描述了一种用于沉积源的阴极驱动单元(100)。所述阴极驱动单元包括：阴极支撑件(102)；和带驱动器，所述带驱动器用于旋转所述阴极支撑件。所述带驱动器包括：第一滑轮(112)，所述第一滑轮耦接到驱动所述阴极支撑件的轴(103)；驱动组件...

一种固持布置，其用于用磁力支持用于在真空腔室中的基板处理的载具，包括：被配置成提供磁力的磁铁元件；具有被配置成与载具耦合并且被配置成被所述磁铁元件的所述磁力吸引的磁铁板的支架主体；和以下中的至少一个：被配置用于吸收在所述磁性元件与所述支...

本发明的实施例提供非均匀基板抛光设备，所述基板抛光设备包括具有两个或更多个区的抛光垫，每一个区经适配以将不同的浆料化学品施加至基板上的不同区以在基板上产生具有至少两个不同膜厚度的膜厚度分布。还提供经适配以抛光基板的抛光方法和系统，如同众...

一种成像系统包括：显微镜，所述显微镜用于生成组织样品的关注区域的放大图像；相机，所述相机用于捕获和存储所述放大图像；以及控制器。所述控制器被配置为针对递增放大级别序列中的每个放大级别，以当前的放大级别对所述组织样品的一个或多个关注区域进...

本案揭示了一种物理气相沉积(PVD)腔室及其操作方法。描述了提供包括上屏蔽件的腔室的腔室和方法，所述上屏蔽件具有两个孔，两个孔被定位成允许从两个靶交替溅射。被定位成允许从两个靶交替溅射。被定位成允许从两个靶交替溅射。

描述了划切由载具支撑的晶片或基板的方法以及用于划切半导体晶片的载具，每一个晶片都具有多个集成电路。在示例中，用于在蚀刻工艺中支撑晶片或基板的载具包含框，所述框具有环绕内开口的周界。所述载具也包含带，所述带耦合至所述框，并且设置在所述框的...

本公开的实施例总体上涉及处理基板的方法。方法包括使定位于处理腔室的处理容积中的基板暴露于含烃气体混合物、使基板暴露于含硼气体混合物，及在处理容积中产生射频(RF)等离子体，以于基板上沉积硼

本公开内容的实施方案大体上涉及于一种存储器装置。更具体地，本文描述的实施方案大体上涉及SOT

披露了用于减少沉积在基板上的颗粒的物理气相沉积方法。可增加溅射期间的压力以引起在等离子体中形成的颗粒的团聚。在熄灭等离子体之前，可将团聚的颗粒移动到处理腔室的外部部分，使得团聚物无害地落在基板的直径的外侧。侧。侧。

描述一种清洁真空腔室的方法，特别是一种用于清洁制造OLED装置的真空腔室的方法。此方法包括在真空腔室内点燃紫外线源；以及将真空腔室中的压力调节至真空状态，从而从真空腔室中的处理气体中提供臭氧和活性自由基的混合物。物。物。

本公开涉及一种用于基板处理腔室的盖组件设备及相关方法。在一个实施方式中，盖组件包括气体歧管。气体歧管包括被配置成接收工艺气体的第一气体通道、被配置成接收掺杂气体的第二气体通道、以及被配置成接收清洁气体的第三气体通道。盖组件还包括喷头。喷...

描述了全晶片原位计量腔室和使用方法。所述计量腔室包括可相对于彼此旋转的基板支撑件和传感器条。所述传感器条包括在距中心轴线的不同半径处的多个传感器。的不同半径处的多个传感器。的不同半径处的多个传感器。

本文描述的实施方式大体涉及能够形成具有与经由传统方法形成的类似结构相比减小的有效氧化物厚度的金属栅极结构。等离子体氢化工艺及随后的等离子体氮化工艺、或单步等离子体氢化和氮化工艺在膜堆叠中的金属氮化物层上执行，由此根据一些实施方式，去除设...

本揭示内容的一个示例提供一种制造具有涂层且具有所需的膜性质的腔室元件的方法，所述涂层包括含钇材料。在一个示例中，制造涂层材料的方法包括提供包含含铝材料的基础结构。所述方法进一步包括在基础结构上形成包括含钇材料的涂层。所述方法亦包括热处理...

本文描述的实施方式提供了一种用于校准基板支撑组件的温度的方法，所述方法使得能够离散地调节基板支撑组件的温度分布。在一个实施例中，系统包括：存储器，其中存储器包括被配置为在基板支撑组件上执行操作的应用程序；设置在基板支撑组件中的控制板，其...

提供用于校正离子注入半导体制造工具中的部件故障的方法、系统和非暂时性计算机可读介质。一种方法包括以下步骤：从与离子注入工具相关联的传感器接收与特征相对应的当前传感器数据；执行特征分析，以生成针对当前传感器数据的附加特征；提供附加特征作为...

一种半导体器件制造处理包括：在具有多个开口的基板上形成栅极，每个栅极具有第一金属的导电层与第一介电材料的栅极介电层，以第二介电材料部分地填充所述开口，在不破坏真空的处理系统中的基板上形成第一结构，在第一结构上方沉积第三介电材料，及形成所...

本公开内容总体上涉及堆叠的小型化电子装置及其形成方法。更具体地，本文描述的实施例涉及半导体装置间隔件及其形成方法。本文描述的半导体装置间隔件可以用于形成堆叠的半导体封装组件、堆叠的PCB组件等等。堆叠的PCB组件等等。堆叠的PCB组件等等。

描述一种气流，用于减少基板处理夹盘的冷凝。在一示例中，该腔室中的工件支架具有定位盘、上板、冷却板、底板、以及该底板的干燥气体入口，该定位盘用于携载该工件以进行制造处理，该上板热耦接至该定位盘，该冷却板紧固至并热耦接至该上板，该冷却板具有...

使用反应离子蚀刻(RIE)在基板中产生高深宽比特征的方法和设备。在一些实施例中，一种方法包含：将C3H2F4与伴随气体的气体混合物流入处理腔室；使用连接到基板上方的上电极的RF电源和连接到基板下方的下电极的至少一个RF偏压电源来从气体混...