一种量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种量子点发光二极管及其制备方法，其中，所述量子点发光二极管包括阳极、阴极及设置在阳极与阴极之间的量子点发光层，阳极与量子点发光层之间还设置有空穴功能层，所述空穴功能层的材料为n型半导体材料或碱金属掺杂的过渡金属氧化物，本发明专利技术所提供的量子点发光二极管无需额外设置空穴传输层和空穴注入层或设置双层空穴传输层的结构，减少了界面，解决了现有技术中量子点发光二极管界面过多，导致器件寿命下降的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种量子点发光二极管及其制备方法
本专利技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
技术介绍
由于量子点独特的光学性质，例如发光波长随尺寸和成分连续可调、发光光谱窄、荧光效率高、稳定性好等，基于量子点的电致发光二极管(QLED)得到广泛的关注和研究。此外，QLED显示还具有可视角大、对比度高、响应速度快、可柔性等诸多LCD所无法实现的优势，因而有望成为下一代的显示技术。经过二十多年不断的研究和发展，QLED的性能（效率、寿命）取得了很大的提高，但目前距离商业化仍有不小的距离，其中一个重要的原因是量子点的带隙相对较宽，价带顶能级位置较深，造成空穴注入困难。为了应对这个问题，目前QLED都采用空穴注入层/空穴传输层相结合的器件结构，有的还采用双层空穴传输层结构，以促进空穴注入。但是有研究表明，过多的界面会造成器件寿命的下降，因此，简化QLED的结构是当前的一个研究方向。另外，简化的QLED也有利于工业大规模生产，减少生产成本。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
>鉴于上述现有技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极及设置在阳极与阴极之间的量子点发光层，其特征在于，阳极与量子点发光层之间还设置有空穴功能层，所述空穴功能层的材料为n型半导体材料或碱金属掺杂的过渡金属氧化物。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极及设置在阳极与阴极之间的量子点发光层，其特征在于，阳极与量子点发光层之间还设置有空穴功能层，所述空穴功能层的材料为n型半导体材料或碱金属掺杂的过渡金属氧化物。


2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述碱金属掺杂的过渡金属氧化物的功函数介于阳极功函数和量子点价带顶能级之间。


3.根据权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴功能层由碱金属掺杂的过渡金属氧化物通过溶液法沉积形成。


4.根据权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述过渡金属氧化物为MoO3、WO3、V2O5中的一种或多种和/或，所述碱金属为Li、Na、K、Rb、Cs中的一种或多种。


5.根据权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述碱金属掺杂的过渡金属氧化物中，碱金属的质量浓度为3%~20%。


6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述n型半导体材料为功函数大于6.5eV的HAT-CN、MoO3、WO3或V2O5。


7.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏亮，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44