量子点发光二极管的制备方法及量子点墨水技术

本发明专利技术提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括：提供量子点墨水，所述量子点墨水包括溶剂体系和分散在溶剂体系中的量子点，其中，所述溶剂体系包括非极性溶剂和掺杂化合物；提供阴极基板或阳极基板，在所述阴极基板或所述阳极基板上沉积所述量子点墨水后进行光照处理，退火制备得到量子点发光层，其中，所述掺杂化合物为经光照处理后能光解为离子的化合物。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管的制备方法及量子点墨水
本专利技术属于显示
，尤其涉及一种量子点发光二极管的制备方法。
技术介绍
量子点(quantumdots)，又称半导体纳米晶，其三维尺寸均在纳米范围内(1-100nm)，是一种介于体相材料和分子间的纳米颗粒论。量子点具有量子产率高、摩尔消光系数大、光稳定性好、窄半峰宽、宽激发光谱和发射光谱可控等优异的光学性能，非常适合用作发光器件的发光材料。近年来，量子点荧光材料由于其光色纯度高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，广泛被看好用于平板显示领域，成为极具潜力的下一代显示和固态照明光源。量子点发光二极管(QuantumDotLightEmittingDiodesQLED)是基于量子点材料作为发光材料的发光器件，由于其具有波长可调、发射光谱窄、稳定性高、电致发光量子产率高等优点，成为下一代显示技术的有力竞争者。在溶液法制备QLED器件的过程中，由于各功能层之间的材料差异，不可避免地会导致相邻层之间存在一定的兼容性问题，特别是量子点发光层与相邻的电子传输层(特别是氧化锌层)之间的兼容性问题较为严重。兼容性差的量子点发光层与电子功能层(特别是氧化锌层)容易在界面形成鼓包，影响器件成膜性能，进而影响量子点发光二极管的光效。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种量子点发光二极管的制备方法，旨在解决现有的量子点发光二极管量子点发光层与相邻层之间的兼容性较差，影响量子点发光二极管的光效的问题。为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：>一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供量子点墨水，所述量子点墨水包括溶剂体系和分散在溶剂体系中的量子点，其中，所述溶剂体系包括非极性溶剂和掺杂化合物；提供阴极基板或阳极基板，在所述阴极基板或所述阳极基板上沉积所述量子点墨水后进行光照处理，退火制备得到量子点发光层，其中，所述掺杂化合物为经光照处理后能光解为离子的化合物。本专利技术提供的量子点发光二极管的制备方法，提供的量子点墨水中含有对光敏感的掺杂化合物，将所述量子点墨水沉积在所述基板上后进行光照处理。所述掺杂化合物在光照条件下发生变化，可转化为离子，从而使沉积所述基板表面的量子点墨水的接触角变小，形成在基板表面的量子点发光层表面膜层更平整，进而提高量子点发光层与相邻层之间的相容性，提高量子点发光二极管的光效。附图说明图1是本专利技术实施例提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程示意图。具体实施方式为了使本专利技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。如附图1所示，本专利技术实施例提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：S10.提供量子点墨水，所述量子点墨水包括溶剂体系和分散在溶剂体系中的量子点，其中，所述溶剂体系包括非极性溶剂和掺杂化合物；S20.提供阴极基板或阳极基板，在所述阴极基板或所述阳极基板上沉积所述量子点墨水后进行光照处理，退火制备得到量子点发光层，其中，所述掺杂化合物为经光照处理后能光解为离子的化合物。本专利技术实施例提供的量子点发光二极管的制备方法，提供的量子点墨水中含有对光敏感的掺杂化合物，将所述量子点墨水沉积在所述基板上后进行光照处理。所述掺杂化合物在光照条件下发生变化，可转化为离子，从而使沉积在基板表面的量子点墨水的接触角变小，形成在基板表面的量子点发光层表面膜层更平整，进而提高量子点发光层与相邻层之间的相容性，提高量子点发光二极管的光效。具体的，上述步骤S10中，所述量子点墨水包括溶剂体系和分散在溶剂体系中的量子点，其中，所述量子点为本领域常规的量子点，且所述量子点表面通常含有有机配体。本专利技术实施例中，用于分散量子点的溶剂体系，包括常规的非极性溶剂，所述非极性溶剂为非极性溶剂，包括甲苯、正庚烷、正己烷、氯仿、二氯甲烷、环己烷和三氯乙烯等但不限于此。在此基础上，所述溶剂体系中还添加部分掺杂化合物。在光照处理后溶剂体系的极性得到提高，因为所述掺杂化合物在经光照处理后可转化为离子，为比所述掺杂化合物极性更大离子，从而减小量子点墨水基板表面的接触角，形成平整均匀的膜层，最终提高量子点发光二极管的光效。在一些实施例中，所述掺杂化合物选自二苯基碘鎓类化合物、1,2,3,4-噻三唑-5-巯基盐类化合物中的至少一种。如下列反应式所示，所述二苯基碘鎓类化合物、1,2,3,4-噻三唑-5-巯基盐类化合物在光照条件下，可以转化为极性增强的物质，减小量子点墨水在下层膜层如电子传输层表面的接触角，提高膜层平整性，且转化后的物质不干扰量子点发光二极管的发光。在一些实施例中，所述二苯基碘鎓类化合物选自(Ph2I)4Sn2S6、(Ph2I)2CdCl4、(Ph2I)2MoO4中的至少一种。在一些实施例中，所述1,2,3,4-噻三唑-5-巯基盐类化合物选自NH4CS2N3、NaCS2N3、LiCS2N3中的至少一种。上述实施例列举的具体掺杂化合物类型，能够更显著地减小量子点墨水在电子传输层表面的接触角，提高膜层平整性，从而提高量子点发光二极管的光效。本专利技术实施例中，在量子点墨水中添加微量的掺杂化合物，经光照处理后即可达到减小量子点墨水在下层电子传输层表面的接触角的效果。以所述溶剂体系的总重量为100％计，所述掺杂化合物的质量百分含量为0-10％，但不为0。由于掺杂化合物转化后形成的物质会残留在所述量子点发光层中，所以，当所述掺杂化合物的质量百分含量超过10％时，量子点发光层中杂质含量增加，会降低量子点发光层的光效。以所述墨水的总重量为100％计，在一些实施方式中，所述量子点墨水中，所述量子点占所述量子点墨水的质量百分含量为0.05wt％-60wt％，所述非极性溶剂占所述量子点墨水的质量百分含量为35wt％-99.9wt％，所述掺杂化合物占所述量子点墨水的质量百分含量为0.001wt％-10wt％。在一些实施方式中，所述量子点占所述量子点墨水的质量百分含量为0.5wt％-20wt％，所述非极性溶剂占所述量子点墨水的质量百分含量为70wt％-99wt％，所述掺杂化合物占所述量子点墨水的质量百分含量为0.003wt％-3wt％。在一些实施方式中，量子点占所述量子点墨水的质量百分含量为1wt％-10wt％，所述非极性溶剂占所述量子点墨水的质量百分含量为80wt％-98wt％，所述杂化合物占所述量子点墨水的质量百分含量为0.005wt％-2wt％。上述步骤S20中，提供设置有阴极或阳极的基板，用于沉积量子点墨水。所述基板的选择没有严格限制，可以采本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供量子点墨水，所述量子点墨水包括溶剂体系和分散在溶剂体系中的量子点，其中，所述溶剂体系包括非极性溶剂和掺杂化合物；/n提供阴极基板或阳极基板，在所述阴极基板或所述阳极基板上沉积所述量子点墨水后进行光照处理，退火制备得到量子点发光层，退火制备得到量子点发光层，其中，所述掺杂化合物为经光照处理后能光解为离子的化合物。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供量子点墨水，所述量子点墨水包括溶剂体系和分散在溶剂体系中的量子点，其中，所述溶剂体系包括非极性溶剂和掺杂化合物；
提供阴极基板或阳极基板，在所述阴极基板或所述阳极基板上沉积所述量子点墨水后进行光照处理，退火制备得到量子点发光层，退火制备得到量子点发光层，其中，所述掺杂化合物为经光照处理后能光解为离子的化合物。


2.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述掺杂化合物选自二苯基碘鎓类化合物和1,2,3,4-噻三唑-5-巯基盐类化合物中的至少一种。


3.如权利要求2所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述二苯基碘鎓类化合物选自(Ph2I)4Sn2S6、(Ph2I)2CdCl4和(Ph2I)2MoO4中的至少一种；和/或，
所述1,2,3,4-噻三唑-5-巯基盐类化合物选自NH4CS2N3、NaCS2N3和LiCS2N3中的至少一种。


4.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，以所述溶剂体系的总重量为100％计，所述掺杂化合物的质量百分含量为0％-10％，但不为0。


5.如权利要求1至4任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述光照处理应用的光源选自发射光波长为100-400nm的紫外光和/或发射光波长为400-500nm的可见光；和/或
所述光照处...

【专利技术属性】
技术研发人员：张节，向超宇，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44