量子点发光二极管的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供设置有底电极的基板，在所述底电极上制备量子点发光层；在所述量子点发光层表面沉积溶液，静置至所述量子点发光层浸润后进行干燥处理，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，所述溶质的极性小于等于所述主体溶剂的极性，且所述溶液不溶解量子点；在经所述混合溶剂处理后的量子点发光层背离所述底电极的表面制备顶电极，其中，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极；或所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管的制备方法
本专利技术属于显示
，尤其涉及一种量子点发光二极管的制备方法。
技术介绍
量子点(quantumdots)，又称半导体纳米晶，其三维尺寸均在纳米范围内(1-100nm)，是一种介于体相材料和分子间的纳米颗粒论。量子点具有量子产率高、摩尔消光系数大、光稳定性好、窄半峰宽、宽激发光谱和发射光谱可控等优异的光学性能，非常适合用作发光器件的发光材料。近年来，量子点荧光材料由于其光色纯度高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，广泛被看好用于平板显示领域，成为极具潜力的下一代显示和固态照明光源。量子点发光二极管(QuantumDotLightEmittingDiodesQLED)是基于量子点材料作为发光材料的发光器件，由于其具有波长可调、发射光谱窄、稳定性高、电致发光量子产率高等优点，成为下一代显示技术的有力竞争者。溶液加工法是制备QLED器件的常见方法，特别是随着技术的发展，采用喷墨打印技术制备量子点发光层变得常规。但是，采用溶液加工法如喷墨打印技术制备量子点发光层时，成膜过程中量子点墨水部分溶剂残留，特别是喷墨打印时，为了减缓打印干燥速度，量子点墨水中会添加高沸点溶剂，高沸点溶剂残留也会量子点发光二极管的发光效率和使用寿命。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种量子点发光二极管的制备方法，旨在解决量子点发光层中残留的溶剂影响量子点发光二极管的发光效率的问题。为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供基板，所述基板上设置有量子点发光层；在所述量子点发光层表面沉积溶液，静置至所述量子点发光层被所述溶液浸润后进行干燥处理，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，所述溶质的极性小于等于所述主体溶剂的极性，且所述溶液不溶解量子点。本专利技术提供的量子点发光二极管的制备方法，在量子点发光层的表面沉积溶液，其中，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，所述溶质的极性小于等于所述主体溶剂的极性，且所述溶液不溶解量子点。所述溶液在所述量子点发光层表面静置，对所述量子点发光层浸润的过程中，残留在量子点发光层中的原来量子点墨水中的溶剂被溶解，并通过后续加热处理去除，从而提高量子点发光二极管的发光效率。附图说明图1是本专利技术实施例提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程示意图。具体实施方式为了使本专利技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。如附图1所示，本专利技术实施例提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：S10提供基板，所述基板上设置有量子点发光层；S20在所述量子点发光层表面沉积溶液，静置至所述量子点发光层被所述溶液浸润后进行干燥处理，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，所述溶质的极性小于等于所述主体溶剂的极性，且所述溶液不溶解量子点。本专利技术实施例提供的量子点发光二极管的制备方法，在量子点发光层的表面沉积溶液，其中，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，所述溶质的极性小于等于所述主体溶剂的极性，且所述溶液不溶解量子点。所述溶液在所述量子点发光层表面静置，对所述量子点发光层浸润的过程中，残留在量子点发光层中原来量子点墨水中的溶剂溶解，并通过后续加热处理去除，从而提高量子点发光二极管的发光效率。具体的，量子点发光二极管分正型结构和反型结构。正型结构包括层叠设置的阳极、阴极和设置在阳极和阴极之间的量子点发光层，正型结构的阳极设置在衬底上，在阳极和量子点发光层之间还可以设置空穴传输层、空穴注入层和电子阻挡层等空穴功能层，在阴极和量子点发光层之间还可以设置电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层等电子功能层。反型结构包括层叠设置的阳极、阴极和设置在阳极和阴极之间的量子点发光层，反型结构的阴极设置在衬底上，在阳极和量子点发光层之间还可以设置空穴传输层、空穴注入层和电子阻挡层等空穴功能层，在阴极和量子点发光层之间还可以设置电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层等电子功能层。上述步骤S10中，对于正型器件而言，设置在衬底上的底电极为阳极，在本专利技术的一种实施方式中，所述基板可以为衬底上设置底电极；在本专利技术的又一种实施方式中，所述基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极和层叠设置在衬底表面的空穴传输层；在本专利技术的又一种实施方式中，所述基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极、层叠设置在衬底表面的空穴注入层和层叠设置在空穴注入层表面的空穴传输层；在本专利技术的还一种实施方式中，所述基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极、层叠设置在衬底表面的空穴注入层、层叠设置在空穴注入层表面的空穴传输层和层叠设置在空穴传输层表面的电子阻挡层。对于反型器件而言，设置在衬底上的底电极为阴极，在本专利技术的一种实施方式中，所述基板可以为衬底上设置底电极；在本专利技术的又一种实施方式中，所述基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极和层叠设置在衬底表面的电子传输层；在本专利技术的又一种实施方式中，所述基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极、层叠设置在衬底表面的电子注入层和层叠设置在电子注入层表面的空穴传输层；在本专利技术的还一种实施方式中，所述基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极、层叠设置在衬底表面的电子注入层、层叠设置在电子注入层表面的电子传输层和层叠设置在电子传输层表面的空穴阻挡层。具体的一种实施方式中，上述步骤S10中，提供设置有底电极的基板，即在基板上设置底电极。所述基板的选择没有严格限制，可以采用硬质基板，如玻璃基板；也可以采用柔性基板，如聚酰亚胺基板、聚降冰片烯基板，但不限于此。所述底电极为与顶电极相对的电极，所述底电极可为阴极，也可为阳极。具体的，当所述底电极为阳极时，所述顶电极为阴极；当所述底电极为阴极时，所述顶电极为阳极。在一些实施例中，所述阳极可以选用ITO，但不限于此。在一些实施例中，所述阴极可以选用金属电极，包括但不限于银电极、铝电极。所述阴极的厚度为60-120nm，具体优选为100nm。在所述底电极上制备量子点发光层的方法没有严格限定，可以采用本领域常规的方法制备量子点发光层。在一些实施例中，采用溶液加工法在所述底电极上沉积量子点溶液，制备量子点发光层。通过溶液加工法制备的量子点发光层，经过下述步骤溶液浸润处理，具有更明显的去除量子点发光层中的残留试剂的效果。更优选的，采用喷墨打印方法在所述底电极上沉积量子点墨水，制备量子点发光层。本专利技术实施例中，所述量子点发光层中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供基板，所述基板上设置有量子点发光层；/n在所述量子点发光层表面沉积溶液，静置至所述量子点发光层被所述溶液浸润后进行干燥处理，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，所述溶质的极性小于等于所述主体溶剂的极性，且所述溶液不溶解量子点。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供基板，所述基板上设置有量子点发光层；
在所述量子点发光层表面沉积溶液，静置至所述量子点发光层被所述溶液浸润后进行干燥处理，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，所述溶质的极性小于等于所述主体溶剂的极性，且所述溶液不溶解量子点。


2.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述主体溶剂选自直链中的碳原子数目小于20的醇类、直链中的碳原子数目小于20的酯类、直链中的碳原子数目小于20的酮类中的一种或两种以上的组合。


3.如权利要求2所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述直链中的碳原子数目小于20的醇类选自1-丙醇、1-丁醇、1-戊醇、2-戊醇、1,5-戊二醇、2,3-丁二醇；
所述直链中的碳原子数目小于20的酯类选自乙酸乙酯、丙酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、苯甲酸乙酯；
所述直链中的碳原子数目小于20的酮类选自丙酮、丁酮、3-戊酮、2-甲基4-辛酮。


4.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述溶质选自直链中的碳原子数目小于10的不饱和脂肪酸、直链中的碳原子数目小于10的饱和酸类、氨基酸、不饱和羧酸聚合物、肽及其衍生物、有机碱中的一种或两种以上的组合。


5.如权利要求4所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述直链中的碳原子数目小于10的不饱和脂肪酸选自丙烯酸、丁烯酸、甲基丙烯酸、3-戊...

【专利技术属性】
技术研发人员：张节，向超宇，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44