用于清洁真空系统的方法、用于真空处理基板的方法以及用于真空处理基板的设备技术方案

描述了一种用于清洁真空腔室、特别是用于OLED装置制造中的真空腔室的方法。所述方法包括在5

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于清洁真空系统的方法、用于真空处理基板的方法以及用于真空处理基板的设备


[0001]本公开内容的实施例涉及一种用于清洁真空系统的方法、一种用于真空处理基板的方法以及一种用于真空处理基板的设备。本公开内容的实施例特别涉及用于有机发光二极管(organic light
‑
emitting diode，OLED)装置的制造中的方法和设备。

技术介绍

[0002]用于在基板上的层沉积的技术举例为包括热蒸发、物理气相沉积(physical vapor deposition，PVD)和化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)。已涂布的基板可使用于多种应用中和多种领域中。例如，已涂布的基板可使用于有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)装置的领域中。OLED可使用电视屏幕、电脑屏幕、移动电话、其他手持装置以及用于显示信息的类似装置中。例如是OLED显示器的OLED装置可包括沉积于基板上的两个电极之间的有机材料的一层或多层。
[0003]OLED装置可包括若干有机材料的堆叠，这些有机材料的堆叠例如在处理设备的真空腔室中蒸发。在真空腔室内的真空条件和在真空腔室内的污染物影响已沉积的材料层和使用这些材料层制造的OLED装置的品质。
[0004]例如，OLED装置寿命受到有机污染物的影像。污染物可能源自于在真空内使用的部件和材料和/或源自于维护期间的交叉污染。在制造之前或在制造期间的清洁(即，移除污染物)导致OLED装置的稳定、高品质制造。。
[0005]用于适当的清洁以实现适于制造的污染程度(预防性维护(preventive maintenance，PM)恢复)的持续期间或时间为关键资源。对制造系统的拥有者而言，每分钟的设备停工时间代价昂贵。因此，增加清洁效率和减少清洁时间减少了制造成本。
[0006]根据通常做法，例如等离子体清洁的活性物种(active species)的浓度通过使用较高的真空度来增加，即，接近大气压力的压力。再者，例如文献WO2018/197008涉及用于清洁真空系统的至少一部分的预清洁和远程等离子体清洁。等离子体清洁可在真空下执行。例如，压力可为10
‑2毫巴或更小。再者，其公开了压力可在10
‑2毫巴至10毫巴的范围中，以用于远程等离子体清洁。这有利于进一步改善清洁效率。
[0007]因此，需要的是可改善在真空腔室内的真空条件和真空腔室的清洁的方法和设备。本公开内容特别着重于减少污染物，使得沉积于基板上的有机材料的层的品质可得到改善。

技术实现思路

[0008]鉴于上述，提出一种用于清洁真空腔室的方法，一种用于清洁真空系统(特别是用于OLED装置制造中的真空系统)的方法，一种用于真空处理基板的方法，以及一种用于真空处理基板以特别地制造OLED装置的设备。本公开内容的其他方面、优点和特征通过权利要求书、说明书和所附附图更清楚。
[0009]根据一个实施例，提出一种用于清洁真空腔室(特别是用于OLED装置制造中的真空腔室)的方法。此方法包括在5
×
10
‑3毫巴或以下的压力下，特别是在1
×
10
‑4毫巴或以下的压力下，利用活性物种清洁真空腔室的表面和在真空腔室内的部件中的至少一者。
[0010]根据一个实施例，提出一种用于清洁真空腔室(特别是用于OLED装置制造中的真空腔室)的方法。此方法包括确定真空腔室的壁的平均距离；以及在对应于壁的平均距离的平均自由路径长度的20％或97％的压力下利用活性物种清洁真空腔室的壁的表面和在真空腔室内的部件中的至少一者。。
[0011]根据一个实施例，提出一种用于清洁真空腔室(特别是用于OLED装置制造中的真空腔室)的方法。此方法包括在远程等离子体源中，在第一压力下点燃远程等离子体源，并且真空腔室具有低于第一压力的第二压力；以及将远程等离子体源中的压力改变至第三压力，第三压力等同于或高于第二压力。
[0012]根据一个实施例，提出一种用于清洁具有第一真空腔室和第二真空腔室的真空系统的方法。此方法包括在低于1毫巴的第一压力下清洁第一真空腔室；以及在低于1毫巴的、不同于第一压力的第二压力利用活性物种清洁第二真空腔室。
[0013]根据一个实施例，提出一种用于真空处理基板来制造OLED装置的方法。此方法包括：根据本文所述任何实施例的用于清洁的方法；以及在基板上沉积有机材料的一层或多层。
[0014]根据一个实施例，提出一种用于真空处理基板以特别地制造OLED装置的设备。设备包括：真空腔室；远程等离子体源，所述远程等离子体源连接到真空腔室，远程等离子体源具有处理气体入口、用于活性物种的导管和处理气体出口；以及阀，所述阀位于真空腔室与远程等离子体源之间，所述阀经定位以打开或关闭导管。
[0015]根据一个实施例，提出一种用于真空处理基板以特别地制造OLED装置的设备。设备包括控制器，包括处理器和存储指令的存储器，指令当由处理器执行时使设备执行根据本公开内容的实施例的方法。
附图说明
[0016]为了使本公开内容的上述特征可详细地了解，可参照实施例获得简要概述于上的本公开内容的更具有的说明。所附附图涉及本公开内容的实施例且说明于下：
[0017]图1A和图1B绘示根据本文所述实施例的用于清洁用于OLED装置制造中的真空系统的方法的流程图；
[0018]图2绘示根据本文所述实施例的用于真空处理基板来制造OLED装置的方法的流程图；
[0019]图3绘示根据本文所述实施例的用于真空处理基板来制造OLED装置的系统的示意图；
[0020]图4绘示根据本文所述实施例的用于清洁真空腔室的设备的示意图；
[0021]图5绘示根据本文所述实施例的用于清洁用于OLED装置制造中的真空系统的方法的流程图；以及
[0022]图6绘示比较标准清洁工艺的清洁效率与根据本公开内容的实施例的工艺的清洁效率的图。
具体实施方式
[0023]将详细参照本公开内容的实施例，本公开内容的实施例的一个或多个示例示于附图中。在下方附图的说明中，相同的附图标记意指相同的部件。一般来说，仅描述有关于个别实施例的差别。各示例通过说明本公开内容的方式提供且不意味对本公开内容的限制。再者，作为实施例的部分而说明或描述的特征可用于其他实施例或与其他实施例结合，以获得进一步的实施例。本说明书意欲包括这些调整和变化。
[0024]在真空腔室内的真空条件和污染物(特别是有机污染物)的总量可能大大地影响沉积于基板上的材料层的品质。特别是，对于OLED大量制造来说，真空部件的清洁度强烈地影响所制造的装置的寿命时间。对OLED装置制造来说，甚至是被电抛光的表面可能仍旧太脏。本公开内容的一些实施例例如利用远程等离子体源而使用等离子体清洁来进行真空清洁。例如，真空清洁可在预清洁程序之后被提供而例如作为用于真空系统的最终清洁程序。本公本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于清洁真空腔室、特别是用于清洁用于OLED装置制造中的真空腔室的方法，包括：在5
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10
‑3毫巴或以下的压力下，特别是在1
×
10
‑4毫巴或以下的压力下，利用活性物种清洁所述真空腔室的表面和在所述真空腔室内的部件中的至少一者。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述活性物种利用远程等离子体源产生。3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：在第一压力下点燃所述远程等离子体源；以及将所述远程等离子体源中的压力减小至第二压力，所述第二压力比所述第一压力小至少一个数量级，特别是比所述第一压力小至少三个数量级。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述等离子体清洁包括所述真空腔室的一个或多个内壁的清洁。5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其中用于产生所述活性物种的处理气体包括氧。6.根据权利要求5所述的方法，其中用于产生所述活性物种的所述处理气体包括至少90体积％的氧与至少2体积％的氩，特别是，所述处理气体包括约95体积％的氧与约5体积％的氩。7.根据权利要求1至6任一项所述的方法，其中所述方法在真空系统或所述真空系统的部分的维护程序之后执行。8.一种用于清洁真空腔室、特别是用于清洁用于OLED装置制造中的真空腔室的方法，包括：确定所述真空腔室的壁的平均距离；以及在对应于所述壁的所述平均距离的20％或更多并特别是97％或更少的平均自由路径长度的压力下，利用活性物种清洁所述真空腔室的表面和在所述真空腔室内的部件中的至少一者。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述活性物种利用远程等离子体源产生。10.一种用于清洁真空腔室、特别是用于清洁用于O...

【专利技术属性】
技术研发人员：曼纽尔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：