复合材料及其制备方法和量子点发光二极管技术

本发明专利技术属于材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。所述复合材料包括p型金属氧化物纳米颗粒和分散在所述p型金属氧化物纳米颗粒中的氮掺杂石墨炔。将氮掺杂石墨炔分散在p型金属氧化物纳米颗粒中，形成的复合材料用于空穴传输材料，可以提高空穴传输效率，从而提高器件的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
复合材料及其制备方法和量子点发光二极管
本专利技术属于材料
，具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。
技术介绍
量子点发光二极管(QLED)由于其拥有高发光效率、高色纯度、窄发光光谱、发射波长可调等优点而成为新一代优秀显示技术，而目前限制QLED大规模商业应用的主要问题在于其器件寿命较低以及稳定性较差，其中最主要的问题在于器件结构中的空穴注入层、空穴传输层效率太低，无法与电子传输效率平衡。目前，空穴传输层材料的传输性能普遍远低于电子传输层，器件的电荷传输难以达到平衡，电子容易在电子层堆积甚至越过量子点发光层直接到达空穴层复合，导致发光效率低下。PEDOT：PSS(聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸)是具有高透光率、高功函数的优秀导电材料，是目前最常用的QLED空穴注入层材料，然而大量研究表明，PEDOT:PSS具有酸性和易吸水等特点，容易腐蚀电极、破坏器件稳定性。而金属氧化物空穴传输材料性质和使用寿命更为稳定，但空穴传输效率一般较低。石墨炔是一种具有天然直接带隙，拥有媲美石墨烯材料导电性能，以及在室温下本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包括p型金属氧化物纳米颗粒和分散在所述p型金属氧化物纳米颗粒中的氮掺杂石墨炔。/n

【技术特征摘要】
1.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包括p型金属氧化物纳米颗粒和分散在所述p型金属氧化物纳米颗粒中的氮掺杂石墨炔。


2.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述氮掺杂石墨炔中的氮原子与所述p型金属氧化物纳米颗粒结合。


3.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述氮掺杂石墨炔中的氮原子以sp-N键取代炔键碳原子的形式掺杂进入石墨炔结构中。


4.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述氮掺杂石墨炔中，被氮取代的炔键的数量比为10-50％；和/或，
所述p型金属氧化物纳米颗粒与所述氮掺杂石墨炔的质量比为100：(2-10)。


5.如权利要求1所述的空穴传输材料，其特征在于，所述氮掺杂石墨炔的粒径为1-10nm；和/或，
所述氮掺杂石墨炔选自氮掺杂石墨炔纳米微球、氮掺杂石墨炔纳米线、氮掺杂石墨炔纳米棒和氮掺杂石墨炔纳米锥中的至少一种；和/或，
所述氮掺杂石墨炔选自氮掺杂α-石墨炔、氮掺杂β-石墨炔、氮掺杂γ-石墨炔、氮掺杂δ-石墨炔和氮掺杂6,6,12-石墨炔中的至少一种；和/或，
所述p型金属氧化物纳米颗粒选自氧化镍纳米颗粒、氧化钼纳米颗粒、氧化钒纳米颗粒和氧化钨纳米颗粒中的至少一种。


6.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供氮掺杂石...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴劲衡，吴龙佳，何斯纳，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44