一种碳化硅外延炉反应室制造技术

本发明专利技术公开了一种碳化硅外延炉反应室，包括石英管、第一密封法兰、第二密封法兰以及密封件，所述石英管外周设有水冷夹套且内部设有反应装置，所述第一密封法兰套设于所述石英管外周并与所述水冷夹套抵接，所述第二密封法兰与所述第一密封法兰相连，所述密封件夹设于第一密封法兰与第二密封法兰之间，所述第二密封法兰内设有隔热筒，所述隔热筒端部与所述反应装置抵接。本发明专利技术具有结构简单、可靠，有利于防止密封圈高温失效等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅外延炉反应室
本专利技术涉及半导体制造设备，尤其涉及一种碳化硅外延炉反应室。
技术介绍
SiC(碳化硅)作为第三代新型宽禁带半导体材料的代表，由于具有十分出色的物理、化学和电性能特性，使其在功率半导体器件领域，特别是大功率、高电压和一些特殊环境，例如高温、高辐射等环境中有着非常重要的地位和良好的应用前景。制备SiC外延片的方法较多，目前最为主流的方法是化学气相沉积法(CVD)，即在高温低压环境下，工艺气体裂解生成的C、Si原子在衬底上重新生成SiC。为了实现快速同质外延，获得大厚度SiC外延片，往往要求反应温度高达1650℃左右、反应气氛压力维持在低压50mbar以下。为了避免密封反应室的密封圈受高温失效，通常SiC外延炉反应室外为带水冷夹层的石英管，但由于石英管水冷夹层受力易破裂，故石英管的水冷夹层无法延伸至密封圈处，导致石英管尾气端的密封圈处仍持续接受着内部高温气体所传来的热量而发生失效现象，一旦密封圈失效，就无法继续维持反应室的低压环境，导致工艺条件被破坏而无法获得优质外延片，并且反应室内的危险性工艺气体将释放出来对周围本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅外延炉反应室，其特征在于：包括石英管(1)、第一密封法兰(2)、第二密封法兰(3)以及密封件(4)，所述石英管(1)外周设有水冷夹套(11)且内部设有反应装置(12)，所述第一密封法兰(2)套设于所述石英管(1)外周并与所述水冷夹套(11)抵接，所述第二密封法兰(3)与所述第一密封法兰(2)相连，所述密封件(4)夹设于第一密封法兰(2)与第二密封法兰(3)之间，所述第二密封法兰(3)内设有隔热筒(31)，所述隔热筒(31)端部与所述反应装置(12)抵接。/n

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅外延炉反应室，其特征在于：包括石英管(1)、第一密封法兰(2)、第二密封法兰(3)以及密封件(4)，所述石英管(1)外周设有水冷夹套(11)且内部设有反应装置(12)，所述第一密封法兰(2)套设于所述石英管(1)外周并与所述水冷夹套(11)抵接，所述第二密封法兰(3)与所述第一密封法兰(2)相连，所述密封件(4)夹设于第一密封法兰(2)与第二密封法兰(3)之间，所述第二密封法兰(3)内设有隔热筒(31)，所述隔热筒(31)端部与所述反应装置(12)抵接。


2.根据权利要求1所述的碳化硅外延炉反应室，其特征在于：所述隔热筒(31)内设有环形石墨碳毡(5)，所述密封件(4)位于所述环形石墨碳毡(5)的外周。


3.根据权利要求2所述的碳化硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：巴赛，胡凡，陈国钦，袁祖浩，巩小亮，林伯奇，龙长林，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十八研究所，
类型：发明
国别省市：湖南;43