具有退火迷你环境的处理腔室制造技术

描述了用来处理一个或多个晶片的装置及方法。所述装置包括：腔室，界定上内部区域及下内部区域。加热器组件位于下内部区域中的腔室主体底部上且界定工艺区域。晶片盒组件位在加热器组件内部，且电机被配置为将所述晶片盒组件从所述加热器组件内部的下工艺区域移动到上内部区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有退火迷你环境的处理腔室
本公开内容总体上涉及处理晶片的装置及方法。详细而言，本公开内容涉及具有用于在高温及高压下将多个晶片退火的迷你环境的处理腔室。
技术介绍
退火腔室通常使用密封件来将腔室的内部与周围环境或其他的处理温度(例如在用于群集工具中时)隔离。由于密封件故障，常规的退火腔室不能在高于500℃的温度下操作。此外，高压退火(例如～70巴)与高温处理不相容，因为压力与温度的组合造成密封部件的故障。例如温度计、压力计、爆破盘、及动密封件的部件不能用于可用于蒸气退火的极端温度及压力。因此，本领域中需要在高温及高压下将基板退火的装置和方法。
技术实现思路
本公开内容的一个或多个实施例涉及处理腔室，所述处理腔室包括腔室主体，所述腔室主体具有顶部、侧壁、及底部，所述顶部、侧壁、及底部界定上内部区域及下内部区域。加热器组件在所述下内部区域中的所述腔室主体的底部上。所述加热器组件包括界定工艺区域的底部、侧壁、及顶部。晶片盒组件在所述加热器组件内部。电机被配置为将所述晶片盒组件从所述加热器组件内部的所述下内部区域移动到所述上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理腔室，包括：/n腔室主体，所述腔室主体具有顶部、侧壁、和底部，所述顶部、所述侧壁、和所述底部界定上内部区域和下内部区域；/n加热器组件，所述加热器组件在所述下内部区域中的所述腔室主体的底部上，所述加热器组件包括界定工艺区域的底部、侧壁、和顶部；/n晶片盒组件，所述晶片盒组件在所述加热器组件内部；以及/n电机，所述电机被配置为将所述晶片盒组件从所述加热器组件内部的所述下内部区域移动到所述上内部区域。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181028 US 62/751,6801.一种处理腔室，包括：
腔室主体，所述腔室主体具有顶部、侧壁、和底部，所述顶部、所述侧壁、和所述底部界定上内部区域和下内部区域；
加热器组件，所述加热器组件在所述下内部区域中的所述腔室主体的底部上，所述加热器组件包括界定工艺区域的底部、侧壁、和顶部；
晶片盒组件，所述晶片盒组件在所述加热器组件内部；以及
电机，所述电机被配置为将所述晶片盒组件从所述加热器组件内部的所述下内部区域移动到所述上内部区域。


2.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述加热器组件的所述侧壁具有双壁迷宫出口流动路径，以提供所述工艺区域与所述腔室主体的所述上内部区域之间的流体连通。


3.如权利要求2所述的处理腔室，进一步包括：蒸气注射端口，所述蒸气注射端口在所述腔室主体的所述底部和所述加热器组件的所述底部中，所述蒸气注射端口提供进入所述加热器组件的所述工艺区域中的流体路径。


4.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述加热器组件进一步包括：加热元件，所述加热元件与所述加热器组件的所述底部相邻。


5.如权利要求4所述的处理腔室，其中在所述加热器组件的所述底部附近存在多于一个的加热元件。


6.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述加热组件进一步包括：加热元件，所述加热元件在所述侧壁周围。


7.如权利要求6所述的处理腔室，其中所述加热元件位于所述加热组件的内部内。


8.如权利要求7所述的处理腔室，其中在所述工艺区域内的所述加热器组件的所述侧壁附近存在至少两个加热元...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·霍南，D·伯拉尼克，R·B·沃派特，J·伯拉尼克，C·卡尔森，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US