具有低温度系数的电压和电源基准电路可使元件数最少以减小集成电路芯片面积。带隙电压基准产生低温度系数的电压。电压跟随器接到该带隙电压基准以产生出相应的基准电压。从带隙电压基准来的随温度变化的电流被镜像并提供到电压跟随器的第一电极。电阻（Ｒ...

一种用于封装一个集成电路的方法，提供至少有一个器件位置的有机基片。在器件位置的周围，形成了槽（３１６）和角孔（３１８）。一个缺口（３２６）沿槽的内边（３１５）形成于基片上。在电子器件被安装并用塑料封装壳（３２０）密封好之后，通过冲压最后...

双极型晶体管，包括收集区、集电区中的基区和在基区内的发射区。导电体的一部分位于双极型晶体管的基区宽度之上。使发射区自对准于导电体构成的某部分，最好使发射区扩散进入基区，以便减少基区宽度而不依赖于在基区和导电体构成的该部分之间的非常精确的...

带有侧门（２２０）的托（２００）沿水平位置传送３００ｍｍ的半导体衬底（２５０）。利用侧门（２２０）的密封机构（２２５）产生气密封的小环境。使托（４４０）对准于工具（４３０）。当托被连接于工具时，在托（４４０）与工具（４３０）之间形成间隙...

发光二极管显示组件和其制作方法包括：具有与设置在ＬＥＤ阵列器件的最上表面上的显示连接区相连的行与列的连接区的发光二极管阵列；分开的具有与最上表面相连的连接区的硅驱动器件，协同确定硅驱动器件连接区的位置以与ＬＥＤ器件的连接区接触，用标准的...

一种用于半导体器件（２３）的高温金属化系统。半导体器件（２３）具有多层金属化系统（３６）。金属化系统（３６）的附着层（３７）形成于半导体衬底（２０）上。含镍合金的阻挡层（３８）形成于附着层（３７）上。保护层（３９）形成于阻挡层（３８）上...

ＬＥＤ显示组件和其制作方法，包括ＬＥＤ阵列显示芯片和具有通向最上表面的连接区的驱动器芯片，确定连接区位置以便协同地连接ＬＥＤ芯片的结合区。ＬＥＤ芯片倒装固定到驱动器芯片上，并且在之间设置内部芯片结合电介质。除去基片，将ＬＥＤ和驱动器芯片...

一种非击穿触发静电放电（ＥＳＤ）保护电路（１１），其包括分压器和ＳＣＲ（２２）。分压器包括电容（１７）和电阻（１８）。分压器连接于集成电路的焊盘上，并触发电压，以便在ＥＳＤ作用施加于焊盘上时启动ＳＣＲ（２２）。可使用最坏情况的ＥＳＤ瞬态...

在衬底（１０）上形成浸润端线（１４、１５、３３、４３）来终止封装流体（２７）的流动。浸润端线（１４、１５、３３、４３）的部分由衬底内或上形成的浸润图形的部分的实际边缘形成。这种浸润图形包括布线槽（１１）、凹槽（２８）、孔（３２）上的图形...

引线框架包括有纵向的外栏的主框架，和许多子框架，它们沿着子框架周长的至少一部分伸展的缝从主框架分开。一组其上安装半导体芯片的标识部分从主框架伸展出，和一组引线部分从子框架向标识部分伸展。子框架被弯两次成Ｚ形，以在平行于主框架平面的平面中...

集成电路封装的焊料凸点至衬底的多重连接，包括：提供具有至少一个连接到半导体器件表面的第１互连结构的半导体器件，和具有多个金属化焊接区的衬底；放置至少一个第２互连结构使其与多个金属化焊接区的一个或多个进行对准接触；放置至少一个第１互连结构...

一种小型只读存储器阵列，包括一个或多个只读存储器库，每个包含许多成对的Ｎ＋型位线、许多在顶端和位线垂直的传导性字线及平行于字线的左选择线与右选择线。晶体管单元系由相互毗连的位线之邻接部分及伸于其间的字线部分所形成。当位线与字线制造完成后...

选择填充热可固化粘附膜（１０）包含用来把电子器件回流焊接到基板上的助焊剂。该粘附膜具有中心区域（１２）及包围着该中心区域的边界区域（１４）。该中心区域由填充了用于减小该粘结剂的热膨胀系数的惰性填料的粘结剂组成。该边界区域由未填充粘结剂及...

一种热固化粘接剂（１２）包含一种惰性填充剂以减小粘接剂的热膨胀系数。一倒装片半导体管芯（２０）具有尖形的凸点（２２）使凸点可有效地穿透填充的粘接剂。当基板（２１）上的焊料涂层（２７）回流时，管芯上的倒装片凸点（２２）与基板键合。

一种探测有缺陷的ＣＭＯＳ器件的方法，利用一个做在芯片和（或）圆片一次性面积上的监测电路来监测静态电流的状态。将监测单元加进圆片的划片道中，其中压焊点做在芯片的角上并且通过圆片的金属连线与监测单元连接。监测单元１０根据表示电压随时间衰减的...

一种含有低介电常数介质层的互连结构形成于集成电路的内部。与导电互连相邻的二氧化硅层部分被消除以露出氮化硅腐蚀停止层。在露出的氮化硅腐蚀停止层部分和导电互连上面形成一低介电常数介质层。去除介质层的一部分以露出导电互连的顶部表面，以在相邻导...

电子部件（１０）通过在光产生器件（１６）之上安装罩壳（３０）而形成。罩壳（３０）的顶端部分（３２）提供透镜（３３），透镜（３３）对光产生器件（１６）发出的光信号是透明的。电子部件（１０）的光特性可通过改变罩壳（３０）距光产生器件（１６）...

一种抛光半导体器件上沉积的两种互异导电材料的工艺，可独立抛光每个导电材料，用同一抛光设备提高生产效率。用两种不同的抛光液配方对半导体器件衬底（２５０）的钨层（２５８）和钛层（２５６）进行抛光。两种抛光液从二个不同的源容器（１１１和１１２...

一种用来制备从半导体晶片清除残留物的由二种液体组成的溶液的稀释装置（１００）和方法。各个液体在过滤器（１３０）中被组合成所希望的溶液。不密封的泵（１４１，１４２）由公共马达（１４３）驱动，以便在溶液的流速变化时，以它们各自流速的恒定比率...

电荷耗散场发射器件（２００，３００，４００）包括一个支撑衬底（２１０，３１０，４１０），一个形成其上的阴极（２１５，３１５，４１５），一层形成在阴极（２１５，３１５，４１５）上的具有发射阱（２６０，３６０，４６０）的介质层（２４０，３４...