本文提供基板载具的实施方式。在一些实施方式中，一种基板载具包括：底板，其中底板是薄的、实心板而不具有通孔或内嵌的部件；和从底板延伸的多个抬升的部分，其中多个抬升的部分包括第一抬升的部分和第二抬升的部分，第一抬升的部分从第二抬升的部分径向...

本公开内容的实施方式提供用于形成具有准确的轮廓和针对制造三维(3D)堆叠存储器单元半导体装置的尺寸控制的阶梯状结构的设备和方法。在一个实施方式中，一种存储器单元装置包含：膜堆叠结构，所述膜堆叠结构包含：水平地形成在基板上的交替的成对的介...

此处所述的实施例涉及用于监控静电卡紧性能的方法及工具。性能测试仅需要一个翘曲的基板及一个参考基板来执行。为了运行测试，参考基板定位于工艺腔室中静电卡盘上，且翘曲的基板定位于参考基板上。电压从功率源施加至静电卡盘，产生静电卡紧力以将翘曲的...

一种用于处理基板的气体注射器包含：主体，所述主体具有能连接至气体源的入口，所述气体源被配置为当处理在设置于处理腔室的处理容积内的基板支撑件上的基板时，在第一方向上提供气流至所述入口；及气体注射通道，所述气体注射通道形成在所述主体中。所述...

一种用于化学机械抛光的承载头，包含：基座组件连接至所述基座组件的膜组件。所述膜组件包含：膜支撑件、固定至所述膜支撑件的内膜、和固定至所述膜支撑件并且在所述内膜下方延伸的外膜，其中所述内膜在膜的上表面与所述膜支撑件之间形成多个可单独加压的...

描述了一种用于清洁真空腔室、特别是用于OLED装置制造中的真空腔室的方法。所述方法包括在5

提供了一种用于在基板上沉积材料的沉积设备(100)。所述沉积设备包括阴极组件(10)。所述沉积设备包括冷却剂接收壳体(20)，所述冷却剂接收壳体用于接收冷却剂(22)以冷却所述阴极组件。所述沉积设备包括传感器(30)，所述传感器布置在所...

一种处理基板的方法，包括：在基板的顶上沉积未固化的聚合物材料的层，以覆盖基板上的暴露导电层；使用光刻处理暴露层的至少一个区域；在光刻处理中显影层以从至少一个区域移除未固化的聚合物材料的第一部分；通过干式蚀刻处理蚀刻层，以从至少一个区域移...

揭露了用于在具有硅表面和介电表面的基板的顶上选择性地沉积钛材料层的方法和设备。在实施方式中，一种设备被配置成用于在处理腔室的盖加热器和喷头之间的区域中在摄氏200至800度的第一温度下在四氯化钛(TiCl4)、氢(H2)和氩(Ar)之间...

公开了一种用于使用钼粘附层将聚酰亚胺基板连接至铜晶种层和镀铜附件来制造电气部件的方法。

提供了一种用于形成具有均匀且精确的层的光学堆叠的方法和设备。用于形成光学堆叠的处理工具在封闭环境中包括第一移送腔室、机载计量单元和第二移送腔室。第一多个处理腔室耦接至第一移送腔室或第二移送腔室。机载计量单元设置在第一移送腔室和第二移送腔...

本公开的实施例总体上涉及一种半导体处理设备。更具体地，本公开的实施例涉及产生和控制等离子体。处理腔室包括腔室主体，所述腔室主体包括一个或多个腔室壁并限定处理区域。处理腔室还包括处于同心轴向对准的两个或更多个感应驱动射频(RF)线圈，所述...

服务器通过将符合规格的第一处理腔室的一个或多个传感器的第一组输入时序数据馈送到神经网络来训练神经网络，以产生相对应的第一组输出时序数据。服务器计算第一误差。服务器将第二组输入时序数据从与被测试的第二处理腔室相关联的相对应的一个或多个传感...

成像反射计包括源模块，所述源模块经配置以产生不同标称波长的多个输入光束。布置具有第一数值孔径(NA)的照明瞳孔，使得多个输入光束中的每个输入光束通过照明瞳孔。大场透镜经配置以接收多个输入光束中的每个输入光束的至少一部分，并且在正被成像的...

本文描述及论述的实施例提供了通过气相沉积，如通过可流动化学气相沉积(FCVD)沉积氮化硅材料的方法，及利用新的硅氮前驱物进行此种沉积工艺的方法。氮化硅材料沉积在基板上以用于间隙填充应用，如填充基板表面中形成的沟槽。在一个或更多个实施例中...

披露了物理气相沉积靶材组件、包括靶材组件的PVD腔室和使用所述靶材组件制造EUV掩模坯料的方法。靶材组件包括：相邻于靶材并围绕靶材的周边边缘的靶材屏蔽件，靶材屏蔽件包括绝缘材料；和非绝缘外周边装置夹，用于将靶材屏蔽件固定至所述组件。

提供了用于形成氮化硅硼层的方法。所述方法包括：将基板定位在工艺腔室内的工艺区域中的基座上；加热保持基板的基座；以及将第一工艺气体的第一气流和第二工艺气体的第二气流引入工艺区域。第一工艺气体的第一气流含有硅烷、氨、氦、氮、氩和氢。第二工艺...

提供用于物理气相沉积的方法及装置。举例而言，所述装置包括PVD装置，所述PVD装置包括：腔室，所述腔室包括腔室壁；磁控管，所述磁控管包括多个磁体，所述多个磁体配置成在腔室内产生磁场；底座，所述底座配置成支撑基板；以及靶组件，包括由金制成...

提供了一种形成具有减少的缺陷的膜堆叠的方法，并且所述方法包括：将基板定位在处理腔室内的基板支撑件上；以及依序沉积多晶硅层和氧化硅层以在基板上产生膜堆叠。所述方法还包括：在处理腔室内生成沉积等离子体的同时向等离子体分布调制器供应大于5安培...

本发明的多个实施方式一般涉及在基板上形成湿气和氧气阻挡膜的方法。使用原子层沉积在原子层沉积腔室中在基板上沉积阻挡层以减小所述基板的水蒸汽透过率和氧气透过率。所述阻挡层在1atm下并且在低于所述基板的熔点的约25摄氏度至约5摄氏度之间的温...