)面。电容加速度传感器可动电极和固定电极可同时形成在(110)单晶硅上，平行电容极板间隙为3-15微米。为了形成所需的矩形加速度传感器结构，垂直于电容极板间隙的电容极板边，采用细条结构8(附图说明图10)，使得在硅各向异性腐蚀液中进行腐蚀过程中，由于硅的各向异性特性，细条结构被牺牲腐蚀，而使得最终矩形传感器结构能得以形成。精确的牺牲细条结构长度根据腐蚀液的削角腐蚀速率确定，通常牺牲细条结构长度与腐蚀硅片深度的比为1.2-2∶1，而腐蚀牺牲细条的宽度一般为5微米至50微米，细条间距为20微米至100微米。为了保护加速度传感器可动电极的底面在各向异性湿法腐蚀加速度传感器结构过程中不被腐蚀，第二次氧化形成的氧化硅除作为各向异性湿法腐蚀加速度传感器结构的掩膜外，还用于保护可动质量块电极9的底面(图7)。为了提高电容式加速度传感器抗过载能力，设计了一种电容式加速度传感器结构。采用上述制作加速度传感器方法，在腐蚀形成加速度固定电极14和可动质量块电极9的同时，可动电极的两端可以同时制作形成两组阻挡块12、13。阻挡块12、13与可动质量块电极9的间隙小于固定电极14和可动质量块电极9的间隙，这样阻挡块可以提高电容式加速度传感器抗过载能力。两组阻挡块12、13与相关电路配合，还可以使该电容式加速度传感器成为带有自检功能的电容式加速度传感器(图1)。按本专利技术方法所提供的电容式加速度传感器的结构是固定电极位于可动质量块电极的两侧，弹性悬臂梁一端与固定锚点相连，另一端与可动质量块电极相连；二组阻挡块分别位于可动质量块二边，且对称于弹性悬臂梁。简而言之，本专利技术提供了一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种湿法腐蚀制造微机械电容式加速度传感器的方法，包括单晶硅片选择、氧化、腐蚀工艺步骤，其特征在于： （１）选择双面抛光（１１０）单晶硅片，热氧化形成氧化硅层； （２）然后正面光刻胶保护，背面对准（１１１）晶向光刻出悬空释放区域图形； （３）用各向异性碱性腐蚀液，腐蚀硅形成４－１０微米深度； （４）用ＨＦ溶液漂去氧化硅，进行第二次热氧化，对硅片进行第二次光刻，正面光刻胶保护，背面光刻出键合区； （５）再进行双面光刻，正面光刻出加速度传感器结构图形，背面光刻胶保护； （６）将光刻好的硅片腐蚀面与Ｐｙｒｅｘ玻璃片或与另一块硅片键合； （７）键合后硅片放入各向异性腐蚀液，进行腐蚀穿透，细条结构被牺牲腐蚀，形成电容加速度传感器结构，取出硅片清洗； （８）用ＨＦ溶液漂去氧化硅，释放加速度传感器结构； （９）蒸发金属铝薄膜，形成电极；用倒扣封装法完成器件封装。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：熊斌，朱建军，车录锋，王跃林，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]