半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。能够提高选择生长中的选择性。半导体器件的制造方法具有下述工序：(a)向在表面露出第1基底和第2基底的衬底供给含烃基气体，将第1基底的表面以用烃基封端的方式进行改性的工序；和(b)向使第1基底的表面改性后的衬底供给含氧及氢气体，选择性地在第2基底的表面形成膜的工序。底的表面形成膜的工序。底的表面形成膜的工序。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质


[0001]本专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。

技术介绍

[0002]作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时选择性地在衬底的表面露出的多种基底中的特定的基底的表面生长并形成膜的处理(以下，也将该处理称为选择生长或选择成膜)(例如，参见专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2013
‑
243193号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的课题
[0007]本专利技术的目的在于提供能够提高上述选择生长中的选择性的技术。
[0008]用于解决课题的手段
[0009]本专利技术的一方案提供进行下述工序的技术：
[0010](a)向在表面露出第1基底和第2基底的衬底供给含烃基气体，将所述第1基底的表面以用烃基封端的方式进行改性的工序；和
[0011](b)向使所述第1基底的表面改性后的所述衬底供给含氧及氢气体，选择性地在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.半导体器件的制造方法，其具有下述工序：(a)向在表面露出第1基底和第2基底的衬底供给含烃基气体，将所述第1基底的表面以用烃基封端的方式进行改性的工序；和(b)向使所述第1基底的表面改性后的所述衬底供给含氧及氢气体，选择性地在所述第2基底的表面形成膜的工序。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，进一步地，向所述衬底供给催化剂。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，进一步地，向所述衬底供给含硅及卤素气体。4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，将非同时地进行下述工序的循环进行规定次数：向所述衬底供给含硅及卤素气体和催化剂的工序；和向所述衬底供给所述含氧及氢气体和催化剂的工序。5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，将(b)中的所述衬底的温度设为(a)中的所述衬底的温度以下。6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，使(b)中的所述衬底的温度低于(a)中的所述衬底的温度。7.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，通过以提高(b)中的所述衬底的温度的方式进行调节，从而以将选择性提高的方式进行控制。8.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，通过以提高(b)中的所述衬底的温度的方式进行调节，从而以使得膜的形成速率降低的方式进行控制。9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，还具有下述工序：(c)向选择性地在所述第2基底的表面形成膜后的所述衬底供给氧化剂或自由基，将对所述第1基底的表面进行封端的烃基除去的工序。10.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，还具有下述工序：(c)将选择性地在所述第2基底的表面形成膜后的所述衬底的温度设为(b)中的所述衬底的温度以上，将对所述第1基底的表面进行封端的烃基除去的工序。11.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，还具有下述工序：(c)使选择性地在所述第2基底的表面形成膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：早稻田崇之，中川崇，中谷公彦，出贝求，伊崎贵生，桥本良知，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：