一种量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种量子点发光二极管及其制备方法，方法包括步骤：提供阳极；在所述阳极上制备量子点发光层；在所述量子点发光层上制备阴极，得到所述量子点发光二极管；其中，所述量子点发光层通过以下方法制备得到：提供混合溶液，所述混合溶液包括量子点、溶剂和添加剂，所述添加剂为碳原子数6‑13的烷烃，所述烷烃主链两端的碳原子连接碘原子；先将所述混合溶液沉积到阳极上形成膜层，再使所述膜层中添加剂挥发出来，得到所述量子点发光层。本发明专利技术方法可以降低量子点之间的Dexter能量转移，减少能量的损耗，从而提高器件的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种量子点发光二极管及其制备方法
本专利技术涉及量子点发光器件领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
技术介绍
近年来，随着显示技术的快速发展，以半导体量子点（QDs）材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)受到了广泛的关注。量子点发光二极管色纯度高、发光效率高、发光颜色可调以及器件稳定等良好的特点，使得其在平板显示、固态照明等领域具有广泛的应用前景。尽管通过对量子点材料的改进以及QLED器件结构的不断优化，现有QLED的性能(包括器件效率和寿命)得到了大幅度的提高，但是其效率与产业化生产的要求还相差较远。其中量子点层是QLED器件的关键一层，量子点层是一层纳米颗粒形成的。目前存在的问题是如果纳米颗粒浓度过低，无法形成一层致密的量子点层，即出现孔洞，会导致漏电流的发生；浓度过高，会出现纳米颗粒的堆积，即有团簇生成，会导致Dexter能量转移（Dexter能量转移属于非辐射能量转移），降低了器件的发光效率。因此，如何制备一层致密均匀的量子点层，是提高QLED发光效率的重要研究方向。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有量子点发光二极管发光效率低的问题。本专利技术的技术方案如下：一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：提供阳极；在所述阳极上制备量子点发光层；在所述量子点发光层上制备阴极，得到所述量子点发光二极管；其中，所述量子点发光层通过以下方法制备得到：提供混合溶液，所述混合溶液包括量子点、溶剂和添加剂，所述添加剂为碳原子数6-13的烷烃，所述烷烃主链两端的碳原子连接碘原子；先将所述混合溶液沉积到阳极上形成膜层，再使所述膜层中添加剂挥发出来，得到所述量子点发光层。一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层，其中，所述量子点发光二极管采用本专利技术所述的制备方法制备得到。有益效果：本专利技术中，通过采用含量子点和添加剂的混合溶液制备量子点发光层，所述添加剂为碳原子数6-13的烷烃，所述烷烃主链两端的碳原子连接碘原子，这样在混合溶液形成膜层后，所述添加剂就会存在于量子点之间，在一定条件下使所述添加剂从量子点的间隙中挥发出来，由于所述添加剂长链两端为半径较大的碘原子，这样挥发之后就会在量子点之间形成约碘原子大小的间隙，这样就降低了量子点之间的Dexter能量转移，减少了能量的损耗，从而提高了器件的发光效率。附图说明图1为本专利技术实施例中提供的一种量子点发光二极管的结构示意图。具体实施方式本专利技术提供一种量子点发光二极管及其制备方法，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术实施例提供一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：提供阳极；在所述阳极上制备量子点发光层；在所述量子点发光层上制备阴极，得到所述量子点发光二极管；其中，所述量子点发光层通过以下方法制备得到：提供混合溶液，所述混合溶液包括量子点、溶剂和添加剂，所述添加剂为碳原子数6-13的烷烃，所述烷烃主链两端的碳原子连接碘原子；先将所述混合溶液沉积到阳极上形成膜层，再使所述膜层中添加剂挥发出来，得到所述量子点发光层。本实施例中，通过采用含量子点和添加剂的混合溶液制备量子点发光层，所述添加剂为碳原子数6-13的烷烃，所述烷烃主链两端的碳原子连接碘原子，这样在混合溶液形成膜层后，所述添加剂就会存在于量子点之间，再在一定条件下使所述添加剂从量子点的间隙中挥发出来，由于所述添加剂长链两端为半径较大的碘原子，这样挥发之后就会在量子点之间形成约碘原子大小的间隙，这样就降低了量子点之间的Dexter能量转移，减少了能量的损耗，从而提高了器件的发光效率。混合溶液沉积后，所述混合溶液中用于溶解量子点的常用溶剂（如正辛烷等）都是沸点较低的，因此能够很容易地挥发出来形成膜层。而选取的添加剂，例如1,8-二碘辛烷，沸点为168oC，其本身难以自然挥发，但将含有所述添加剂的膜层置于真空中，在高真空下添加剂容易挥发，这样所述添加剂就会从量子点的间隙中挥发出来。一般有机溶剂，碳链短，分子量小，易挥发，碳链长，分子量大，难挥发，碘原子的加入会使分子量增大很多。本实施例中，如果选择含有5个碳原子的烷烃作为添加剂，即1,5-二碘戊烷，其沸点约101oC，和溶剂挥发性相当，无法起到作用。而选择含有14个碳原子的烷烃作为添加剂，即使两端没有被碘取代在真空下也已经很难挥发。因此，本实施例所述添加剂为碳原子数6-13的烷烃，所述烷烃主链两端的碳原子连接碘原子。本实施例中，量子点发光二极管有多种形式，且所述量子点发光二极管分正型结构和反型结构，本实施例将主要以如图1所示的正型结构的量子点发光二极管为例进行详细介绍。具体地，如图1所示，所述量子点发光二极管包括从下往上层叠设置的基板1、底电极2、空穴注入层3、空穴传输层4、量子点发光层5、电子传输层6和顶电极7；所述量子点发光二极管的制备方法具体包括以下步骤：提供一基板，在所述基板上制备底电极；在所述底电极上制备空穴注入层；在所述空穴注入层上制备空穴传输层；在所述空穴传输层上制备量子点发光层；在所述量子点发光层上制备电子传输层；在所述电子传输层上制备顶电极，得到所述量子点发光二极管；其中，所述量子点发光层通过以下方法制备得到：提供混合溶液，所述混合溶液包括量子点、溶剂和添加剂，所述添加剂为碳原子数6-13的烷烃，所述烷烃主链两端的碳原子连接碘原子；先将所述混合溶液沉积到阳极上形成膜层，再使所述膜层中添加剂挥发出来，得到所述量子点发光层。在一种优选的实施方式中，先将所述混合溶液沉积到阳极上，使所述混合溶液中溶剂挥发形成膜层；再在真空条件下，使所述膜层中添加剂挥发出来，得到所述量子点发光层。混合溶液沉积到阳极上后，所述混合溶液中溶剂由于沸点较低，能够很容易地挥发出来形成膜层。而由于所述添加剂较难自然挥发，将含有所述添加剂的膜层置于真空中，这样所述添加剂就会从量子点的间隙中挥发出来。进一步在一种优选的实施方式中，在小于0.01Pa真空条件下，使所述膜层中添加剂挥发出来。在高真空（小于0.01Pa）条件下，可以使所述膜层中添加剂挥发出来。进一步在一种优选的实施方式中，在真空条件下0.5-24小时，使所述膜层中添加剂挥发出来。在该时间范围内，可以确保所述添加剂挥发完全。在一种优选的实施方式中，所述添加剂占所述混合溶液的体积百分比为0.1-5%。在一种优选的实施方式中，所述添加剂为碳原子数6-13的直链烷烃。进一步在一种优选的实施方式中，所述添加剂包括1,6-二碘己烷、1,8-二碘辛烷和1,10-二碘癸烷等中的一种或多种，但本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：/n提供阳极；/n在所述阳极上制备量子点发光层；/n在所述量子点发光层上制备阴极，得到所述量子点发光二极管；/n其中，所述量子点发光层通过以下方法制备得到：/n提供混合溶液，所述混合溶液包括量子点、溶剂和添加剂，所述添加剂为碳原子数6-13的烷烃，所述烷烃主链两端的碳原子连接碘原子；/n先将所述混合溶液沉积到阳极上形成膜层，再使所述膜层中添加剂挥发出来，得到所述量子点发光层。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供阳极；
在所述阳极上制备量子点发光层；
在所述量子点发光层上制备阴极，得到所述量子点发光二极管；
其中，所述量子点发光层通过以下方法制备得到：
提供混合溶液，所述混合溶液包括量子点、溶剂和添加剂，所述添加剂为碳原子数6-13的烷烃，所述烷烃主链两端的碳原子连接碘原子；
先将所述混合溶液沉积到阳极上形成膜层，再使所述膜层中添加剂挥发出来，得到所述量子点发光层。


2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，先将所述混合溶液沉积到阳极上，使所述混合溶液中溶剂挥发形成膜层；再在真空条件下，使所述膜层中添加剂挥发出来，得到所述量子点发光层。


3.根据权利要求2所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，在小于0.01Pa真空条件下，使所述膜层中添加剂挥发出来；和/或，
在真空条件下0.5-24小时，使所述膜层中添加剂挥发出来。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：李龙基，曹蔚然，钱磊，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44