一种有机电致发光材料组合制造技术

本发明专利技术设计有机电致发光材料和装置。本发明专利技术描述一种组合物，其包含第一化合物和第二化合物。所述组合物是包含结构的第一化合物

【技术实现步骤摘要】
一种有机电致发光材料组合本专利技术涉及一种有机化合物材料组合，其可以用作有机电致发光器件发光层；本专利技术还涉及该化合物在有机电致发光器件中的应用。
技术介绍
当前，OLED显示技术已经在智能手机，平板电脑等领域获得应用，进一步还将向电视等大尺寸应用领域扩展，但是，和实际的产品应用要求相比，OLED的发光效率和使用寿命等性能还需要进一步提升。OLED中最早利用的染料是纯有机小分子发光材料。基于此类材料的器件，寿命长并且效率滚降小。但是，材料只能利用25％的单重态(S1)能量发光，而占75％的三重态(T1)能量因为自旋禁阻的原因只能通过非辐射跃迁的途径损失掉。1998年，美国普林斯顿大学的Forrest等首次报道了基于T1发光的PHOLEDs。利用重金属Pt原子造成的旋轨耦合效应使得T1在室温下即可有效的发光，从而能够理论上实现100％的内量子效率。但是，同样也是因为重金属的存在，使得磷光染料的价格昂贵，特别是稀有金属Ir配合物。2012年，日本九州大学的Adachi教授发现的基于三线态-单线态跃迁的热激活延迟荧光(TADF)材料利用环境热量可实现能量从三线态激发态向单线态激发态的逆向系间窜越，无需使用高成本的稀有金属即可实现高发光效率。但是TADF材料在实现高效率的同时，实现长寿命的难度大。在磷光材料体系中，通过发光层中主客体掺杂可以有效地提高OLED的效率，但是在荧光材料体系中，由于三线态激子的辐射跃迁是禁阻的，对电致发光材料的贡献很小，三线态能量的损失导致器件效率较低。
技术实现思路
如上所述，为了在有机电致发光器件中得到高的发光效率，降低器件的效率滚降，本专利技术提供一种有机电致发光器件用的有机发光材料组合物，其作为发光层主体，该材料组合中含有一类具有TADF性质的化合物。通过使用本专利技术所述材料组合，可实现激子在主体材料上复合形成激子，并通过反向系间穿越过程实现三线态激子能量的利用，使得有机电致发光器件的效率和寿命得到很大提升。本专利技术的组合物包含通式(1)所示的第一化合物和通式(2)所示的第二化合物，其中，在通式(1)中，n选自0或1；Ar独立地选自C1～C12烷基、C1～C12烷氧基、硅烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基中的一种；L为单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基或者取代或未取代的C3～C30亚杂芳基；R'独立地选自氢、C1～C12烷基、C1～C12烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、氨基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种，(R')m代表相应的芳香环上可以具有多个取代基，m为0～最大允许取代数；上述“取代或未取代”中的取代，表示被一个或多个选自C1～C12的烷基、C1～C12的烷氧基、C6～C30的芳基、C3～C30的杂芳基、氰基、羟基中的取代基所取代，取代基的连接键“—”划过环结构的表示方式，表示连接位点于该环结构上任意能够成键的位置，通式(2)中，R1～R6独立的选自氢、卤素、氰基、氰基苯基、硝基、C1～C12烷基、C3～C12的环烷基、C1～C12烷氧基或者取代或者未取代的C5～C60的含有两个以上稠合环的杂芳基，并且，R1～R6中的至少一个为氰基或者氰基苯基，且R1～R6中的至少一个为取代或者未取代的C5～C60含有两个以上稠合环的杂芳基，所述含有两个以上稠合环的杂芳基如式(3)所示，其中A环和/或B环独立的选自苯、呋喃、噻吩、噻唑、吡啶或嘧啶，中间的双线代表共轭双键；所述A环和/或B环可以进一步独立地与苯、呋喃、噻吩、噻唑、吡啶或嘧啶稠合；所述的苯、呋喃、噻吩、噻唑、吡啶或嘧啶，可以被一个或多个选自卤素、氨基、羟基、氰基、硝基，C1～C12的烷基、C3～C12的环烷基、C1～C12烷氧基、C6～C60的芳基或者C3～C60的杂芳基所取代；本专利技术所述的组合物能够用作有机发光器件的发光材料主体材料，尤其用作荧光材料主体时，可实现激子三线态能量的有效利用，使得有机分子的三线态激子通过热活化延迟荧光材料的反向系间穿越过程得到利用，从而大大提高了有机发光器件的效率。同时当用作磷光材料的主体时，通过使用本专利技术所述的组合物，可以使三线态激子分散在主体材料上，减少三线态激子在转移过程中三线态-三线态湮灭造成的能量损失，有效地降低了效率滚降，提高器件效率。具体实施方式为了使本领域技术人员更好地理解本专利技术，下面结合具体实施方式对本专利技术作进一步详细说明。需要说明的是，本专利技术中，Ca～Cb的表达方式代表该基团具有的碳原子数为a～b，除非特殊说明，一般而言该碳原子数不包括取代基的碳原子数。本专利技术中，对于化学元素的表述包含化学性质相同的同位素的概念，例如“氢”的表述，也包括化学性质相同的“氘”、“氚”的概念。需要说明的是，在本专利技术中，也可以用“D”表示“氘”。在本说明书中，表述“取代或未取代的”表示被一个或多个选自以下的取代基取代：卤素、氰基、羟基、烷氧基、烷基、芳基、杂芳基，优选为氟、氰基、甲氧基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、苯基、联苯基、萘基、菲基、芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、吡啶基、喹啉基、苯基吡啶基、吡啶基苯基等；或者没有取代基。在本说明书中，烷基可以为直链或支链的，且碳原子数没有特别限制，但优选为1～12个，进一步优选1～6。烷基的具体实例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、辛基、癸基等。在本说明书中，芳基没有特别限制，但优选具有6～30个碳原子。芳基的具体实例包括苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基等。在本说明书中，杂芳基为包含O、N、S、Si中的一个以上作为杂原子的杂芳基，碳原子数目优选为3-30个。杂芳基的具体实例包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、噁唑基等。作为本专利技术的组合物包含通式(1)所示的第一化合物和通式(2)所示的第二化合物，其中，在通式(1)中，n选自0或1；Ar独立地选自C1～C12烷基、C1～C12烷氧基、硅烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基中的一种；L为单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基或者取代或未取代的C3～C30亚杂芳基；R'独立地选自氢、C1～C12烷基、C1～C12烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、氨基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种，(R')m代表相应的芳香环上可以具有多个取代基，m为0～最大允许取代数；上述“取代或未取代”中的取代，表示被一个或多个选本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种组合物，其包含通式(1)所示的第一化合物和通式(2)所示的第二化合物，/n

【技术特征摘要】
1.一种组合物，其包含通式(1)所示的第一化合物和通式(2)所示的第二化合物，



其中，
在通式(1)中，
n选自0或1；Ar独立地选自C1～C12烷基、C1～C12烷氧基、硅烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基中的一种；
L为单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基或者取代或未取代的C3～C30亚杂芳基；
R'独立地选自氢、C1～C12烷基、C1～C12烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、氨基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种，(R')m代表相应的芳香环上可以具有多个取代基，m为0～最大允许取代数；
上述“取代或未取代”中的取代，表示被一个或多个选自C1～C12的烷基、C1～C12的烷氧基、C6～C30的芳基、C3～C30的杂芳基、氰基、羟基中的取代基所取代，取代基的连接键“—”划过环结构的表示方式，表示连接位点于该环结构上任意能够成键的位置，



通式(2)中，R1～R6独立的选自氢、卤素、氰基、氰基苯基、硝基、C1～C12烷基、C3～C12的环烷基、C1～C12烷氧基或者取代或者未取代的C5～C60的含有两个以上稠合环的杂芳基，并且，R1～R6中的至少一个为氰基或者氰基苯基，且R1～R6中的至少一个为取代或者未取代的C5～C60含有两个以上稠合环的杂芳基，
所述含有两个以上稠合环的杂芳基如式(3)所示，其中A环和/或B环独立的选自苯、呋喃、噻吩、噻唑、吡啶或嘧啶，中间的双线代表共轭双键；所述A环和/或B环可以进一步独立地与苯、呋喃、噻吩、噻唑、吡啶或嘧啶稠合；所述的苯、呋喃、噻吩、噻唑、吡啶或嘧啶，可以被一个或多个选自卤素、氨基、羟基、氰基、硝基，C1～C12的烷基、C3～C12的环烷基、C1～C12烷氧基、C6～C60的芳基或者C3～C60的杂芳基所取代；





2.根据权利要求1所述的组合物，其中，通式(1)所示的化合物中，L为单键、或者选自取代或未取代的C6～C30亚芳基或者取代或未取代的含1～2个N原子的C3～C30亚杂芳基。


3.根据权利要求1所述的组合物，其中，通式(1)所示的化合物为下式(3-1)-(3-4)所示的化合物，



其中的Ar、L、n与上述含义相同，
Ar为取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基中的一种。


4.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，Ar为取代或未取代的C3～C30杂芳基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基中的一种；
优选Ar为取代或未取代的C3～C30且含N原子的杂芳基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基中的一种。


5.根据权利要求1或2所述的组合物，其中Ar为取代或未取代的C3～C30富电子基团。


6.根据权利要求5所述的组合物，其中，取代或未取代的C3～C30富电子基团为下述通式Hy1、Hy2、Hy3、或Hy4表示的基团，



*表示与L的连接位点；
式(Hy1)中，E1选自单键、CR20R21、NR22、O、S或Si，G1-G8分别独立的选自CR11或N；
式(Hy2)中，E2选自CR23R24、NR25、O或S，G9-G16分别独立的选自CR12或N；i选自0～2的整数；
式(Hy3)中，E3和E4选自单键、CR13R14、NR15、O、S或Si，且E3和E4不同时为单键，G17-G24分...

【专利技术属性】
技术研发人员：高文正，魏金贝，徐超，王冰，
申请(专利权)人：北京鼎材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11