量子点发光二极管的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供基板，将所述基板置于含有活性气体的惰性气氛中，在所述基板表面打印量子点墨水，制备量子点发光层。本发明专利技术提供的量子点发光二极管的制备方法，改变喷墨打印成膜氛围，在含有活性气体的惰性气氛中制备量子点发光层，可以在保证量子点墨水打印性的同时，提高量子点发光二极管的器件效率。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管的制备方法
本专利技术属于显示
，尤其涉及一种量子点发光二极管的制备方法。
技术介绍
量子点(quantumdots)，又称半导体纳米晶，其三维尺寸均在纳米范围内(1-100nm)，是一种介于体相材料和分子间的纳米颗粒论。量子点具有量子产率高、摩尔消光系数大、光稳定性好、窄半峰宽、宽激发光谱和发射光谱可控等优异的光学性能，非常适合用作发光器件的发光材料。近年来，量子点荧光材料由于其光色纯度高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，广泛被看好用于平板显示领域，成为极具潜力的下一代显示和固态照明光源。量子点发光二极管(QuantumDotLightEmittingDiodesQLED)是基于量子点材料作为发光材料的发光器件，由于其具有波长可调、发射光谱窄、稳定性高、电致发光量子产率高等优点，成为下一代显示技术的有力竞争者。溶液加工法是制备QLED器件的常见方法，特别是随着技术的发展，采用喷墨打印技术制备量子点发光层变得常规。喷墨打印技术制备量子点发光层时，对量子点墨水的要求较高，既要保证其具有较好的可打印性，还要具有较好的溶液稳定性。但是，量子点发光二极管器件效率和墨水打印性常常难以兼顾，打印性较好的墨水器件效率通常不高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种量子点发光二极管的制备方法，旨在解决喷墨打印量子点发光层时，量子点发光二极管器件效率和墨水打印性常常难以兼顾，打印性较好的墨水器件效率不高的问题。为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供基板，将所述基板置于含有活性气体的惰性气氛中，在所述基板表面打印量子点墨水，制备量子点发光层本专利技术提供的量子点发光二极管的制备方法，改变喷墨打印成膜氛围，在含有活性气体的惰性气氛中制备量子点发光层，可以在保证量子点墨水打印性的同时，提高量子点发光二极管的器件效率。附图说明图1是本专利技术实施例提供的量子点发光二极管的制备方法流程图。具体实施方式为了使本专利技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。如图1所示，本专利技术实施例提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：S01.提供基板，将所述基板置于含有活性气体的惰性气氛中，在所述基板表面打印量子点墨水，制备量子点发光层。本专利技术实施例提供的量子点发光二极管的制备方法，改变喷墨打印成膜氛围，在含有活性气体的惰性气氛中制备量子点发光层，可以在保证量子点墨水打印性的同时，提高量子点发光二极管的器件效率。具体的，量子点发光二极管分正型结构和反型结构。正型结构包括层叠设置的阳极、阴极和设置在阳极和阴极之间的量子点发光层，正型结构的阳极设置在衬底上，在阳极和量子点发光层之间还可以设置空穴传输层、空穴注入层和电子阻挡层等空穴功能层，在阴极和量子点发光层之间还可以设置电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层等电子功能层。反型结构包括层叠设置的阳极、阴极和设置在阳极和阴极之间的量子点发光层，反型结构的阴极设置在衬底上，在阳极和量子点发光层之间还可以设置空穴传输层、空穴注入层和电子阻挡层等空穴功能层，在阴极和量子点发光层之间还可以设置电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层等电子功能层。上述步骤S01中，对于正型器件而言，设置在衬底上的底电极为阳极，在本专利技术的一种实施方式中，所述基板可以为衬底上设置底电极；在本专利技术的又一种实施方式中，所述基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极和层叠设置在衬底表面的空穴传输层；在本专利技术的又一种实施方式中，所述基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极、层叠设置在衬底表面的空穴注入层和层叠设置在空穴注入层表面的空穴传输层；在本专利技术的还一种实施方式中，所述基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极、层叠设置在衬底表面的空穴注入层、层叠设置在空穴注入层表面的空穴传输层和层叠设置在空穴传输层表面的电子阻挡层。对于反型器件而言，设置在衬底上的底电极为阴极，在本专利技术的一种实施方式中，所述基板可以为衬底上设置底电极；在本专利技术的又一种实施方式中，所述基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极和层叠设置在衬底表面的电子传输层；在本专利技术的又一种实施方式中，所述基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极、层叠设置在衬底表面的电子注入层和层叠设置在电子注入层表面的空穴传输层；在本专利技术的还一种实施方式中，所述基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极、层叠设置在衬底表面的电子注入层、层叠设置在电子注入层表面的电子传输层和层叠设置在电子传输层表面的空穴阻挡层。所述衬底的选择没有严格限制，可以采用硬质基板，如玻璃基板；也可以采用柔性基板，如聚酰亚胺基板、聚降冰片烯基板，但不限于此。所述底电极为与顶电极相对的电极，所述底电极可为阴极，也可为阳极。具体的，当所述底电极为阳极时，所述顶电极为阴极；当所述底电极为阴极时，所述顶电极为阳极。在完成本专利技术实施方式的在基板表面制备量子点发光层的步骤后，还包括层叠形成其它功能层的步骤。例如，在一种实施方式中，对于正型器件，还包括在量子点发光层表面形成电子传输层，在电子传输层表面形成顶电极(阴极)的步骤。例如，在一种实施方式中，对于反型器件，还包括在量子点发光层表面形成空穴传输层，在空穴传输层表面形成顶电极(阳极)的步骤。在一些实施例中，所述阳极可以选用ITO，但不限于此。在一些实施例中，所述阴极可以选用金属电极，包括但不限于银电极、铝电极。所述阴极的厚度为60-120nm，具体优选为100nm。将所述基板置于含有活性气体的惰性气氛中，改变喷墨打印成膜氛围，在含有活性气体的惰性气氛中制备量子点发光层，可以在保证量子点墨水打印性的同时，提高量子点发光二极管的器件效率。在一些实施例中，所述活性气体选自饱和脂肪酸、不饱和脂肪酸、酯类、有机碱中的一种或两种以上的组合。此类活性气体由于其特殊的结构性质，有益于功能层性质的提高，是提升QLED器件的外量子效率有效方案。在一些实施例中，所述饱和脂肪酸选自丁酸、辛酸、月桂酸、硬脂酸。在一些实施例中，所述不饱和脂肪酸选自丙烯酸、丁烯酸、甲基丙烯酸、3-戊烯酸。在一些实施例中，所述酯类选自甲基丙烯酸甲酯、丁烯酸乙酯、乙酸乙酯、苯甲酸甲酯。在一些实施例中，所述有机碱选自乙醇胺、四甲基氢氧化铵、苯胺、三乙醇胺。在一些实施例中，所述活性气体选自饱和脂肪酸、不饱和脂肪酸、酯类、有机碱中两种以上的组合。在一些具体实施例中，所述活性气体选本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供基板，将所述基板置于含有活性气体的惰性气氛中，在所述基板表面打印量子点墨水，制备量子点发光层。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供基板，将所述基板置于含有活性气体的惰性气氛中，在所述基板表面打印量子点墨水，制备量子点发光层。


2.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述活性气体选自饱和脂肪酸、不饱和脂肪酸、酯类、有机碱中的一种或两种以上的组合。


3.如权利要求2所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述饱和脂肪酸选自丁酸、辛酸、月桂酸、硬脂酸；
所述不饱和脂肪酸选自丙烯酸、丁烯酸、甲基丙烯酸、3-戊烯酸；
所述酯类选自甲基丙烯酸甲酯、丁烯酸乙酯、乙酸乙酯、苯甲酸甲酯；
所述有机碱选自乙醇胺、四甲基氢氧化铵、苯胺、三乙醇胺。


4.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述活性气体占整体气体气氛的摩尔百分含量的0.01％-15％。


5.如权利要求4所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述活性气体占整体气体气氛的摩尔百分含量的0.1...

【专利技术属性】
技术研发人员：张节，向超宇，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44