【技术实现步骤摘要】
使用外延生长的膜形成方法及外延生长装置本申请是申请日为2014年3月13日、母案申请号为：201480013791.X，分案申请号为201811583562.8、专利技术名称为“使用外延生长的膜形成方法及外延生长装置”的专利技术专利申请的再分案申请。
本专利技术涉及使用外延生长的膜形成方法及外延生长装置。
技术介绍
目前，已知作为通过使用外延生长而在基板上生长外延膜的外延生长装置的装置，该装置包括处理腔室及设置在处理腔室中及经配置以围绕旋转轴旋转基板的可旋转基板支撑件，在该装置中，将反应气体以平行于基板的方向引至基板，以在基板支撑件上的基板上形成膜。在该种外延生长装置中，目前需要提高生长速率。然而，例如将大量源气体纳入反应气体以便进一步提高生长速率则并非较佳方式，因为此导致膜形成成本增加或粒子数目增大。在外延生长中，当基板表面上的边界层厚度(在流动速率是反应气流的主流流动速率的99％的位置处)减小时，已知可预期生长速率的提高。另一方面，当边界层厚度仅减小时，形成其中反应气体向基板表面上基板的圆周边缘逸...
【技术保护点】
1.一种处理腔室中使用的下部侧壁，所述下部侧壁包括：/n环形主体，所述环形主体包括：/n内圆周；/n外圆周，所述外圆周与所述内圆周同心并且共用中心轴；和/n第一凹部，所述第一凹部形成在所述外圆周中，所述第一凹部进一步包括：/n多个沟槽，所述沟槽形成在所述第一凹部中并且通过所述环形主体与所述内圆周隔离，所述沟槽沿所述下部侧壁的圆周方向大体平行于所述中心轴布置，其中每个沟槽具有弯曲的横截面轮廓，并且所述多个沟槽的第一沟槽和所述多个沟槽的最后沟槽的所述横截面轮廓与所述中心轴径向对齐，其中所述多个沟槽连续形成于所述第一凹部中。/n
【技术特征摘要】
20130314 JP 2013-052479;20130703 US 13/934,7081.一种处理腔室中使用的下部侧壁，所述下部侧壁包括：
环形主体，所述环形主体包括：
内圆周；
外圆周，所述外圆周与所述内圆周同心并且共用中心轴；和
第一凹部，所述第一凹部形成在所述外圆周中，所述第一凹部进一步包括：
多个沟槽，所述沟槽形成在所述第一凹部中并且通过所述环形主体与所述内圆周隔离，所述沟槽沿所述下部侧壁的圆周方向大体平行于所述中心轴布置，其中每个沟槽具有弯曲的横截面轮廓，并且所述多个沟槽的第一沟槽和所述多个沟槽的最后沟槽的所述横截面轮廓与所述中心轴径向对齐，其中所述多个沟槽连续形成于所述第一凹部中。
2.如权利要求1所述的下部侧壁，进一步包括：
第二凹部，所述第二凹部形成于所述外圆周中，所述第二凹部形成为与所述第一凹部相对。
3.如权利要求2所述的下部侧壁，其中所述第二凹部进一步包括：
穿过所述第二凹部形成的多个净化孔。
4.如权利要求1所述的下部侧壁，其中每个沟槽在一宽度方向上弯曲以形成所述弯曲的横截面轮廓。
5.如权利要求1所述的下部侧壁，其中每个沟槽具有从1mm至5mm范围的深度。
6.如权利要求1所述的下部侧壁，其中所述多个沟槽向所述下部侧壁的...
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