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TCL集团股份有限公司专利技术
TCL集团股份有限公司共有3757项专利
量子点发光二极管及其制备方法技术
本发明涉及量子点发光二极管技术领域,具体提供一种量子点发光二极管的制备方法。该制备方法包括:提供量子点发光二极管半成品结构;将所述量子点发光二极管半成品结构置于含有无机酸、有机羧酸或有机碱中的任一种的溶液中进行浸泡处理;所述量子点发光二...
量子点发光二极管的制备方法技术
本发明提供了一种量子点发光二极管的制备方法,包括以下步骤:提供基板,将所述基板置于含有活性气体的惰性气氛中,在所述基板表面打印量子点墨水,制备量子点发光层。本发明提供的量子点发光二极管的制备方法,改变喷墨打印成膜氛围,在含有活性气体的惰...
量子点发光二极管及其制备方法技术
本发明提供了一种量子点发光二极管的制备方法,包括以下步骤:提供设置有底电极的基板,在所基板上制备量子点发光层;在所述量子点发光层表面沉积第一化合物溶液后,进行光照处理,其中,所述第一化合物为经光照处理后能光解为离子的化合物。
量子点发光二极管的制备方法及量子点墨水技术
本发明提供了一种量子点发光二极管的制备方法,包括:提供量子点墨水,所述量子点墨水包括溶剂体系和分散在溶剂体系中的量子点,其中,所述溶剂体系包括非极性溶剂和掺杂化合物;提供阴极基板或阳极基板,在所述阴极基板或所述阳极基板上沉积所述量子点墨...
石墨烯量子点薄膜的制备方法和发光二极管及其制备方法技术
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种石墨烯量子点薄膜的制备方法和发光二极管及其制备方法。该石墨烯量子点薄膜的制备方法,包括如下步骤:提供石墨烯量子点溶液,将石墨烯量子点溶液与处理剂混合处理,所述处理剂为氧化剂或还原剂,处理时间为10s~...
量子点发光二极管的制备方法技术
本发明提供了一种量子点发光二极管的制备方法,包括以下步骤:提供设置有底电极的基板,在所述底电极上制备量子点发光层;在所述量子点发光层表面沉积溶液,静置至所述量子点发光层浸润后进行干燥处理,所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质,...
一种复合薄膜、量子点发光二极管及其制备方法技术
本发明公开一种复合薄膜、量子点发光二极管及其制备方法,所述复合薄膜包括:石墨烯量子点薄膜和烷基硅烷,所述石墨烯量子点薄膜表面具有含氧基团,所述烷基硅烷与所述含氧基团结合。本发明通过在石墨烯量子点薄膜表面连接烷基硅烷,可达到调节石墨烯量子...
量子点发光二极管及其制备方法技术
本发明提供了一种量子点发光二极管,包括相对设置的阴极和阳极,在所述阴极和所述阳极之间设置的量子点发光层,设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的叠层,所述叠层包括第一金属氧化物纳米颗粒层以及设置在所述第一金属氧化物纳米颗粒层背离所述量子点...
量子点发光二极管及其制备方法技术
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管,包括阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层,所述阴极与所述量子点发光层之间设置有电子传输层,所述电子传输层的材料为N型半导体,且所述电...
一种薄膜及其制备方法与量子点发光二极管技术
本发明公开一种复合材料及其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法,其中,所述复合材料包括氧化钛以及配位结合在所述氧化钛表面的乙酰丙酮钇。本发明通过选用具有共轭性能的乙酰丙酮钇对氧化钛进行表面改性,使乙酰丙酮钇配位结合在所述氧化钛表面制得...
一种量子点发光二极管及其制备方法技术
本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法,其中,所述量子点发光二极管包括阳极、阴极及设置在阳极与阴极之间的量子点发光层,阳极与量子点发光层之间还设置有空穴功能层,所述空穴功能层的材料为n型半导体材料或碱金属掺杂的过渡金属氧化物,本发明...
一种量子点发光二极管及其制备方法技术
本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法,方法包括步骤:提供阳极;在所述阳极上制备量子点发光层;在所述量子点发光层上制备阴极,得到所述量子点发光二极管;其中,所述量子点发光层通过以下方法制备得到:提供混合溶液,所述混合溶液包括量子点、...
量子点发光二极管及其制备方法技术
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。一种量子点发光二极管,包括阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层,所述阳极与所述量子点发光层之间设置由有机分子组成的材料层,所述有机分子含有吸电子基团。该...
量子点发光二极管及其制备方法技术
本发明提供了一种量子点发光二极管,包括相对设置的阳极和阴极,在所述阳极和所述阴极之间设置的量子点发光层,以及设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴功能叠层,所述空穴功能叠层包括空穴注入层,在所述空穴注入层上设置的空穴传输层,以及设置...
一种量子点发光二极管及其制备方法技术
本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法,包括:阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述阴极和量子点发光层之间的叠层,其中,所述叠层包括层叠设置的第一电子传输层、Ag纳米岛层和第二电子传输层,所述第一电子传输层靠...
一种量子点发光二极管制造技术
本发明公开一种量子点发光二极管,包括:阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述量子点发光层和阴极之间的电子传输层,其中,所述电子传输层包括:无机层、金属层和有机层,所述无机层靠近所述量子点发光层设置,所述有机层靠近...
量子点发光二极管及其制备方法技术
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。一种量子点发光二极管,包括阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层,所述阴极和所述量子点发光层之间还设置有电子传输层,所述电子传输层的材料为氟化石墨炔。这样...
复合材料及其制备方法和量子点发光二极管技术
本发明属于材料技术领域,具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。所述复合材料包括p型金属氧化物纳米颗粒和分散在所述p型金属氧化物纳米颗粒中的氮掺杂石墨炔。将氮掺杂石墨炔分散在p型金属氧化物纳米颗粒中,形成的复合材料用于空穴传...
量子点发光二极管及其制备方法技术
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。一种量子点发光二极管,包括阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层,所述阴极和所述量子点发光层之间设置有电子传输层,所述电子传输层的材料为n型金属氧化物,且...
量子点发光二极管及其制备方法技术
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。一种量子点发光二极管,包括阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层,所述阳极和所述量子点发光层之间还设置有空穴传输层,所述空穴传输层的材料为氢化石墨炔。氢化...
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