量子点发光二极管的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供基板，将所述基板置于含有活性气体的惰性气氛中，在所述基板表面打印量子点墨水，制备量子点发光层。本发明专利技术提供的量子点发光二极管的制备方法，改变喷墨打印成膜氛围，在含有活性气体的惰性气氛中制备量子点发光层，可以在保证量子点墨水打印性的同时，提高量子点发光二极管的器件效率。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管的制备方法
本专利技术属于显示
，尤其涉及一种量子点发光二极管的制备方法。
技术介绍
量子点(quantumdots)，又称半导体纳米晶，其三维尺寸均在纳米范围内(1-100nm)，是一种介于体相材料和分子间的纳米颗粒论。量子点具有量子产率高、摩尔消光系数大、光稳定性好、窄半峰宽、宽激发光谱和发射光谱可控等优异的光学性能，非常适合用作发光器件的发光材料。近年来，量子点荧光材料由于其光色纯度高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，广泛被看好用于平板显示领域，成为极具潜力的下一代显示和固态照明光源。量子点发光二极管(QuantumDotLightEmittingDiodesQLED)是基于量子点材料作为发光材料的发光器件，由于其具有波长可调、发射光谱窄、稳定性高、电致发光量子产率高等优点，成为下一代显示技术的有力竞争者。溶液加工法是制备QLED器件的常见方法，特别是随着技术的发展，采用喷墨打印技术制备量子点发光层变得常规。喷墨打印技术制备量子点发光层时，对量子点墨水的要求较高，既要保证其具有较好的可打印性，还要具有较好的溶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供基板，将所述基板置于含有活性气体的惰性气氛中，在所述基板表面打印量子点墨水，制备量子点发光层。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供基板，将所述基板置于含有活性气体的惰性气氛中，在所述基板表面打印量子点墨水，制备量子点发光层。


2.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述活性气体选自饱和脂肪酸、不饱和脂肪酸、酯类、有机碱中的一种或两种以上的组合。


3.如权利要求2所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述饱和脂肪酸选自丁酸、辛酸、月桂酸、硬脂酸；
所述不饱和脂肪酸选自丙烯酸、丁烯酸、甲基丙烯酸、3-戊烯酸；
所述酯类选自甲基丙烯酸甲酯、丁烯酸乙酯、乙酸乙酯、苯甲酸甲酯；
所述有机碱选自乙醇胺、四甲基氢氧化铵、苯胺、三乙醇胺。


4.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述活性气体占整体气体气氛的摩尔百分含量的0.01％-15％。


5.如权利要求4所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述活性气体占整体气体气氛的摩尔百分含量的0.1...

【专利技术属性】
技术研发人员：张节，向超宇，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44