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本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种防止氧硅基底损伤的PI结构片的刻蚀方法。本发明对PI结构片刻蚀时前期使用F基气体进行主刻蚀，利用OES装置抓取到PI薄膜厚度仅剩10%时，将工艺气体由F基气体切换为O2，由于O2可以与PI薄膜及PR薄膜...
该专利属于无锡尚积半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡尚积半导体科技股份有限公司授权不得商用。

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