本文所述实施例涉及一种基板支撑组件，所述基板支撑组件实现静电吸盘(ESC)的低温操作，使得设置在静电吸盘(ESC)上的基板被维持在适用于处理的低温处理温度，同时将处理腔室的其他表面维持在不同的温度。基板支撑组件包含：静电吸盘(ESC)，...

设备前端模块(EFFM)包括位于前端的返回管道。EFFM可包括前壁、后壁和两个侧壁，前壁包括多个装载口，且后壁经配置以耦接至装载锁定设备。在前壁、后壁和两个侧壁之间形成EFFM腔室。上部气室位于EFFM的顶部，并包括进入EFFM腔室的开...

描述了包括具有至少一个侧存储舱的设备前端模块的电子装置处理系统。侧存储舱具有腔室，腔室包括顶基板保持器和底基板保持器。在一些实施方式中，排气口位于顶基板保持器和底基板保持器之间的中点。还公开了根据这些和其他实施方式的方法和系统。

本文中所述的实施例涉及用于工艺腔室中的射频(RF)相位控制的装置及技术。工艺容积通过面板电极及支撑底座界定在工艺腔室中。接地筒与工艺容积相对地围绕支撑底座设置在工艺腔室内。接地筒实质填充支撑底座下方除工艺容积以外的容积。相位调谐器电路耦...

一种腔室包含靶(16)及设置在靶(16)之上的磁控管(50)。磁控管(50)包含多个磁体(52,54)。磁控管(50)具有纵向维度和横向维度。磁控管(50)的纵向维度相对于靶(16)倾斜，使得磁体(52,54)和靶(16)之间的距离变化...

本文提供例如在基板级封装中使用的用于粘合基板的方法。在一些实施例中，一种用于粘合基板的方法包括：执行电化学沉积(ECD)以在第一基板和第二基板中的每一者上沉积至少一种材料；在第一基板和第二基板上执行化学机械抛光(CMP)以在第一基板和第...

描述了处理一个或多个晶片的设备和方法。处理腔室包括：第一处理站，包括具有第一面、第一发射率和第一温度的第一气体注射器；第二处理站，包括具有第二面、第二发射率和第二温度的第二气体注射器；和基板支撑组件，包括多个实质上共面的支撑表面，基板支...

一种器件制造系统的主机，包括：基座；在该基座上的多个机面；在多个机面上方的盖。多个机面中的第一机面包括框架。基座、盖和多个机面一起限定内部空间，该内部空间包括机器人臂。第一可替换接口板附接到第一机面的第一框架。第一可替换接口板包括多个基...

提供了一种清洁半导体处理腔室的部件的方法。所述方法包含将部件中的残留物暴露于含有含氮气体和含氧气体的工艺等离子体。部件中的残留物经历化学反应，从而清洁部件。清洁了部件，将部件恢复到运行工艺化学反应之前的条件。件。件。

本文论述的系统及方法用于群集工具，群集工具可用于MOSFET装置制造，MOSFET装置包括NMOS及PMOS装置。群集工具包括处理腔室，用于预清洁、金属硅化物或金属锗化物膜形成、及表面保护操作，如覆盖和氮化作用。群集工具可包括被配置为形...

用于将导电膜施加至具有种晶层的基板上的电化学工艺包含把基板放入以与含钴或镍的电化学电镀浴接触，且电镀浴的pH为4.0至9.0。引导电流通过浴而至基板。浴中的钴或镍离子沉积至种晶层上。电镀浴可含氯化钴和甘氨酸。电流可为1

本文提供纳米孔流动池和纳米孔流动池的制造方法。在一个实施方式中，一种形成流动池的方法包括在第一基板上形成多层堆叠结构。多层堆叠结构的特征为设置在第一基板上的隔膜层和设置在隔膜层上的材料层，隔膜层具有穿过隔膜层形成的第一开口。方法进一步包...

在一些实施方式中，一种设备前端模块(EFEM)的侧储存舱装置包括：侧储存包壳，具有表面和开口，所述表面被配置为耦接到所述设备前端模块的主体的侧壁，所述开口被配置为接收来自所述设备前端模块的基板。所述EFEM进一步包括：侧储存腔室，位于所...

公开一种用于切割电子装置的方法和设备。在一个实施方式中，描述一种用于在基板上切割电子装置的设备，所述设备包括用于支撑基板的平台，基板上具有电子装置；固定在平台上方的位置中的聚焦离子束柱，所述聚焦离子束柱适于在相对于基板的主要表面的平面的...

一种用于基板处理腔室的射频(RF)滤波器系统，包含耦合至处理腔室的第一元件的第一RF滤波器，及耦合至处理腔室的第一元件的第二RF滤波器。RF滤波器的各者包含第一滤波器级，配置成拒绝第一频率；第二滤波器级，耦合至第一滤波器级且配置成拒绝第...

本案提供的实施方式提供用于检测、认证、及追踪处理部件的方法及装置，处理部件包括用在电子器件制造(诸如半导体芯片制造)的基板处理系统上的可消耗部件或非可消耗部件。本案中的半导体处理系统及/或半导体处理系统的处理部件包括远程通信器件(诸如无...

描述了一种用于沉积蒸发的材料的沉积源。所述沉积源(100)包括分配布置(110)，所述分配布置具有多个出口(111)以用于在主沉积方向(101)上提供蒸发的第一材料(A)和蒸发的第二材料(B)。另外，所述沉积源包括测量组件(120)，所...

本公开内容的实施例总体上涉及升降杆固持器、升降杆固持器组件、以及包含升降杆固持器和/或升降杆固持器组件的基板支撑件。在一个或多个实施例中，一种升降杆固持器包含：具有第一外径的顶盖；耦接到顶盖的基部，其中基部具有第二外径；轴向地穿过顶盖和...

描述了用来处理一个或多个晶片的装置及方法。所述装置包括：腔室，界定上内部区域及下内部区域。加热器组件位于下内部区域中的腔室主体底部上且界定工艺区域。晶片盒组件位在加热器组件内部，且电机被配置为将所述晶片盒组件从所述加热器组件内部的下工艺...

本文描述的实施例关于磁性和电磁系统以及用于控制PECVD腔室的处理空间中产生的等离子体的密度分布以影响膜的沉积分布的方法。在一个实施例中，多个固定架设置在磁性壳体系统的旋转磁性壳体中。所述多个固定架中的每个固定架设置在所述旋转磁性壳体中...