量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供设置有底电极的基板，在所基板上制备量子点发光层；在所述量子点发光层表面沉积第一化合物溶液后，进行光照处理，其中，所述第一化合物为经光照处理后能光解为离子的化合物。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管及其制备方法
本专利技术属于显示
，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
技术介绍
量子点(quantumdots)，又称半导体纳米晶，其三维尺寸均在纳米范围内(1-100nm)，是一种介于体相材料和分子间的纳米颗粒论。量子点具有量子产率高、摩尔消光系数大、光稳定性好、窄半峰宽、宽激发光谱和发射光谱可控等优异的光学性能，非常适合用作发光器件的发光材料。近年来，量子点荧光材料由于其光色纯度高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，广泛被看好用于平板显示领域，成为极具潜力的下一代显示和固态照明光源。量子点发光二极管(QuantumDotLightEmittingDiodesQLED)是基于量子点材料作为发光材料的发光器件，由于其具有波长可调、发射光谱窄、稳定性高、电致发光量子产率高等优点，成为下一代显示技术的有力竞争者。在溶液法制备QLED器件的过程中，由于各功能层之间的材料差异，不可避免地会导致相邻层之间存在一定的兼容性问题，特别是量子点发光层与相邻的电子传输层(特别是氧化锌层)之间的兼容性问题较为严重。兼容性差的量子点发光层与电子功能层(特别是氧化锌层)容易在界面形成鼓包，影响器件成膜性能，进而影响量子点发光二极管的光效。目前QLED器件为了不影响下层膜层的稳定性，普遍采用极性相差较大的墨水，从而导致这些墨水大多数成膜过程中容易由于表面张力形成界面形变，不利于均匀成膜，器件漏电流大，寿命短；欧姆电阻增高，器件效率低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决享有量子点发光二极管制备过程中采用与量子点墨水极性相差较大的墨水制备功能层，导致成膜过程中容易由于表面张力形成界面形变，影响器件性能(使用寿命和发光效率)的问题。为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供设置有底电极基板，在所述基板上制备量子点发光层；在所述量子点发光层表面沉积第一化合物溶液后，进行光照处理，其中，所述第一化合物为经光照处理后能光解为离子的化合物。以及，一种量子点发光二极管，包括：底电极和顶电极；设置在所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层；在所述量子点发光层朝向所述顶电极的表面的覆盖有一层离子。一种量子点发光二极管，包括：底电极和顶电极；设置在所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层；在所述量子点发光层朝向所述顶电极的表面的覆盖有一层离子；所述离子是由第一化合物经光照处理后制备得到的，其中，所述第一化合物为经光照处理后能光解为离子的化合物。本专利技术提供的量子点发光二极管的制备方法，在所述量子点发光层表面(朝向所述顶电极)的一侧沉积所述第一化合物溶液后，进行光照处理。第一化合物在光照条件下转化为极性更大的离子，使得在所述离子背离所述底电极的一侧制备其它功能层时，沉积在离子表面的溶液的接触角变小，形成膜层平整的其它功能层，进而提高量子点发光层与其它功能层之间的相容性，提高量子点发光二极管的光效。本专利技术提供的量子点发光二极管，在所述量子点发光层朝向所述顶电极的表面的覆盖有离子，有利于提高背离所述底电极的一侧制备的其它功能层的膜层平整性，进而提高量子点发光二极管的光效。附图说明图1是本专利技术实施例提供的量子点发光二极管的制备方法示意图；图2是本专利技术实施例1提供的ZnO墨水的接触角示意图；图3是本专利技术实施例2提供的ZnO墨水的接触角示意图；图4是本专利技术实施例3提供的ZnO墨水的接触角示意图；图5是本专利技术对比例1提供的ZnO墨水的接触角示意图。具体实施方式为了使本专利技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。如图1所示，本专利技术实施例提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：S01.提供设置有底电极的基板，在所述基板上制备量子点发光层；S02.在所述量子点发光层表面沉积第一化合物溶液后，进行光照处理，其中，所述第一化合物为经光照处理后能光解为离子的化合物。本专利技术提供的量子点发光二极管的制备方法，在所述量子点发光层表面(朝向所述顶电极)的一侧沉积所述第一化合物溶液后，进行光照处理。第一化合物在光照条件下转化为极性更大的离子，使得所述离子背离所述底电极的一侧制备其它功能层时，沉积在离子表面的溶液的接触角变小，形成膜层平整的其它功能层，进而提高量子点发光层与其它功能层之间的相容性，提高量子点发光二极管的光效。所述量子点发光二极管分为正型结构和反型结构，在一些实施方式中，所述正型结构的量子点发光二极管包括从下至上层叠设置的衬底、底电极、量子点发光层、电子传输层以及顶电极。对于正型结构的量子点发光二极管而言，设置在衬底上的底电极为阳极，在本专利技术的有一实施方式中，所述基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极、层叠设置在底电极表面的空穴注入层和层叠设置在空穴注入层表面的空穴传输层；在本专利技术的又一种实施方式中，所述基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极、层叠设置在底电极表面的空穴传输层；在本专利技术的还一种实施方式中，所述基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极、层叠设置在底电极表面的空穴注入层、层叠设置在空穴注入层表面的空穴传输层和层叠设置在空穴传输层表面的电子阻挡层。在一些实施方式中，所述反型结构的量子点发光二极管可包括从下往上层叠设置的衬底、底电极、量子点发光层以及顶电极。对于反型结构的量子点发光二极管而言，设置在衬底上的底电极为阴极，在本专利技术的一种实施方式中，所述基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极和层叠设置在衬底表面的电子传输层；在本专利技术的又一种实施方式中，所述基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极、层叠设置在底电极表面的电子注入层和层叠设置在电子注入层表面的电子传输层；在本专利技术的还一种实施方式中，所述基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极、层叠设置在衬底表面的电子注入层、层叠设置在电子注入层表面的电子传输层和层叠设置在电子传输层表面的空穴阻挡层。具体的，上述步骤S01中，提供设置有底电极的衬底，即在衬底上设置底电极。所述衬底的选择没有严格限制，可以采用硬质基板，如玻璃基板；也可以采用柔性基板，如聚酰亚胺基板、聚降冰片烯基板，但不限于此。所述底电极为与顶电极相对的电极，所述底电极可为阴极，也可为阳极。具体的，当所述底电极为阳极时，所述顶电极为阴极；当所述底电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供设置有底电极的基板，在所述设置有底电极的基板上制备量子点发光层；/n在所述量子点发光层表面沉积第一化合物溶液后，进行光照处理，其中，所述第一化合物为经光照处理后能光解为离子的化合物。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供设置有底电极的基板，在所述设置有底电极的基板上制备量子点发光层；
在所述量子点发光层表面沉积第一化合物溶液后，进行光照处理，其中，所述第一化合物为经光照处理后能光解为离子的化合物。


2.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一化合物选自二苯基碘鎓类化合物和1,2,3,4-噻三唑-5-巯基盐类化合物中的一种或多种。


3.如权利要求2所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述二苯基碘鎓类化合物选自(Ph2I)4Sn2S6、(Ph2I)2CdCl4和(Ph2I)2MoO4中的至少一种；和/或
所述1,2,3,4-噻三唑-5-巯基盐类化合物选自NH4CS2N3、NaCS2N3和LiCS2N3中的至少一种。


4.如权利要求1至3任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，将所述第一化合物溶液中的溶剂选自直链碳原子数小于20的硫醇、直链碳原子数小于20的烯烃、直链碳原子数小于20的醇类及其衍生物和碳原子数小于20的有机酯中的一种或几种的组合。


5.如权利要求4所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述直链碳原子数小于20的硫醇选自丁硫醇、戊硫醇、庚硫醇、辛硫醇和十八硫醇中的一种或多种；
所述直链碳原子数小于20的烯烃选自己烯、4-辛烯、5-癸烯和5-甲基-5-癸烯和十八烯中的一种或多种；
所述直链碳原子数小于20的醇类及其衍生物选自甲氧基乙醇、乙氧基乙醇和苯氧基乙醇中的一种或多种；
所述碳原子数小于20的有机酯选自丙烯酸甲酯、乙酸丁酯和苯甲酸甲酯中的一种或多种。


6.如权利要求1至3任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，以所述第一化合物溶液的总重量为100％计，所述第一化合物的质量百分含量为2-8％。


7.如权利要求1至3任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述底电极为阳极，采用溶液法在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张节，向超宇，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44