量子点电致发光器件及显示器制造技术

本发明专利技术涉及一种使用寿命长的量子点电致发光器件及显示器。该量子点电致发光器件以及含有该量子点电致发光器件的显示器，通过在量子点发光层上设置电子传输层和惰性金属层，其中电子传输层包括层叠设置的无机电子传输层和有机电子传输层，惰性金属层中含有金属活动性排在氢之后的惰性金属，这样惰性金属层与电子传输层和量子点发光层相互配合，可以显著延长整个量子点电致发光器件的使用寿命，提高发光的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
量子点电致发光器件及显示器
本专利技术涉及电致发光
，尤其是涉及一种量子点电致发光器件及显示器。
技术介绍
纳米晶体半导体材料，又称纳米晶，是由有限数目的原子组成，至少两个维度尺寸均在纳米数量级，外观似一极小的点状物或棒状物/线状物，其内部电子运动在二维空间都受到了限制，量子限域效应特别显著。纳米晶体半导体材料受到光或电的激发，会发出半峰宽很窄的光谱(通常半峰宽小于40nm)，发光颜色主要由粒子大小决定，发光具有光色纯度高、发光量子效率高、性能稳定等特点。纳米晶体半导体材料由于上述优点，在下一代显示技术中具有巨大的应用潜力。激发方式通常有光致发光和电致发光两种方式。光致发光方式主要是以蓝光LED作为激发光源，应用在照明领域和LCD显示的背光模组等。电致发光器件可以应用于照明和显示领域，尤其显示应用前景更为宽广。以纳米晶体半导体材料制作的电致发光器件作为一种新兴的发光器件，近年来受到了广泛的关注。由于量子限域效应的特征，以纳米晶体半导体材料制备的电致发光二极管，也被称为QLED(Q代表量子的含义，具体发光材料可包括点状、棒状或线状的材料)。与传统的有机发光二极管(OLED)相比，QLED具有更加优异的色纯度、亮度和可视角等特点。纳米晶体半导体材料可分散于溶剂中配制成墨水等印刷材料，适用于溶液法制备，可采用打印、移印、旋涂、刮涂等方法制造发光薄膜，实现大面积溶液加工。如采用与喷墨打印(InkjetPrinting)相类似的按需喷墨(DroponDemand)工艺，可以精确地按所需量将发光材料沉积在设定的位置，沉积形成精密像素薄膜结构，以制造大尺寸彩色QLED显示屏。这些特点使得以纳米晶体半导体材料作为发光层的QLED在固态照明、平板显示等领域具有广泛的应用前景，受到了学术界以及产业界的广泛关注。通过对纳米晶体半导体材料的改进以及QLED器件结构的不断优化，现有QLED器件的发光性能得到了大幅度的提高，但仍有某些性能不能满足要求，尤其是器件长期服役寿命与产业化生产的要求还有一定差距。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种使用寿命长的量子点电致发光器件及显示器。一种量子点电致发光器件，包括基底、阳极层、发光层、电子传输层和惰性金属层，所述阳极层设于所述基底上，所述发光层设于所述阳极层上，所述电子传输层设于所述发光层上，所述惰性金属层设于所述电子传输层上；所述发光层为量子点发光层；所述电子传输层包括层叠设置的无机电子传输层和有机电子传输层；所述惰性金属层中含有金属活动性排在氢之后的惰性金属。在其中一个实施例中，所述惰性金属层构成阴极层；或者所述惰性金属层构成电子注入层，所述量子点电致发光器件还包括设于所述惰性金属层之上的阴极层，且所述阴极层的材质不同于所述惰性金属层的材质。在其中一个实施例中，所述惰性金属选自铜、银、铂及金中的至少一种。在其中一个实施例中，所述惰性金属层中除所述惰性金属之外，还含有金属活动性较所述惰性金属活跃的其他金属。在其中一个实施例中，所述其他金属选自镁、钙、铝及镱中的至少一种。在其中一个实施例中，所述惰性金属层中惰性金属与其他金属的体积比是99:1～50:50。在其中一个实施例中，所述无机电子传输层的材质选自不掺杂或用镁、钇以及钪中至少一种金属掺杂的ZnO和/或TiO2；和/或所述有机电子传输层的材质选自含有或不含有取代基的蒽、芴、三嗪、萘、菲、芘、喹啉、荧蒽、苯并蒽、邻菲罗啉、三亚苯、吡啶、嘧啶、咪唑、二唑、噁二唑以及上述各化合物的衍生物中的至少一种；和/或所述量子点发光层的材质选自以CdSe、CdS、CdTe、PbS、PbTe、ZnSe、InP、CuZnS、CuZnSe、CuZnCdS、CuZnInSe以及CuInP为核心的量子点中的至少一种。在其中一个实施例中，所述无机电子传输层的材质是ZnO，所述有机电子传输层的材质是Alq3，所述惰性金属层的材质是Ag；或者所述无机电子传输层的材质是ZnO，所述有机电子传输层的材质是Alq3，所述惰性金属层的材质是AgMg合金；或者所述无机电子传输层的材质是ZnMgO，所述有机电子传输层的材质是Alq3，所述惰性金属层的材质是Ag；或者所述无机电子传输层的材质是ZnMgO，所述有机电子传输层的材质是N-164，所述惰性金属层的材质是Ag；或者所述无机电子传输层的材质是ZnMgO，所述有机电子传输层的材质是N-164与LiQ的混合材质，所述惰性金属层的材质是Ag。在其中一个实施例中，所述无机电子传输层的厚度是15nm～30nm；所述有机电子传输层的厚度是10nm～20nm；所述惰性金属层的厚度是8nm～20nm或者是150nm～200nm。在其中一个实施例中，所述发光层的材质是CdSe核/ZnS壳量子点，厚度是15nm～25nm。一种显示器，含有上述任一实施例所述的量子点电致发光器件。上述量子点电致发光器件以及含有该量子点电致发光器件的显示器，通过在量子点发光层上设置电子传输层和惰性金属层，其中电子传输层包括层叠设置的无机电子传输层和有机电子传输层，惰性金属层中含有金属活动性排在氢之后的惰性金属，这样惰性金属层与电子传输层和量子点发光层相互配合，可以显著延长整个量子点电致发光器件的使用寿命，提高发光的稳定性。附图说明图1为本专利技术一实施例的量子点电致发光器件的结构示意图。具体实施方式为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的较佳实施例。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容的理解更加透彻全面。需要说明的是，当元件被称为“设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。如图1所示，本专利技术提供了一种量子点电致发光器件10，其包括基底100、阳极层200、发光层300、电子传输层400和惰性金属层500。其中，阳极层200设于基底100上，发光层300设于阳极层200上，电子传输层400设于发光层300上，惰性金属层500设于电子传输层400上。发光层300为量子点发光层。电子传输层400包括层叠设置的无机电子传输层410和有机电子传输层420。惰性金属层500中含有金属活动性排在氢之后的惰性金属。惰性金属层500可以直接构成阴极层，厚度可以在10nm～200nm范围内，具体地，当器件为顶发射器件结构时，惰性金属层较薄，一般为8nm～20nm本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点电致发光器件，其特征在于，包括基底、阳极层、发光层、电子传输层和惰性金属层，所述阳极层设于所述基底上，所述发光层设于所述阳极层上，所述电子传输层设于所述发光层上，所述惰性金属层设于所述电子传输层上；所述发光层为量子点发光层；所述电子传输层包括层叠设置的无机电子传输层和有机电子传输层；所述惰性金属层中含有金属活动性排在氢之后的惰性金属。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点电致发光器件，其特征在于，包括基底、阳极层、发光层、电子传输层和惰性金属层，所述阳极层设于所述基底上，所述发光层设于所述阳极层上，所述电子传输层设于所述发光层上，所述惰性金属层设于所述电子传输层上；所述发光层为量子点发光层；所述电子传输层包括层叠设置的无机电子传输层和有机电子传输层；所述惰性金属层中含有金属活动性排在氢之后的惰性金属。


2.如权利要求1所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述惰性金属层构成阴极层；或者
所述惰性金属层构成电子注入层，所述量子点电致发光器件还包括设于所述惰性金属层之上的阴极层，且所述阴极层的材质不同于所述惰性金属层的材质。


3.如权利要求2所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述惰性金属选自铜、银、铂及金中的至少一种。


4.如权利要求2所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述惰性金属层中除所述惰性金属之外，还含有金属活动性较所述惰性金属活跃的其他金属。


5.如权利要求4所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述其他金属选自镁、钙、铝及镱中的至少一种。


6.如权利要求4所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述惰性金属层中惰性金属与其他金属的体积比是99:1～50:50。


7.如权利要求1～6中任一项所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述无机电子传输层的材质选自不掺杂或用镁、钇以及钪中至少一种金属掺杂的ZnO和/或TiO2；和/或
所述有机电子传输层的材质选自含有或不含有取代基的蒽、芴、三嗪、萘、菲、、芘、喹啉、荧蒽、苯并蒽、邻菲罗啉、...

【专利技术属性】
技术研发人员：李哲，宋晶尧，付东，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44