一种量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种量子点发光二极管及其制备方法，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述阴极和量子点发光层之间的叠层，其中，所述叠层包括层叠设置的第一电子传输层、Ag纳米岛层和第二电子传输层，所述第一电子传输层靠近所述量子点发光层设置，所述第二电子传输层靠近所述阴极设置，所述Ag纳米岛层设置在所述第一电子传输层和所述第二电子传输层之间。本发明专利技术通过插入一层Ag纳米岛，当Ag纳米岛的等离子体共振波长与发光波长相匹配时，引发的局域表面等离子体共振能增强量子点纳米颗粒附近区域的电磁场，抑制激子的淬灭，降低激子寿命，从而增强辐射发光的几率，提高器件发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种量子点发光二极管及其制备方法
本专利技术涉及量子点发光器件领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
技术介绍
自从L.E.Brus等人首次制备出胶体量子点(colloidalquantumdots，简称QDs)以来，胶体量子点凭借其独特的光学特性，比如禁带宽度易调谐、吸收光谱范围宽、光谱纯度高和光/化学性能稳定等，吸引了研究者的广泛关注和研究。在材料科学上取得的如此大的进展，使得基于QDs的LEDs(简称：QLED)替代传统的无机和有机LEDs成为经济的，稳定的和高效能的下一代显示器成为可能。目前已有研究将一些贵金属纳米颗粒引入发光器件中，利用贵金属纳米颗粒引发的局域表面等离子体共振（LSPR），以此来提高器件发光效率。本专利技术提出一种基于Ag纳米岛掺杂的电子传输层。由于Ag纳米线引发的局域表面等离子体共振（LSPR）能增强量子点纳米颗粒附近区域的电磁场强度，抑制激子的淬灭，降低激子寿命，从而增强辐射发光的几率，提高器件发光效率。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种量子点本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述阴极和量子点发光层之间的叠层，其特征在于，所述叠层包括层叠设置的第一电子传输层、Ag纳米岛层和第二电子传输层，所述第一电子传输层靠近所述量子点发光层设置，所述第二电子传输层靠近所述阴极设置，所述Ag纳米岛层设置在所述第一电子传输层和所述第二电子传输层之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述阴极和量子点发光层之间的叠层，其特征在于，所述叠层包括层叠设置的第一电子传输层、Ag纳米岛层和第二电子传输层，所述第一电子传输层靠近所述量子点发光层设置，所述第二电子传输层靠近所述阴极设置，所述Ag纳米岛层设置在所述第一电子传输层和所述第二电子传输层之间。


2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一电子传输层的厚度为3~10nm。


3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述Ag纳米岛层的厚度为5~20nm。


4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第二电子传输层的厚度为10~80nm。


5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点的发光波长为440~480nm，所述第一电子传输层的厚度为3~5nm，所述Ag纳米岛层的厚度为15~20nm。


6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点的发光波长为510~550nm，所述第一电子传输层的厚度为6~8nm，所述Ag纳米岛层的厚度为10~15nm。


7.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：范嘉城，黎瑞锋，刘文勇，曹蔚然，钱磊，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44