量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极，在所述阳极和所述阴极之间设置的量子点发光层，以及设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴功能叠层，所述空穴功能叠层包括空穴注入层，在所述空穴注入层上设置的空穴传输层，以及设置在所述空穴注入层和所述空穴传输层之间的界面层，其中，所述空穴注入层邻近所述阳极设置，且所述空穴注入层的材料含有过渡金属氧化物；所述空穴传输层邻近所述量子点发光层设置，且所述空穴传输层的材料含有有机空穴传输材料；所述界面层的材料为石墨烯类材料。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管及其制备方法
本专利技术属于光电显示
，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
技术介绍
由于量子点独特的光电性质，例如发光波长随尺寸和成分连续可调、发光光谱窄、荧光效率高、稳定性好等，基于量子点的电致发光二极管(QLED)在显示领域得到广泛的关注和研究。此外，QLED显示还具有可视角大、对比度高、响应速度快、可柔性等诸多LCD所无法实现的优势，因而有望成为下一代的显示技术。经过几十年的发展，QLED的性能取得了很大的提高，已经步入商业化的轨道，但一些瓶颈也愈发凸显，制约着QLED的发展。其中一个严重的问题就是空穴和电子不平衡，电子在量子点发光层过量，导致量子点荧光猝灭以及俄歇复合，严重制约QLED的使用寿命。而导致QLED电子空穴不平衡的根源在于：金属氧化物电子传输层(尤其是ZnO)的导带底能级与量子点的导带底能级接近，电子注入势垒很小；而有机空穴传输层的HOMO能级与量子点价带顶能级差距较大，一般>0.5eV以上；能级的不匹配导致电子更容易注入到量子点发光层。此外，金属氧化物的电子迁移率一般也大于有机本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括相对设置的阳极和阴极，在所述阳极和所述阴极之间设置的量子点发光层，以及设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴功能叠层，所述空穴功能叠层包括空穴注入层、在所述空穴注入层上设置的空穴传输层以及设置在所述空穴注入层和所述空穴传输层之间的界面层，其中，所述空穴注入层邻近所述阳极设置，且所述空穴注入层的材料含有过渡金属氧化物；所述空穴传输层邻近所述量子点发光层设置，且所述空穴传输层的材料含有有机空穴传输材料；所述界面层的材料为石墨烯类材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括相对设置的阳极和阴极，在所述阳极和所述阴极之间设置的量子点发光层，以及设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴功能叠层，所述空穴功能叠层包括空穴注入层、在所述空穴注入层上设置的空穴传输层以及设置在所述空穴注入层和所述空穴传输层之间的界面层，其中，所述空穴注入层邻近所述阳极设置，且所述空穴注入层的材料含有过渡金属氧化物；所述空穴传输层邻近所述量子点发光层设置，且所述空穴传输层的材料含有有机空穴传输材料；所述界面层的材料为石墨烯类材料。


2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述界面层的材料选自未改性石墨烯、氧化石墨烯、还原的氧化石墨烯、石墨烯量子点中的至少一种。


3.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述界面层的材料选自还原的氧化石墨烯和/或石墨烯量子点。


4.如权利要求1至3任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，界面层的厚度为1nm～30nm。


5.如权利要求3所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述界面层的材料为还原的氧化石墨烯，界面层的厚度为1nm～5nm。


6.如权利要求3所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述界面层的材料为石墨烯量子点，界面层的厚度为2nm～15nm。


7.如权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述界面层的材料为未改性石墨烯，界面层的厚度小于等于10nm。


8.如权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述界面层的材料为氧化石墨烯，界面层的厚度为5nm～10nm。

【专利技术属性】
技术研发人员：苏亮，谢相伟，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44