本发明公开了一种半导体结构、MOSFET存储单元阵列及该阵列的形成方法，该半导体结构具有：一MOSFET；及一衬底，其容置所述MOSFET。所述MOSFET在所述衬底中具有一栅极、一源极及一漏极。围绕所述MOSFET的一第一衬底区域以应...

本发明公开了一种双极性结晶体管及其操作方法与制造方法。双极性结晶体管包括一第一掺杂区、一第二掺杂区与一第三掺杂区；第一掺杂区具有一第一导电型；第二掺杂区包括形成于第一掺杂区中的多个阱区；阱区具有相反于第一导电型的一第二导电型；阱区通过第...

本发明公开了一种半导体复合层结构及具有其的半导体封装结构，该半导体复合层结构设置于具有一电路结构及一第一导电层的一衬底上，半导体复合层结构包括多个介电层、第一浸润层、坚硬层及第二浸润层；此些介电层彼此间隔地设置于衬底上；第一浸润层设置于...

本发明公开了一种具稳定阻值及张应力的半导体装置元件及其制作方法，以集成电路方法制作的半导体装置元件中提供具有张应力的多晶硅薄膜，且其具有稳定的电阻率和较少的变异性。制造这样的多晶硅薄膜的方法包括在半导体装置元件退火之前，施行保护薄膜或薄...

本发明公开了一种存储器电路及其操作方法，该存储器电路包含耦接至一存储器阵列的多个地址线，其中包括在一擦除操作中被取消选取的一具有一个或多个地址线的第一组地址线，以及在该擦除操作中被选取的一具有一个或多个地址线的第二组地址线。该控制电路耦...

本发明公开了一种非易失性存储器装置及其操作方法，该存储器装置，包含非易失性电荷陷获存储器单元的一阵列，用以使用多个临界状态来储存多个数据值于该阵列中的这些存储器单元，其中这些临界状态包含一其最低临界值超过一选定的读取偏压的一较高临界状态...

本发明公开了一种低导通电阻的半导体装置，该半导体装置具有由邻近于厚介电层的薄介电层所定义的双介电层结构；特别地，提供具有包括邻近于薄氧化/厚氧化层的薄栅极氧化层的双栅极氧化层结构的高电压金属氧化物半导体晶体管；这样的结构可用于延伸漏极金...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，该制造方法包括以下步骤：形成一第一栅结构于一第一区域中的一衬底上；衬底包括邻近的第一半导体层与第二半导体层；形成保护层覆盖第一栅结构；形成一隔离结构在第一半导体层的一侧壁与第二半导体层的一侧壁之间...

本发明公开了一种用于三维装置的镶嵌式导体的半导体装置及其形成方法，该方法沉积一内衬在多个间隔开的有源层叠层之上；一绝缘材料形成于内衬之上、多个间隔开的叠层之上和之间；绝缘材料内的多个沟道交错排列在多个间隔开的有源条叠层之上，在有源条叠层...

本发明提供了一种半导体装置与其制造方法。该半导体装置包括：一半导体层；一氧化层，形成于该半导体层上，该氧化层包括一凹部，该凹部位于朝向该半导体层的一垂直方向上；以及一多晶硅遮蔽层，形成于该氧化层的凹部中，该多晶硅遮蔽层包括一接口，该接口...

本发明公开了一种存储器装置及其操作方法。储存数据以及ECCs的非易失性存储器阵列包括错误校正逻辑；读取数据集通过执行迭代读取偏压而感测数据、在所感测数据中产生错误指示等的迭代；第一迭代使用第一读取偏压；如果在当前迭代中的指示小于一临界值...

本发明公开了一种半导体装置、制作该半导体装置的方法及使用的掩模，该半导体装置包括至少一第二场区，包括一主晶粒阵列，每一晶粒具有一高度Y1以及一宽度X1，且该主晶粒阵列具有一高度Y3；该半导体装置更可包括至少一第一场区，包括具有一高度Y2...

本发明公开了一种存储器及其操作方法，该操作存储器的方法包含：将一第一存储器单元的状态设置在表示一第一数据的一第一状态和将一第二存储器单元的状态设置在表示该第一数据的一第二状态。如果该第二存储器单元的状态已改变至一代表不同于该第一数据的一...

本发明公开了一种用于内建错误更正的储存装置及其操作方法，该装置包括一存储器阵列，其储存一数据以及对应于该数据的多个错误更正码、一数据路径、一多层缓冲结构，其位于该存储器阵列与该I/O数据路径之间。存储器阵列包括用于分页模式运作的多个数据...

本发明公开了一种存储器维修装置及其应用方法，该集成电路包括一被配置成多个列，多个主要行的存储器单元阵列，以及多个用以维修阵列中的瑕疵的备援行。主要行及备援行又被划分成列区块。位线耦接主要行至用以显示被备援行修复的瑕疵行的维修状态存储器。...

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括一衬底、一叠层结构和一晶体管；衬底包括一第一部分和一第二部分；叠层结构是被形成在衬底的第一区域上方；具有一栅极的晶体管结构形成在第二区域；栅极结构的一底部是被配置于距离该衬底的一高...

本发明公开了一种具有增强的接触区的三维集成电路装置，该装置包括具有一凹槽的一基板，凹槽具有一底部及多侧，且从基板的上表面延伸进入基板中。这些侧包括彼此横向被配置的第一侧与第二侧。一叠层体包括交替叠层的有源层及绝缘层覆盖在基板的表面与凹槽...

本发明是有关于一种半导体元件及其制造方法，可使半导体元件周边区域的浅沟槽隔离结构减少边缘薄化的情形。使半导体元件在周边区域的一浅沟槽隔离结构的一转角可能实质上没有任何的边缘薄化。

本发明公开了一种集成电路的构件的制造方法及利用此方法制作的元件，该集成电路的构件的制造方法包括以下步骤：形成一第一有源元件于一衬底上，第一有源元件包括一金属，金属具有一金属表面；沉积一感光材料于金属表面；曝露感光材料于辐射光线中，诱导在...

本发明公开了一种存储器装置及在存储器装置中降低读取操作下位线上耦合噪声的方法。存储器装置包括由耦接至位线上的多个存储单元所组成的区块。本方法包括对位线预充电位到一第一电位VPRE。本方法包括电流可以透过位线上的选定存储单元导通至一个或多...