基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法、气体供给系统以及气体供给程序制造方法及图纸

具备：(a)一对喷射装置，其分别向基板供给成膜用气体；(b)一对罐，其与所述一对喷射装置中的各个喷射装置连接并蓄积所述气体；(c)一对开闭阀，其分别控制相互对应的所述喷射装置与所述罐之间的所述气体的流体连通；(d)一对压力计，其测定蓄积所述气体过程中的所述一对罐各自的内部的压力；(e)一对流量限制器，其以为了形成作为所述气体的目标量的基准蓄积量而预先设定的设定流量，向所述一对罐分别供给所述气体；(f)控制部，其构成为能够在所述一对罐中的一个罐，通过所述开闭阀控制流体连通并蓄积所述气体，通过所述压力计测定蓄积所述气体过程中的所述一个罐的内部的压力，计算向所述一个罐的所述气体的累计流量或所述一个罐的蓄积量，基于测定出的所述压力和计算出的所述累计流量或所述蓄积量，将所述设定流量校正为接近所述基准蓄积量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法、气体供给系统以及气体供给程序。

技术介绍

1、以往，作为基板处理装置的一例，已知有制造半导体装置的半导体制造装置。作为半导体制造装置的一例，在日本特开2011-165959号公报中公开了在将多个基板沿上下方向保持为多层的状态下进行处理的立式的半导体制造装置。在立式的半导体制造装置中，作为基板处理，能够进行在基板的表面上形成预定的膜的成膜处理。

2、另外，在国际公开第2018/181603号公报中公开了一种搭载在基板的半导体元件与基板的间隙被液态的环氧树脂组合物密封的半导体装置。另外，在日本特开2016-72260号公报、日本特开2020-188237号公报、日本再公表专利第2020-008682号以及日本特开2022-52622号公报中公开了使用两个气体供给系统向基板供给原料气体、惰性气体的技术。

3、专利文献1：日本特开2011-165959号公报

4、专利文献2：国际公开第2018/181603号公报

5、专利文献3：日本特开2016-72260本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

8.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其特征在于，

9.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其特征在于，

10.根据权利要求8...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

8.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其特征在于，

9.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其特征在于，

10.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，

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【专利技术属性】
技术研发人员：本田刚一，押田胜次，白子贤治，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：