边缘环的温度及偏压控制制造技术

本文描述的实施例提供了用于在等离子体辅助处理基板期间控制毗邻基板的圆周边缘的处理结果分布的方法和设备。在一实施例中，基板支撑组件具有第一底板和围绕第一底板的第二底板的特征。第一底板和第二底板均具有设置在其中的一个或更多个相应的第一冷却和第二冷却。基板支撑组件的特征进一步具有设置在第一底板上并与第一底板热耦合的基板支撑件以及设置在第二底板上并与第二底板热耦合的偏压环。在此，基板支撑件和偏压环均由介电材料形成。基板支撑组件进一步包括：边缘环偏置电极，其嵌入偏压环的介电材料中；以及边缘环，其设置在偏压环上。设置在偏压环上。设置在偏压环上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】边缘环的温度及偏压控制


[0001]本文所述的实施例大体上涉及半导体装置的制造，且具体来说涉及在等离子体增强处理基板期间用于控制基板的圆周边缘处及毗邻该圆周边缘的处理轮廓的方法和设备。

技术介绍

[0002]在高密度集成电路的制造中，等离子体辅助蚀刻处理是公知且常用的记录处理(POR)，其通过在基板中形成开口来图案化此基板的材料层。在典型的等离子体辅助蚀刻处理中，将基板定位在设置在处理腔室中的基板支撑件上，并在其上方形成等离子体。接着，将来自等离子体的离子加速朝向基板以及在基板上设置的掩模层中形成的开口，以蚀刻与在掩模表面下面设置的材料层中的掩模层开口相对应的开口。
[0003]通常，基板支撑件是基板支撑组件的一部分，基板支撑组件进一步包括环形环(本文中为边缘环)，环形环设置在基板支撑件上毗邻其圆周。边缘环围绕基板并保护基板支撑件的介电材料免受等离子体所造成的腐蚀。不幸的是，在基板的边缘和毗邻其设置的边缘环的部分之间的电和热的不连续会导致在基板边缘处的不期望的处理结果变化。在等离子体辅助蚀刻处理中，不期望的处理结果变化包括与从基板边缘或本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板支撑组件，包括：第一底板，该第一底板具有设置在其中的一个或更多个第一冷却通道；第二底板，该第二底板围绕所述第一底板，所述第二底板具有设置在其中的一个或更多个第二冷却通道；基板支撑件，该基板支撑件设置在所述第一底板上并与所述第一底板热耦合；偏压环，该偏压环设置在所述第二底板上并与所述第二底板热耦合，其中所述偏压环由介电材料形成；边缘环偏置电极，该边缘环偏置电极嵌入所述偏压环的所述介电材料中；以及边缘环，该边缘环设置在所述偏压环上。2.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述第二底板通过介于所述第二底板和所述第一底板之间的第一绝缘体环与所述第一底板热绝缘。3.如权利要求2所述的基板支撑组件，其中所述偏压环通过介于所述偏压环和所述基板支撑件之间的第二绝缘体环与所述基板支撑件热绝缘。4.如权利要求1所述的基板支撑组件，进一步包括用于加热所述基板支撑件的第一加热器和用于加热所述边缘环的第二加热器。5.如权利要求4所述的基板支撑组件，其中所述第二加热器设置在所述偏压环与所述第二底板之间。6.如权利要求4所述的基板支撑组件，其中所述第二加热器嵌入在所述偏压环的所述介电材料中。7.一种处理基板的方法，包括：将基板支撑组件的基板支撑件加热至第一温度；将围绕所述基板支撑件的边缘环加热到第二温度；将所述基板定位在所述基板支撑件上，其中所述基板支撑组件设置在处理腔室的处理容积中，且所述基板支撑组件包括：第一底板，该第一底板具有设置在其中的一个或更多个第一冷却通道；第二底板，该第二底板围绕所述第一底板，所述第二底板具有设置在其中的一个或更多个第二冷却通道；所述基板支撑件，该基板支撑件设置在所述第一底板上并与所述第一底板热耦合；偏压环，该偏压环设置在所述第二底板上并与该第二底板热耦合，其中所述偏压环由介电材料形成；边缘环偏置电极，嵌入所述偏压环的所述介电材料中；以及所述边缘环，设置在所述偏压环上；使处理气体流入所述处理容积中；点燃并维持所述处理气体的等离子体；使用第一偏置电压给所述基...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：