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本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，其中，所述量子点发光二极管包括阳极、阴极及设置在阳极与阴极之间的量子点发光层，阳极与量子点发光层之间还设置有空穴功能层，所述空穴功能层的材料为n型半导体材料或碱金属掺杂的过渡金属氧化物，本发明所提...
该专利属于TCL集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过TCL集团股份有限公司授权不得商用。

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