一种防止氧硅基底损伤的PI结构片的刻蚀方法技术

本发明专利技术属于半导体技术领域，具体涉及一种防止氧硅基底损伤的PI结构片的刻蚀方法。本发明专利技术对PI结构片刻蚀时前期使用F基气体进行主刻蚀，利用OES装置抓取到PI薄膜厚度仅剩10%时，将工艺气体由F基气体切换为O2，由于O2可以与PI薄膜及PR薄膜发生燃烧反应，但与氧硅基底基本无反应，所以当工艺气体由F基气体切换为O2进行刻蚀时，PI薄膜：氧硅基底的选择比极大，可以在保证PI薄膜剩余10%H完成刻蚀的同时，不对氧硅基底进行损伤，从而保证PI结构片具有完美形貌的情况下，氧硅基底过刻极少甚至无过刻的目的，成功解决了PI结构片底层氧硅基底的过刻问题，同时也能解决微沟槽形貌问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，具体涉及一种防止氧硅基底损伤的pi结构片的刻蚀方法。

技术介绍

1、5g通讯技术的问世、发展，都对半导体行业刻蚀的cd（critical dimension，简称cd，特征尺寸）线宽、刻蚀角度、深宽比等提出了更高的要求，而这些形貌特征的刻蚀研究都是通过pi（polyimide，简称pi，聚酰亚胺）结构片的刻蚀来完成的。

2、pi结构片是由氧硅基底、pi薄膜以及pr（photo resist，简称pr，光敏树脂）薄膜组成的，氧硅基底作为基底位于最下层，第二层为pi薄膜，最上层为pr薄膜，其中，pr薄膜是经过光刻显影的，使pi结构片具备了一定的结构。其中，pi薄膜及pr薄膜的成分都是碳氢化合物，分子组成相似，选择比近似1：1，所以在对pi结构片进行刻蚀时，需要足够厚的pr薄膜，以维持pr薄膜的掩膜图案。

3、目前pi结构片的主流刻蚀方法是以f基气体为基础进行刻蚀的，这会存在很大的问题：f基气体会造成氧硅基底的过刻。这是因为f基气体不仅对pi薄膜及pr薄膜有较好的刻蚀效果，同时对氧硅基底也保持着较好的刻蚀性能。这也就本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种防止氧硅基底损伤的PI结构片的刻蚀方法，所述PI结构片从上至下依次包括PR薄膜、PI薄膜和氧硅基底，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的防止氧硅基底损伤的PI结构片的刻蚀方法，其特征在于，步骤S1中，所述F基气体来源于CF4、CHF3及C4F8中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的防止氧硅基底损伤的PI结构片的刻蚀方法，其特征在于，步骤S1中，所述F基气体的体积流量为60-100sccm。

4.根据权利要求1所述的防止氧硅基底损伤的PI结构片的刻蚀方法，其特征在于，步骤S1中，所述辅助气体包括Ar，Ar的体积流量为10-40...

【技术特征摘要】

1.一种防止氧硅基底损伤的pi结构片的刻蚀方法，所述pi结构片从上至下依次包括pr薄膜、pi薄膜和氧硅基底，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的防止氧硅基底损伤的pi结构片的刻蚀方法，其特征在于，步骤s1中，所述f基气体来源于cf4、chf3及c4f8中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的防止氧硅基底损伤的pi结构片的刻蚀方法，其特征在于，步骤s1中，所述f基气体的体积流量为60-100sccm。

4.根据权利要求1所述的防止氧硅基底损伤的pi结构片的刻蚀方法，其特征在于，步骤s1中，所述辅助气体包括ar，ar的体积流量为10-40sccm。

5.根据权利要求4所述的防止氧硅基底损伤的pi结构片的刻蚀方法，其特征在于，步骤s1中，所述辅助气体还包括o2或n2，o2的体积流量为10-20sccm，n2的体积流量为10-30sccm。

6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜思昌，俞铭熙，王兆丰，王世宽，
申请(专利权)人：无锡尚积半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：