一种有机电致发光及其应用制造技术

本发明专利技术公开了一种材料组合物，其包含通式(1)所示的第一化合物和通式(2)所示的第二化合物，

【技术实现步骤摘要】
一种有机电致发光及其应用
本专利技术涉及一种新型有机化合物，尤其涉及一种用于有机电致发光器件的化合物及在有机电致发光器件中的应用。
技术介绍
当前，OLED显示技术已经在智能手机，平板电脑等领域获得应用，进一步还将向电视等大尺寸应用领域扩展，但是，和实际的产品应用要求相比，OLED的发光效率和使用寿命等性能还需要进一步提升。OLED中最早利用的染料是纯有机小分子发光材料。基于此类材料的器件，寿命长并且效率滚降小。但是，材料只能利用25％的S1发光，而占75％的T1因为自旋禁阻的原因只能通过非辐射跃迁的途径损失掉。1998年，美国普林斯顿大学的Forrest等首次报道了基于T1发光的PHOLEDs。利用重金属Pt原子造成的旋轨耦合效应使得T1在室温下即可有效的发光，从而能够理论上实现100％的内量子效率。但是，同样也是因为重金属的存在，使得磷光染料的价格昂贵，特别是稀有金属Ir配合物。2012年，日本九州大学的Adachi教授发现的基于三线态-单线态跃迁的热激活延迟荧光(TADF)材料利用环境热量可实现能量从三线态激发态向单线态激发态的逆向系间窜越，无需使用高成本的稀有金属即可实现高发光效率。但是TADF材料在实现高效率的同时，实现长寿命的难度大。在磷光材料体系中，通过发光层中主客体掺杂可以有效地提高OLED的效率，但是在荧光材料体系中，由于三线态激子的辐射跃迁是禁阻的，对电致发光材料的贡献很小，三线态能量的损失导致器件效率较低。
技术实现思路
如上所述，为了在有机电致发光器件中得到高的发光效率，降低器件的效率滚降，本专利技术提供一种有机电致发光器件用的有机发光材料组合作为发光层主体，该材料组合中含有一类具有TADF性质的化合物。通过使用本专利技术所述材料组合，可实现激子在主体上复合形成激子，通过反向系间穿越过程实现三线态激子能量的利用，使得有机电致发光器件的效率和寿命得到很大提升。本专利技术的技术方案如下：一种材料组合物，其包含通式(1)所示的第一化合物和通式(2)所示的第二化合物，在通式(1)中：n为0或1；Ar选自C1～C12烷基、C1～C12烷氧基、硅烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基中的一种；L选自单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基、取代或未取代的C3～C30亚杂芳基中的一种；R1表示单取代基到最大允许取代基，式(1)中的各个R1可以相同或不同，具体说，R1独立地选自氢、C1～C12烷基、C1～C12烷氧基、卤素、氰基、烷基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；R1可以与相连接的芳环稠合形成C9～C30芳基或杂芳基，所形成的芳基或杂芳基任选地被0、1、2、3、4或5个各自独立地选自取代或未取代的C1～C12烷基、卤素、氰基、硅烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的取代基所取代。进一步的，通式(1)优选为下述通式(3-1)至(3-4)所示：上述式(3-1)至(3-4)中，Ar、L和n的定义均与在式(1)中的定义相同；进一步的，式(1)和式(3-1)至(3-4)中，Ar优选为取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基中的一种；更进一步的，Ar优选为C3～C30给电子基团；更进一步的，Ar优选为取代或未取代的C3～C30且含N原子的杂芳基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基中的一种；再进一步的，Ar优选为取代或未取代的下述结构：*表示与L的连接位点；式(Hy1)中，E1选自单键、CR5R6、NR7、O、S或Si，G1-G8分别独立的选自CR11或N；式(Hy2)中，E2选自CR8R9、NR10、O或S，G9-G16分别独立的选自CR12或N；i选自0～2的整数；式(Hy3)中，E3和E4选自单键、CR13R14、NR15、O、S或Si，且E3和E4不同时为单键，G17-G24分别独立的选自CR16或N；式(Hy4)中，R17和R18独立地选自取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；R5～R7、R8～R10和R13～R15彼此相同或不同，各自独立地选自氢、C1～C12烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；R19、R11、R12和R16彼此相同或不同，各自独立地选自氢、C1～C12烷基、C1～C12烷氧基、卤素、氰基、硅烷基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；上述的R19、R11、R12、R17、R18和R16中相邻的两个之间可以稠合成环，或者R19、R11、R12、R13、R14和R16各自独立地可以与相连接的苯环稠合形成C9～C30芳基或杂芳基，所形成的芳基或杂芳基任选地被0、1、2、3、4或5个各自独立地选自取代或未取代的C1～C12烷基、卤素、氰基、硅烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的取代基所取代。再进一步的，Ar优选为取代或未取代的下述S10-S24所示的结构：结构式S10-S24中：E2’选自O或S，波浪形代表连接位点。进一步的，式(1)和式(3-1)至(3-4)中，L优选为单键或如下式(L-1)所示：式(L-1)中：p和q分别独立选自0或1，且不同时为0；A和B分别独立地选自取代或者未取代的以下S1-S8所示的结构：本专利技术中的第二化合物如下述通式(2)所示：式(2)中：D选自O、S或NR”；R”选自氢原子、C1-C10的烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C3-C30杂芳基中的一种；Ar1选自取代或未取代的C3-C30杂芳基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基中的一种；L1选自单键、取代或未取代的C6-C30亚芳基或者取代或未取代的C3-C30亚杂芳基。m为1-4的整数，优选为1或2；当m≥2时，式(2)中的两个或两个以上的L1可以相同或不同，两个或两个以上的Ar1可以相同或不同；Z1-Z8分别独立地选自C、CR2或者N，上述R2独立地选自氢、C1～C12烷基、C1～C12烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、氨基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C30芳基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种材料组合物，其包含通式(1)所示的第一化合物和通式(2)所示的第二化合物：/n

【技术特征摘要】
1.一种材料组合物，其包含通式(1)所示的第一化合物和通式(2)所示的第二化合物：



式(1)中：n为0或1；
Ar选自C1～C12烷基、C1～C12烷氧基、硅烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基中的一种；
L选自单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基、取代或未取代的C3～C30亚杂芳基中的一种；
R1表示单取代基到最大允许取代基，式(1)中的各个R1可以相同或不同，具体说，R1独立地选自氢、C1～C12烷基、C1～C12烷氧基、卤素、氰基、硅烷基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；
式(2)中：
D选自O、S或NR”；R”选自氢原子、C1-C10的烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C3-C30杂芳基中的一种；
Ar1选自取代或未取代的C3-C30杂芳基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基中的一种；
L1选自单键、取代或未取代的C6-C30亚芳基、取代或未取代的C3-C30亚杂芳基中的一种；
m为1-4的整数，优选为1或2；
当m≥2时，式(2)中的两个或两个以上的L1可以相同或不同，两个或两个以上的Ar1可以相同或不同；
Z1-Z8分别独立地选自C、CR2或者N，R2独立地选自氢、C1～C12烷基、C1～C12烷氧基、卤素、氰基、硅烷基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；
上述R1与R2各自独立地可以与其相连接的芳环稠合形成C9～C30芳基或杂芳基，所形成的芳基或杂芳基任选地被0、1、2、3、4或5个各自独立地选自取代或未取代的C1～C12烷基、卤素、氰基、硅烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的取代基所取代；
当上述基团存在取代基时，所述取代基团分别独立选自卤素、C1-C10的烷基或环烷基、C2-C10烯基、C1-C6的烷氧基或硫代烷氧基基团、C6-C30的单环芳烃或稠环芳烃基团、C3-C30的单环杂芳烃或稠环杂芳烃基团中的一种。


2.根据权利要求1所述的材料组合物，其中所述第一化合物和第二化合物的质量比为1:99-99:1，优选1:1-20:1。


3.根据权利要求1或2所述的材料组合物，其中通式(1)如下述通式(3-1)至(3-4)所示：



上述式(3-1)至(3-4)中，Ar、L和n的定义均与在式(1)中的定义相同。


4.根据权利要求1或3所述的材料组合物，其中，通式(1)和式(3-1)至(3-4)中：
Ar为取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基中的一种；
Ar优选为C3～C30给电子基团；
Ar更优选为取代或未取代的C3～C30且含N原子的杂芳基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基中的一种。


5.根据权利要求1或3所述的材料组合物，其中，通式(1)和式(3-1)至(3-4)中，Ar选自取代或未取代的下述结构：



*表示与L的连接位点；
式(Hy1)中，E1选自单键、CR5R6、NR7、O、S或Si，G1-G8分别独立的选自CR11或N；
式(Hy2)中，E2选自CR8R9、NR10、O或S，G9-G16分别独立的选自CR12或N；i选自0～2的整数；
式(Hy3)中，E3和E4选自单键、CR13R14、NR15、O、S或Si，且E3和E4不同时为单键，G17-G24分别独立的选自CR16或N；
式(Hy4)中，R17和R18独立地选自取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；
R5～R7、R8～R10和R13～R15彼此相同或不同，各自独立地选自氢、C1～C12烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；
R19、R11、R12和R16彼此相同或不同，各自独立地选自氢、C1～C12烷基、C1～C12烷氧基、卤素、氰基、硅烷基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；
上述的R19、R11、R12、R16、R17和R18中相邻的两个之间可以稠合成环，或者R19、R11、R12、R16、R17和R18各自独立地可以与相连接的苯环稠合形成C9～C30芳基或杂芳基，所形成的芳基或杂芳基任选地被0、1、2、3、4或5个各自独立地选自取代或未取代的C1～C12烷基、卤素、氰基、硅烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的取代基所取代。


6.根据权利要求1或3所述的材料组合物，其中，通式(1)和式(3-1)至(3-4)中，Ar为取代或未取代下述S1...

【专利技术属性】
技术研发人员：高文正，魏金贝，代志宏，
申请(专利权)人：北京鼎材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11