应用材料公司专利技术

应用材料公司共有6595项专利

  • 在一些实施方式中,一种声波清洁系统包括:罐,配置成接收能够传播声波的液体;和圆柱形插入件,位于罐内。圆柱形插入件包括具有第一开口的第一端和与第一端相对的第二端。第二端具有第二开口。圆柱形插入件配置成将工件悬挂在第一开口和第二开口之间。声...
  • 描述了一种基板处理系统(100)。所述基板处理系统(100)包括一个或多个基板腔室,所述一个或多个基板腔室包括基板运输系统(140)。另外,所述基板处理系统(100)包括布置在所述基板运输系统(140)的第一轨道(141)和第二轨道(1...
  • 示例性的处理系统可包含处理腔室,并且可包含远程等离子体单元,该远程等离子体单元与该处理腔室耦接。示例性的系统也可包含耦接在该远程等离子体单元与该处理腔室之间的混合歧管。该混合歧管可由第一端和与该第一端相对的第二端表征,并且可与该处理腔室...
  • 本公开内容的多个实施方式一般涉及用于形成有机发光二极管(OLED)装置的方法。形成所述OLED装置包括在衬底上沉积第一阻挡层,该衬底上设置有OLED结构。随后在所述第一阻挡层上沉积缓冲层的第一子层。用混合气体等离子体固化所述缓冲层的所述...
  • 在此公开的是一种改良的SOT‑MRAM装置及其制造方法。一种存储器装置包括第一结构,该第一结构包括磁隧道结堆叠和自旋轨道矩层。该自旋轨道矩层形成在该磁隧道结堆叠上。介电覆盖层形成在该自旋轨道矩层上面。金属层形成于该第一结构的顶部上。该金...
  • 本公开内容的多个实施方式一般涉及光学透明基板,该光学透明基板包括主表面,该主表面具有周围边缘区域和形成在该周围边缘区域上的纹理,该周围边缘区域具有形成于该周围边缘区域中的定向特征结构,该纹理的不透明度大于该主表面的不透明度。
  • 本文公开的实施方式包括用于形成触点的处理系统及方法。此处理系统包括多个处理腔室,经配置以沉积、蚀刻和/或退火基板的源极/漏极区。此方法包括在源极/漏极区上方沉积经掺杂半导体层、在沟槽中形成锚定层、以及在沟槽中沉积导体。用于形成触点的方法...
  • 本文提供了用于将薄基板膜接合到载板和将薄基板膜从载板解除接合的方法。在一些实施例中,一种处理半导体基板的方法包括:将非黏性的聚合物层施加到由介电材料形成的载板。接着将第二层施加到聚合物层。接着在第二层上形成一个或多个重新分配层。接着经由...
  • 本文讨论了用于在半导体装置制造期间通过将基板浸泡在掺杂剂中而形成膜的方法。使用至少一种掺杂剂前驱物在处理腔室中执行掺杂剂浸泡达预定的时间段,以在基板上形成掺杂剂层。随后净化处理腔室中的至少一种掺杂剂前驱物。在净化处理腔室之后,将至少一种...
  • 本文描述的实施方式涉及封装的纳米结构光学装置和通过非对称选择性物理气相沉积(PVD)来封装这样的装置的光栅的方法。在一些实施方式中,用于封装光学装置光栅的方法包括:可同时或顺序地执行的第一PVD工艺和第二PVD工艺。第一PVD工艺可以不...
  • 本公开内容的方面涉及用于制造波导的装置。在一个实例中,利用成角度的离子源来朝向基板投射离子以形成包括成角度的光栅的波导。在另一个实例中,利用成角度的电子束源来朝向基板投射电子以形成包括成角度的光栅的波导。本公开内容的另外的方面提供了用于...
  • 本公开内容的实施方式总体涉及用于形成晶体管的方法。更具体而言,本文所述的实施方式总体涉及用于形成源/漏接触的方法。在一个实施方式中,方法包括在介电材料中形成沟槽,以暴露晶体管的源/漏区域;在暴露的源/漏区域上执行预清洁工艺;通过外延沉积...
  • 本文中描述的实施方式提供减小被写入到光刻胶中的部分的宽度的大面积光刻的方法。所述方法的一个实施方式包括在最小波长下将多个光束的初始光束投射到在所述多个光束的传播方向中的掩模。所述掩模具有多个色散元件。增加所述多个光束的各光束的波长直到所...
  • 本公开内容的方面涉及用于制造波导的装置。在一个实例中,利用成角度的离子源来朝向基板投射离子以形成包括成角度的光栅的波导。在另一个实例中,利用成角度的电子束源来朝向基板投射电子以形成包括成角度的光栅的波导。本公开内容的另外的方面提供了用于...
  • 描述了一种气相沉积装置。所述气相沉积装置包括:具有腔室壁的真空腔室;温度控制的屏蔽件,所述温度控制的屏蔽件被构造成屏蔽腔室壁;热屏蔽件,面向待涂布的基板,所述热屏蔽件具有一个或多个开口;和至少部分地在真空腔室之内的蒸发器,所述蒸发器包括...
  • 本公开内容的实施方式提供了用于在基板上制造磁性隧道结(MTJ)结构的方法及设备,所述磁性隧道结(MTJ)结构可用于MRAM应用,特别是用于自旋轨道矩磁性随机存取存储器(SOT MRAM)应用。在一个实施方式中,磁性隧道结(MTJ)装置结...
  • 在此描述的实施例总体上涉及在沟槽之上形成可流动低k介电层的方法,所述沟槽形成于图案化基板的表面上。所述方法包括:将含硅和碳前驱物传递至基板处理腔室的基板处理区域中达第一时间段和第二时间段;使含氧前驱物流进等离子体源的远程等离子体区域中,...
  • 本公开内容的多个实施方式涉及一种用于在基板上形成装置的系统和方法。例如,一种用于在基板上形成装置的方法可以包括从一个或多个离子束腔室投射一个或多个离子束,以在基板的第一表面上形成一个或多个装置,以及从一个或多个离子束腔室投射一个或多个离...
  • 本文提供了用于最小化藉由光刻法所形成的线中的线缘/线宽粗糙度的方法和设备。在一个实例中,一种处理基板的方法包括以下步骤:将包括光酸产生剂的光刻胶层施加到设置在基板上的多层上,其中所述多层包括由有机材料、无机材料、或有机材料与无机材料的混...
  • 本公开内容一般提供在电子装置制造处理期间向处理腔室的处理空间提供至少为亚稳态的自由基分子物质和/或自由基原子物质的方法及其相关设备。在一个具体实施方式中,设备是设置在远程等离子体源和处理腔室之间的气体注入组件。气体注入组件包括:主体;设...