半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。能够提高选择生长中的选择性。半导体器件的制造方法具有下述工序：(a)向在表面露出第1基底和第2基底的衬底供给含烃基气体，将第1基底的表面以用烃基封端的方式进行改性的工序；和(b)向使第1基底的表面改性后的衬底供给含氧及氢气体，选择性地在第2基底的表面形成膜的工序。底的表面形成膜的工序。底的表面形成膜的工序。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质


[0001]本专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。

技术介绍

[0002]作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时选择性地在衬底的表面露出的多种基底中的特定的基底的表面生长并形成膜的处理(以下，也将该处理称为选择生长或选择成膜)(例如，参见专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2013
‑
243193号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的课题
[0007]本专利技术的目的在于提供能够提高上述选择生长中的选择性的技术。
[0008]用于解决课题的手段
[0009]本专利技术的一方案提供进行下述工序的技术：
[0010](a)向在表面露出第1基底和第2基底的衬底供给含烃基气体，将所述第1基底的表面以用烃基封端的方式进行改性的工序；和
[0011](b)向使所述第1基底的表面改性后的所述衬底供给含氧及氢气体，选择性地在所述第2基底的表面上形成膜的工序。
[0012]专利技术效果
[0013]根据本专利技术，能够提高上述选择生长中的选择性。
附图说明
[0014]图1是在本专利技术的一个方式中优选使用的衬底处理装置的纵型处理炉的概略构成图，是以纵剖视图示出处理炉202部分的图。
[0015]图2是在本专利技术的一个方式中优选使用的衬底处理装置的纵型处理炉的概略构成图，是以图1的A
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A线剖视图示出处理炉202部分的图。
[0016]图3是在本专利技术的一个方式中优选使用的衬底处理装置的控制器121的概略构成图，是以框图示出控制器121的控制系统的图。
[0017]图4是示出本专利技术的一个方式的选择生长中的处理时序的图。
[0018]图5的(a)是示出DMATMS的化学结构式的图；图5的(b)是示出具有三烷基甲硅烷基及氨基的含烃基气体的化学结构式的图；图5的(c)是示出具有二烷基甲硅烷基及氨基的含烃基气体的化学结构式的图。
[0019]图6的(a)是含有氧化硅膜的基底200a及含有氮化硅膜的基底200b分别在表面露出的晶片200的表面处的剖面局部放大图；图6的(b)是通过供给含烃基气体，从而用烃基对
基底200a的表面进行封端以使之改性后的晶片200的表面处的剖面局部放大图；图6的(c)是通过供给含硅及卤素气体，从而在基底200b的表面选择性地形成含有硅及碳的第1层后的晶片200的表面处的剖面局部放大图；图6的(d)是通过供给含氧及氢气体，从而使在基底200b的表面选择性地形成的第1层氧化，以改性成含有硅、氧及碳的第2层后的晶片200的表面处的剖面局部放大图；图6的(e)是在基底200b的表面选择性地形成碳氧化硅膜后的晶片200的表面处的剖面局部放大图；图6的(f)是通过对图6的(e)中示出的晶片200进行后处理，从而将对基底200a的表面进行封端的烃基从基底200a的表面除去后的晶片200的表面处的剖面局部放大图。
[0020]图7是示出在晶片的表面露出的各种基底的表面形成的碳氧化硅膜的厚度的测定结果的图。
具体实施方式
[0021]＜本专利技术的一个方式＞
[0022]以下，主要参照图1～图4对本专利技术的一个方式进行说明。
[0023](1)衬底处理装置的构成
[0024]如图1所示，处理炉202具有作为温度调节器(加热部)的加热器207。加热器207为圆筒形状，通过支承在保持板上而垂直安装。加热器207也作为通过热而使气体活化(激发)的活化机构(激发部)发挥作用。
[0025]在加热器207的内侧以与加热器207呈同心圆状地配置有反应管203。反应管203由例如石英(SiO2)或碳化硅(SiC)等耐热性材料构成，形成为上端闭塞且下端开口的圆筒形状。在反应管203的下方，以与反应管203同心圆状地配置有歧管209。歧管209由例如不锈钢(SUS)等金属材料构成，形成为上端及下端开口的圆筒形状。歧管209的上端部与反应管203的下端部卡合，以支承反应管203的方式构成。在歧管209与反应管203之间设有作为密封部件的O型圈220a。反应管203与加热器207同样地垂直安装。主要由反应管203和歧管209构成处理容器(反应容器)。在处理容器的筒中空部形成处理室201。处理室201以能够收容作为衬底的晶片200的方式构成。在该处理室201内进行针对晶片200的处理。
[0026]在处理室201内以贯通歧管209的侧壁的方式分别设有作为第1至第3供给部的喷嘴249a至249c。也将喷嘴249a至249c分别称为第1至第3喷嘴。喷嘴249a至249c由例如石英或SiC等耐热性材料构成。在喷嘴249a至249c上分别连接有气体供给管232a至232c。喷嘴249a至249c为互不相同的喷嘴，喷嘴249a、249c分别与喷嘴249b邻接设置。
[0027]在气体供给管232a至232c上，从气流的上游侧起依次分别设有作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)241a至241c及作为开闭阀的阀243a至243c。在气体供给管232a的与阀243a相比的下游侧，分别连接有气体供给管232d、232e。在气体供给管232b、232c的与阀243b、243c相比的下游侧分别连接有气体供给管232f、232g。在气体供给管232d至232g上，从气流的上游侧起依次分别设有MFC241d至241g及阀243d至243g。气体供给管232a至232g由例如SUS等金属材料构成。
[0028]如图2所示，喷嘴249a至249c分别从反应管203的内壁的下部沿着上部以朝向晶片200的排列方向上方立起的方式，设置在反应管203的内壁与晶片200之间的俯视下为圆环状的空间。即，喷嘴249a至249c以沿着晶片排列区域的方式分别设置在供晶片200排列的晶
片排列区域的侧方的、水平包围晶片排列区域的区域中。在俯视观察时，喷嘴249b以隔着搬入处理室201内的晶片200的中心而与后述的排气口231a在一条直线上对置的方式配置。喷嘴249a、249c以沿着反应管203的内壁(晶片200的外周部)将从喷嘴249b与排气口231a的中心通过的直线L从两侧夹持的方式配置。直线L也是通过喷嘴249b与晶片200的中心的直线。即，喷嘴249c也可以夹着直线L而设置在与喷嘴249a相反一侧。喷嘴249a、249c以直线L为对称轴线对称地配置。在喷嘴249a至249c的侧面，分别设有供给气体的气体供给孔250a至250c。气体供给孔250a至250c分别以在俯视观察时与排气口231a对置(面对)的方式开口，能够向晶片200供给气体。气体供给孔250a至250c在反应管203的从下部到上部的范围内设有多个。
[0029]作为表面改性气体，从气体供给管232a经由MFC241a、阀243a、喷嘴249a向处理室201内供给含本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.半导体器件的制造方法，其具有下述工序：(a)向在表面露出第1基底和第2基底的衬底供给含烃基气体，将所述第1基底的表面以用烃基封端的方式进行改性的工序；和(b)向使所述第1基底的表面改性后的所述衬底供给含氧及氢气体，选择性地在所述第2基底的表面形成膜的工序。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，进一步地，向所述衬底供给催化剂。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，进一步地，向所述衬底供给含硅及卤素气体。4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，将非同时地进行下述工序的循环进行规定次数：向所述衬底供给含硅及卤素气体和催化剂的工序；和向所述衬底供给所述含氧及氢气体和催化剂的工序。5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，将(b)中的所述衬底的温度设为(a)中的所述衬底的温度以下。6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，使(b)中的所述衬底的温度低于(a)中的所述衬底的温度。7.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，通过以提高(b)中的所述衬底的温度的方式进行调节，从而以将选择性提高的方式进行控制。8.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，通过以提高(b)中的所述衬底的温度的方式进行调节，从而以使得膜的形成速率降低的方式进行控制。9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，还具有下述工序：(c)向选择性地在所述第2基底的表面形成膜后的所述衬底供给氧化剂或自由基，将对所述第1基底的表面进行封端的烃基除去的工序。10.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，还具有下述工序：(c)将选择性地在所述第2基底的表面形成膜后的所述衬底的温度设为(b)中的所述衬底的温度以上，将对所述第1基底的表面进行封端的烃基除去的工序。11.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，还具有下述工序：(c)使选择性地在所述第2基底的表面形成膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：早稻田崇之，中川崇，中谷公彦，出贝求，伊崎贵生，桥本良知，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：