气相沉积装置和用于在真空腔室中涂布基板的方法制造方法及图纸

技术编号:29599683 阅读:50 留言:0更新日期:2021-08-06 20:03
描述了一种气相沉积装置。所述气相沉积装置包括:具有腔室壁的真空腔室;温度控制的屏蔽件,所述温度控制的屏蔽件被构造成屏蔽腔室壁;热屏蔽件,面向待涂布的基板,所述热屏蔽件具有一个或多个开口;和至少部分地在真空腔室之内的蒸发器,所述蒸发器包括:延伸穿过所述一个或多个开口的一个或多个喷嘴。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】气相沉积装置和用于在真空腔室中涂布基板的方法
本公开内容的多个实施方式涉及通过真空腔室中的热蒸发的基板涂布。本公开内容的多个实施方式进一步涉及形成在真空沉积装置的表面上的凝聚物。具体而言,多个实施方式涉及一种气相沉积装置和一种用于在真空腔室中涂布基板的方法。
技术介绍
已知用于在基板上沉积的各种技术,例如,化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)。对于在高沉积速率的沉积,热蒸发可被用作PVD工艺。对于热蒸发,源材料被加热高达产生蒸气,所述蒸气可被沉积例如在基板上。提高被加热源材料的温度提高了蒸气浓度并且可促进高沉积速率。用于实现高沉积速率的温度取决于源材料的物理性质,例如,作为温度函数的蒸气压力,和基板的物理限制,例如熔点。例如,待沉积在基板上的源材料可在坩埚中被加热,以在升高的蒸气压力下产生蒸气。蒸气可以从坩埚输送到加热的歧管中的涂布空间。源材料蒸气可从加热的歧管分配到涂布空间(例如,真空腔室)中的基板上。部件的表面,例如,真空腔室的真空腔室壁,可能暴露于蒸发的源材料并且可被涂布。频繁维护以去除凝聚物对于大批量制造(例如本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种气相沉积装置,所述气相沉积装置包括:/n具有腔室壁的真空腔室;/n温度控制的屏蔽件,被构造为屏蔽所述腔室壁;/n热屏蔽件,所述热屏蔽件面向待涂布的基板,所述热屏蔽件具有一个或多个开口;和/n蒸发器,至少部分地在所述真空腔室之内,所述蒸发器包括:/n一个或多个喷嘴,延伸穿过所述一个或多个开口。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种气相沉积装置,所述气相沉积装置包括:
具有腔室壁的真空腔室;
温度控制的屏蔽件,被构造为屏蔽所述腔室壁;
热屏蔽件,所述热屏蔽件面向待涂布的基板,所述热屏蔽件具有一个或多个开口;和
蒸发器,至少部分地在所述真空腔室之内,所述蒸发器包括:
一个或多个喷嘴,延伸穿过所述一个或多个开口。


2.根据权利要求1所述的气相沉积装置,其中所述热屏蔽件的所述开口形成通道,并且所述喷嘴延伸穿过所述通道。


3.根据权利要求1或2中任一项所述的气相沉积装置,其中所述蒸发器的温度高于所述热屏蔽件的温度。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的气相沉积装置,所述气相沉积装置进一步包括:
控制器,连接至加热所述温度控制的屏蔽件的加热器部分,所述控制器将所述温度控制的屏蔽件的温度控制为低于所述蒸发器的温度。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的气相沉积装置,其中所述热屏蔽件包括两个或更多个热屏蔽层。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的气相沉积装置,所述蒸发器具有面向所述基板的侧壁,其中所述喷嘴设置在所述侧壁处。


7.根据权利要求6所述的气相沉积装置,其中所述热屏蔽件布置在所述侧壁和所述基板之间。


8.根据权利要求6至7中任一项所述的气相沉积装置,其中所述热屏蔽件由所述蒸发器的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:安德烈亚斯·勒普斯蒂芬·班格特戴维·石川巴扈巴利·S·乌帕德亚苏迈德·阿查亚维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南
申请(专利权)人:应用材料公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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