本文描述的实施例提供一种通过交联末端硅烷醇基团来形成具有共价Si‑O‑Si键的含硅和氧层的方法。所述方法包括将基板定位在腔室中。所述基板具有一个或多个沟槽，所述一个或多个沟槽包括10纳米(nm)或更小的宽度及2:1或更大的深宽比。所述深...

描述了处理一或多个晶片的设备和方法。第一处理站具有来自第一气体扩散器、第一冷却通道图案或第一加热器中的一或多个的第一气流图案。第二处理站具有来自第二气体扩散器、第二冷却通道图案或第二加热器中的一或多个的第二气流图案。第二气体扩散器、第二...

本公开的实施例描述一种反馈回路，所述反馈回路可以用于维持几乎恒定的壳层电压，并且由此在基板的表面处产生单能IEDF。因此，本文描述的系统使得能够对IEDF的形状以及在基板表面中形成的特征的轮廓进行精确控制。

本文所公开的实施例包括形成高质量的氮化硅膜的方法。在实施例中，一种在基板上沉积膜的方法可包括：通过沉积工艺在第一处理空间中在基板的表面之上形成氮化硅膜；以及在第二处理空间中处理氮化硅膜，其中处理氮化硅膜包括：将膜暴露于由模块化的高频等离...

揭露了一种对准包括有基板的平板的方法，其中具有不同视野的多个相机与在多个相机内的各者的视野内的标记单元对准。在一个实施方式中，公开了一种用于光刻系统中的基板的对准方法，所述方法包括：放置基板；及对于用于所述光刻系统的至少两个相机，观看两...

本申请的实施方式大致关于用于形成多个光栅的方法。该方法大致包括在设置于基板上的波导组合器的一个或多个保护的区域上沉积材料，该材料具有当离子束引导朝向基板时抑制设置于波导组合器上的光栅材料移除的厚度；及将离子束引导朝向基板。本文所公开的方...

本公开内容的实施方式大致涉及形成光栅的方法。该方法包括在设置于基板上的光栅材料上沉积抗蚀材料，将该抗蚀材料图案化为抗蚀层，投射第一离子束至第一元件区域以形成第一组多个光栅，及投射第二离子束至第二元件区域以形成第二组多个光栅。利用图案化抗...

本文中所述的实施方式涉及方法及装置，这些方法及装置用于使用成角度蚀刻系统及/或光学设备来在基板上形成具有带有不同斜角的多个鳍片的光栅及在相继的基板上形成带有不同斜角的鳍片。这些方法包括以下步骤：将固位在工作台上的基板的部分定位在离子束的...

在本公开内容中提供了具有纳米结构的超颖表面的实施方式，所述纳米结构具有所需的几何轮廓及配置。在一个实施方式中，超颖表面包括形成在基板上的纳米结构，其中该纳米结构的形状为立方形或圆柱形。在另一个实施方式中，超颖表面包括在基板上的多个纳米结...

本文描述的实施方式涉及半导体处理。更具体地，本文描述的实施方式涉及透明基板的处理。膜沉积在透明基板的背侧上。确定膜的厚度，以使所述膜反射特定波长的光并且大体上防止基板弯曲。膜提供对特定波长的光的相长干涉。

本公开内容的多个实施方式包括用于在大面积基板上沉积多个层的方法与设备。在一个实施方式中，提供一种用于等离子体沉积的处理腔室。处理腔室包括喷头与基板支撑组件。喷头耦接至射频功率源并且接地，并且喷头包括多个穿孔气体扩散构件。多个等离子体施加...

本公开内容的实施方式总体提供用于真空腔室的气体扩散器组件的设备和方法，气体扩散器组件包括安装板，安装板包括中心部；复数个弯曲辐条，从中心部在径向方向中延伸；角板部，耦接于中心部与这些弯曲辐条的每个弯曲辐条之间，这些角板部的每个角板部具有...

描述了处理一个或多个晶片的设备和方法。空间性沉积工具包括在基板支撑组件上的复数个基板支撑表面和复数个空间上分离和隔离的处理站。空间上分离的隔离处理站具有独立受控的温度、处理气体类型和气流。在一些实施方式中，使用等离子体源激发一个或多个处...

一种安瓿，所述安瓿具有容器、入口端口、出口端口、防溅件和扩散器。所述扩散器设置在所述容器的空腔内并且包括进料管和喷射器。所述进料管耦接至所述入口端口，并且所述喷射器耦接至所述进料管。所述喷射器具有闭环形状并且包括多个孔。所述多个孔中的每...

提供用于沉积硬掩模材料和膜的方法，并且更具体地，提供用于沉积磷掺杂的氮化硅膜的方法。在处理腔室中在基板上沉积材料的方法，包括：在等离子体增强化学气相沉积(PE‑CVD)工艺期间，在RF功率的存在下将基板暴露于沉积气体以在基板上沉积磷掺杂...

本文提供了处理配件的实施方式。在一些实施方式中，一种处理配件包括：沉积环，沉积环被配置为设置在基板支撑件上，沉积环包括：环形带，环形带被配置为置放在基板支撑件的下凸缘上，环形带具有上表面和下表面，下表面在径向内部和径向外部之间包括台阶；...

本文所述的实施方式涉及一种用于在真空腔室中在基板(10)上沉积已蒸发材料的蒸气源(100)。所述蒸气源(100)包括具有多个喷嘴的分配管(110)，其中所述多个喷嘴中的至少一个喷嘴包括：第一喷嘴区段(121)，所述第一喷嘴区段沿着喷嘴轴...

本申请公开了水平全环栅和FinFET器件隔离。本文中所述的实施例总体涉及用于水平全环栅(hGAA)隔离和鳍式场效应晶体管(FinFET)隔离的方法和装置。可在基板上形成包括按交替式堆叠形成来布置的不同材料的超晶格结构。在一个实施例中，可...

本文揭示的实施方式总体上涉及抛光制品以及用于制造用于抛光工艺中的抛光制品的方法。更具体而言，本文揭示的实施方式涉及通过工艺产生的多孔抛光垫，所述工艺产出改良的抛光垫特性及性能，包括可调谐的性能。诸如三维打印工艺的增材制造工艺提供制成具有...

本文描述的实施方式大体而言涉及抛光制品及制造在抛光工艺和清洗工艺中使用的抛光制品的方法。更具体言之，本文公开的实施方式涉及具有分级性质的复合抛光制品。在一个实施方式中，提供一种抛光制品。该抛光制品包含一个或更多个暴露的第一区域以及一个或...