一种量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种量子点发光二极管及其制备方法，方法包括步骤：提供阳极；在所述阳极上制备量子点发光层；在所述量子点发光层上制备阴极，得到所述量子点发光二极管；其中，所述量子点发光层通过以下方法制备得到：提供混合溶液，所述混合溶液包括量子点、溶剂和添加剂，所述添加剂为碳原子数6‑13的烷烃，所述烷烃主链两端的碳原子连接碘原子；先将所述混合溶液沉积到阳极上形成膜层，再使所述膜层中添加剂挥发出来，得到所述量子点发光层。本发明专利技术方法可以降低量子点之间的Dexter能量转移，减少能量的损耗，从而提高器件的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种量子点发光二极管及其制备方法
本专利技术涉及量子点发光器件领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
技术介绍
近年来，随着显示技术的快速发展，以半导体量子点（QDs）材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)受到了广泛的关注。量子点发光二极管色纯度高、发光效率高、发光颜色可调以及器件稳定等良好的特点，使得其在平板显示、固态照明等领域具有广泛的应用前景。尽管通过对量子点材料的改进以及QLED器件结构的不断优化，现有QLED的性能(包括器件效率和寿命)得到了大幅度的提高，但是其效率与产业化生产的要求还相差较远。其中量子点层是QLED器件的关键一层，量子点层是一层纳米颗粒形成的。目前存在的问题是如果纳米颗粒浓度过低，无法形成一层致密的量子点层，即出现孔洞，会导致漏电流的发生；浓度过高，会出现纳米颗粒的堆积，即有团簇生成，会导致Dexter能量转移（Dexter能量转移属于非辐射能量转移），降低了器件的发光效率。因此，如何制备一层致密均匀的量子点层，是提高QLED发光效率的重要研究方向。因此，现有技术还有待于改进和发展。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：/n提供阳极；/n在所述阳极上制备量子点发光层；/n在所述量子点发光层上制备阴极，得到所述量子点发光二极管；/n其中，所述量子点发光层通过以下方法制备得到：/n提供混合溶液，所述混合溶液包括量子点、溶剂和添加剂，所述添加剂为碳原子数6-13的烷烃，所述烷烃主链两端的碳原子连接碘原子；/n先将所述混合溶液沉积到阳极上形成膜层，再使所述膜层中添加剂挥发出来，得到所述量子点发光层。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供阳极；
在所述阳极上制备量子点发光层；
在所述量子点发光层上制备阴极，得到所述量子点发光二极管；
其中，所述量子点发光层通过以下方法制备得到：
提供混合溶液，所述混合溶液包括量子点、溶剂和添加剂，所述添加剂为碳原子数6-13的烷烃，所述烷烃主链两端的碳原子连接碘原子；
先将所述混合溶液沉积到阳极上形成膜层，再使所述膜层中添加剂挥发出来，得到所述量子点发光层。


2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，先将所述混合溶液沉积到阳极上，使所述混合溶液中溶剂挥发形成膜层；再在真空条件下，使所述膜层中添加剂挥发出来，得到所述量子点发光层。


3.根据权利要求2所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，在小于0.01Pa真空条件下，使所述膜层中添加剂挥发出来；和/或，
在真空条件下0.5-24小时，使所述膜层中添加剂挥发出来。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：李龙基，曹蔚然，钱磊，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44