划切由载具支撑的晶片或基板的方法技术

描述了划切由载具支撑的晶片或基板的方法以及用于划切半导体晶片的载具，每一个晶片都具有多个集成电路。在示例中，用于在蚀刻工艺中支撑晶片或基板的载具包含框，所述框具有环绕内开口的周界。所述载具也包含带，所述带耦合至所述框，并且设置在所述框的所述内开口下方，所述带包括设置在支撑层上方的蚀刻终止层。层。层。

【技术实现步骤摘要】
划切由载具支撑的晶片或基板的方法
[0001]本申请是申请日为2014年11月26日、申请号为201480066583.6、名称为“用于划切晶片的方法与载具”的中国专利申请(PCT申请号为PCT/US2014/067762)的分案申请。
[0002]相关申请的交叉引用
[0003]本申请主张于2013年12月10日提交的美国临时申请第61/914,323号的权益，此美国临时申请的完整内容以引用的方式并入本文。


[0004]本专利技术的实施例涉及半导体处理领域，并且特别涉及划切半导体晶片的方法以及用于划切半导体晶片的载具，所述半导体晶片中的每一个上都具有多个集成电路。

技术介绍

[0005]在半导体晶片处理中，集成电路形成在由硅或其他半导体材料组成的晶片(也称为基板)上。一般而言，利用半导电的、导电的或绝缘的各种材料层来形成集成电路。使用各种公知工艺来掺杂、沉积并蚀刻这些材料以形成集成电路。每一个晶片经处理以形成大量含有被称作管芯(dice)的集成电路的单个区域。
[0006]在集成电路形成工艺之后，晶片经“划切(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种划切由载具支撑的晶片或基板的方法，所述方法包括以下步骤：通过等离子体工艺蚀刻所述晶片或基板，其中所述载具包括：具有环绕内开口的周界的框、以及耦合至所述框并且设置在所述框的所述内开口下方的带，并且其中所述带包括蚀刻终止层，所述蚀刻终止层设置在支撑层上方，所述蚀刻终止层包括二氧化硅层；以及在蚀穿所述晶片或基板并使所述载具暴露之后检测蚀刻副产物的改变，其中在蚀穿所述晶片或基板并使所述载具暴露之后检测蚀刻副产物的所述改变包括：在使所述蚀刻终止层暴露之后检测所述改变。2.如权利要求1所述的方法，其中通过使用光学发射传感器(OES)终点检测系统或激光终点系统来执行所述检测。3.如权利要求1所述的方法，进一步包括：在检测到蚀刻副产物的所述改变之后，终止所述蚀刻。4.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：