本公开的实施例描述一种用于沉积膜层的设备和方法，该设备和方法可在一系列沉积和光刻工艺之后对覆盖误差具有最小的贡献。在一个示例中，一种方法包括：将基板定位在处理腔室中的基板支撑件上；以及使包括含硅气体和反应气体的沉积气体混合物通过喷淋头流...

讨论了沉积碳膜的方法。一些实施例相较于介电表面，在金属表面上选择性地沉积碳膜。一些实施例相较于介电表面，在金属表面上选择性地形成碳柱。一些实施例在形成自对准通孔时利用碳柱。用碳柱。用碳柱。

一种用于在增材制造工艺中分配的液体前驱物材料包括甲基(丙烯酸酯)功能性寡聚物、活性稀释剂、甲基(丙烯酰胺)单体和含N

本公开内容的多个方面提供用于将导线连接(wiringconnections)附接至部件的方法，通过使用部件的设计数据与场测量数据(fieldmeasureddata)两者以制造精确的导线连接。data)两者以制造精确的导线连接。data...

本文描述的实施例提供了用于在等离子体辅助处理基板期间控制毗邻基板的圆周边缘的处理结果分布的方法和设备。在一实施例中，基板支撑组件具有第一底板和围绕第一底板的第二底板的特征。第一底板和第二底板均具有设置在其中的一个或更多个相应的第一冷却和...

一种增材制造设备包括：平台，所述平台具有顶表面以用于支撑正在构造的零件；分配器，所述分配器被配置为将多个连续进料材料层输送至所述平台上；至少一个能量源，所述至少一个能量源用于将进料材料在所述平台上选择性地熔融为层；和原位监测系统，所述原...

本文论述的系统和方法能够用于在单一基板上遍及光栅材料上形成处于各种倾斜角的光栅，这是通过下述方式实现的：确定离子束角度，以及将离子束的角度在多个离子束角度之间改变，从而形成具有变化的角度和截面几何形状的多个光栅。所述基板能够绕着中心轴旋...

使用结合的选择性单层掺杂(SMLD)工艺在半导体装置中形成掺杂材料层的方法和设备。使用SMLD工艺将一种浓度的掺杂剂沉积于材料层上，然后将所述浓度的掺杂剂退火以将所述浓度的掺杂剂扩散进入材料层中。SMLD工艺使所述浓度的掺杂剂顺应于材料...

本文提供基板制造的方法和设备。例如，所述设备可包括群集工具，其包括真空传送模块(VTM)，其配置为在真空条件下接收具有多晶硅插塞(多晶插塞)的硅基板，且在不中断真空的情况下将基板传送至多个处理腔室和从多个处理腔室传送基板，每一处理腔室独...

一种装载锁定装置可包括主体部分，所述主体部分包括一个或多个表面。第一槽可延伸进入一个或多个表面中的第一表面且沿着所述一个或多个表面中的所述第一表面延伸。第一管可容纳在所述第一槽中，其中所述第一管可被构造成用来输送液体(例如，用来热控制主...

本文所述实施方式一般涉及适合在半导体处理腔室中使用的处理套件，与常规处理套件相比，所述处理套件用单个边缘环减小边缘效应并加宽处理窗口。所述处理套件一般包括设置为邻近于并且围绕在等离子体腔室中的半导体基板周边的边缘环。所述基板和所述边缘环...

本文描述的实施例适用于在所有类型的等离子体辅助的或等离子体增强的处理腔室中使用，并且还适用于基板的等离子体辅助的或等离子体增强的处理的方法。更具体地，本公开的实施例包括宽带滤波器组件，在本文中也称为滤波器组件，宽带滤波器组件配置为减少和...

本公开内容涉及相对于位于处理腔室内的基板支撑件上的基板来操纵边缘环处的电压的设备和方法。设备包括基板支撑组件，基板支撑组件具有主体，主体具有嵌入在主体中的基板电极以用于向基板施加电压。基板支撑组件的主体另外具有嵌入在主体中的边缘环电极以...

本文描述的实施方式涉及用于测量和表征利用玻璃基板的增强现实和虚拟现实波导结构的性能的设备。波导性能测量系统通常包括：光源，被配置为将光导向波导上的输入耦合光栅区域；以及一个或多个光探测器，被配置为从波导的第二侧上的输出耦合光栅区域收集光...

本文所述的实施例涉及可使用可操作以维持超大气压力(例如，大于大气压力的压力)的腔室来执行的无缝间隙填充与接缝愈合的方法。一个实施例包括将具有形成在基板的表面中的一个或多个特征的基板定位在处理腔室中并将基板的一个或多个特征在约1巴或更大的...

描述了一种用于测量真空沉积腔室中沉积材料的沉积速率的测量组件。所述测量组件包括提供沉积表面和参考表面的一个或多个透明基板，所述沉积表面经构造以在真空沉积装置的真空腔室中接收沉积材料的至少一部分；以及光学测量组件。所述光学测量组件包括电磁...

本文描述的实施方式有关于一种用于蒸发材料的蒸发设备(100)。蒸发设备包括用于材料的容器(105)以及加热组件(110)，加热组件包括至少部分地设置在容器周围的外部加热单元(115)以及位于容器内的网状结构(120)。外部加热单元用于在...

本文介绍在构建由作为顶面的顶板、作为底面的基板安装部分，及作为侧面的侧壁界定及形成的反应腔室时，支撑件在顶板的圆周边缘自圆周边缘的上侧及外侧支撑顶板，并且反应气体在设置于侧壁中的反应气体供应路径中经整流，使得反应腔室中处于反应气体流动方...

披露一种具有光栅结构的设备和用于形成所述设备的方法。所述光栅结构包括：使用灰阶抗蚀剂和光刻在光栅层中形成楔形结构。多个通道形成于所述光栅层中，以在所述光栅层中界定倾斜光栅结构。所述楔形结构和所述倾斜光栅结构是通过使用选择性蚀刻工艺形成的。

根据一个实施方式，公开了一种用于先进封装应用在面板中形成多个过孔的方法及设备。再分配层沉积于基板层上。可使用旋转涂布处理、喷洒涂布处理、液滴涂布处理或层压来沉积再分配层。接着使用腔室内部的印模微压印再分配层。接着在腔室内部烘烤再分配层和...