碳膜的选择性沉积及其使用制造技术

讨论了沉积碳膜的方法。一些实施例相较于介电表面，在金属表面上选择性地沉积碳膜。一些实施例相较于介电表面，在金属表面上选择性地形成碳柱。一些实施例在形成自对准通孔时利用碳柱。用碳柱。用碳柱。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】碳膜的选择性沉积及其使用


[0001]本公开内容的实施例总体上涉及用于选择性地沉积碳膜的方法和材料。本公开内容的一些实施例涉及用于形成碳柱的方法。本公开内容的一些实施例涉及用于形成自对准通孔的方法。

技术介绍

[0002]半导体产业在追求设备小型化方面面临许多挑战，其中涉及纳米尺度特征的快速缩放。这些问题包括引入复杂的制造步骤(诸如多个平版印刷步骤)和整合高效能材料。为了保持设备小型化的节奏，选择性沉积已示出希望，因为它有可能通过简化整合方案来消除昂贵的平版印刷步骤。
[0003]可以多种方式实现材料的选择性沉积。化学前驱物可相对于另一表面(金属或介电质)与一个表面选择性地反应。可调节工艺参数(诸如压力、基板温度、前驱物分压和/或气流)，以调节特定表面反应的化学动力学。另一种可能的方案涉及表面预处置，表面预处置可用以活化(activate)或失活(deactivate)进入的膜沉积前驱物的所关注表面。
[0004]因此，在本领域中存在有选择性沉积膜的方法的持续需求。更具体地说，存在有选择性沉积碳膜的方法的需求。
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种选择性沉积碳膜的方法，所述方法包括：提供包括第一材料和第二材料的基板，第一材料具有暴露的第一材料表面，所述第二材料具有暴露的第二材料表面，所述第一材料包括金属；以及将所述基板暴露于碳前驱物以形成在所述暴露的第一材料表面上具有第一厚度且在所述暴露的第二材料表面上具有第二厚度的碳膜，所述第一厚度大于所述第二厚度。2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一材料包括基本上纯的金属或金属合金。3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一材料包括金属氮化物、金属碳化物、金属硅化物、金属氧化物、金属硫化物、金属硒化物、金属碲化物或它们的组合。4.如权利要求1所述的方法，其中所述第二材料包括介电材料。5.如权利要求1所述的方法，其中所述碳前驱物进一步包括氢气、氮气或氩气。6.一种形成碳柱的方法，所述方法包括：提供包括第一含金属材料和第二介电材料的基板，所述第一含金属材料具有带第一尺寸的暴露的第一表面，所述第二介电材料具有暴露的第二表面，所述暴露的第一表面和所述暴露的第二表面形成基板表面；以及将所述基板暴露于碳前驱物以在所述暴露的第一表面上形成包括碳材料的碳柱，所述碳柱和所述暴露的第一表面具有相同的第一尺寸。7.如权利要求6所述的方法，其中所述第一含金属的材料包括钴。8.如权利要求6所述的方法，其中所述碳前驱物包括至少一个不饱和键。9.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：