化学机械平面化装置包括台板、晶片托臂、托架组件、调节臂、和端操纵装置。通过以最小需要的输送速率提供抛光剂确保了不变的晶片平面化，使浆料输送系统降低了浪费。浆料输送系统包括检查阀、隔膜泵、检查阀、背压阀和分配杆。隔膜泵在每个抽运周期提供精...

一种图象传感器（１０），具有图象敏感元件，该元件包括Ｎ型导电区（２６）和Ｐ型嵌入层（３７）。这两个区构成两个深度不同的Ｐ－Ｎ结，提高了不同光频下电荷载流子收集的效率。导电区（２６）是通过有角度的注入形成的，这样可以保证导电区（２６）的一...

一种图象传感器（１０），具有图象敏感元件，该元件包括Ｎ型导电区（２６）和Ｐ型嵌入层（３７）。这两个区构成两个深度不同的Ｐ－Ｎ结，提高了不同光频下电荷载流子收集的效率。导电区（２６）是通过有角度的注入形成的，这样可以保证导电区（２６）的一...

半导体器件（１），具有亚芯片规模封装构造，其中，基板（５０）具有至少一个小于相应半导体管芯（１０）尺寸的Ｘ和Ｙ尺寸。半导体器件（１）在半导体管芯和基板之间具有多个电连线，该电连线（１５，２０）在基板的外周之内。半导体器件（１）允许在晶片...

一种制作互连凸块结构（３２，３３）的方法。公开了含有铬层（１６）、铜层（３６）和锡层（４０）的内凸块合金化１１（ＵＢＭ）。在一个实施例中，在ＵＢＭ（１１）上制作共晶焊料（４５）并回流以形成互连凸块结构。在另一个实施例中，在制作共晶焊料（...

在半导体衬底（１０）上淀积介电层（２８）在半导体器件中制作导电互连（３８）。对介电层（２８）进行图形化以制作互连窗口（２９）。在互连窗口（２９）中制作氮化钽势垒层（３０）。在氮化钽势垒层（３０）上制作含有钯－锡胶体的催化层（３１）。在催...

半导体器件包括一个静态随机存储单元的存储矩阵。与至少三种一般所见的ＳＲＡＭ单元相比，该ＳＲＡＭ单元采用一层半导体层形成。ＳＲＡＭ单元包括许多特点，它们使得器件尺寸可以缩小到非常小的尺寸（小于０．２５微米，并且可能小到０．１微米或更小）。...

在一个实施例中，用在半导体衬底（１０）上淀积介电层（２８）的方法制作铜互连结构。然后对此介电层（２８）进行图形化以形成互连窗口（２９）。再在互连窗口（２９）中制作铜层（３４）。然后清除一部分铜层（３４）以便在互连窗口（２９）中形成铜互连...

一种附接了多个反射面（４２、４４、４６、４８）的拾取装置（３０）。该拾取装置（３０）能拾起一个物体（３８）并能将物体（３８）在一光源（５１）上方移动。这些反射面（４２、４４、４６、４８）能够反射从光源（５１）发出的光束（６１），它们产生...

刻蚀覆盖熔丝（１６）和键合焊盘（３０）的第一介质层（３２），暴露位于第一介质层（３２）之下和覆盖该熔丝（１６）的第二介质层（２０）的一部分（４０）。形成键合焊盘孔（３８），它暴露形成一部分键合焊盘（３０）的抗反射层（２８）的部分（４２）...

根据本发明的实施例，形成沟槽级介质膜（２６）和通孔级介质膜（２４）覆盖半导体器件的衬底（１０）。用对沟槽级介质膜（２６）比对通孔级介质膜（２４）有更高腐蚀选择性的第一腐蚀剂在沟槽级介质膜中（２６）腐蚀出通孔开口（４２）。在覆盖沟槽级介质...

在一个实施例中，在半导体衬底上形成位于栅介质层（１４，１６）上的金属层（１８）。构图掩模层（２０）以掩蔽该金属层（１８）的一部分。该金属层（１８）的暴露部分被氮化形成导电氮化物层（２４）。除去该掩模层（２０），该导电氮化物层（２４）被构...

在衬底（１０）上制作互连（６０）。在一个实施例中，在衬底（１０）上淀积粘合／势垒层（８１）、铜合金引晶层（４２）和铜膜（４３），并对衬底（１０）进行退火。在一个变通实施例中，在衬底上淀积铜膜，并对铜膜进行退火。在又一个实施例中，在衬底（...

开发了一种制作半导体器件的工艺，它降低了在导电层中形成空调的可能性。在衬底上制作引晶膜（３４），其中部分引晶膜（３４）被氧化。还原该部分引晶膜以形成复原的引晶膜（７４）。在引晶膜（７４）上制作导电膜（７６）。此工艺特别适用于具有高形状比...

基本上用于ＳＣＡＬＰＥＬ处理的一个光刻掩模（图９和图１０）有一个衬底（１００）。层（１０２，１０４，１０６，１０８，１１０和１１２）基本上被形成并且被选择性地形成图案和蚀刻，来形成Ｅ束曝光窗口（１１８）和围绕这些窗口（１１８）的边缘区域...

形成半导体器件的工艺过程，包括在衬底内或在衬底上形成大体上垂直的边缘；在衬底上并沿垂直的边缘形成层（３９）；和蚀刻层（３９）形成隔离层。进行蚀刻可以在（ｉ）蚀刻化学物内的每种含氟蚀刻物质具有每其他原子至少５个氟原子的比率；（ｉｉ）在压力...

用于制作半导体结构的方法包括提供具有表面（１２）的硅衬底（１０）的步骤；在硅衬底（１０）的表面上形成无定形二氧化硅（１４）的步骤；在无定形二氧化硅（１４）上形成金属氧化物（１８）的步骤；对半导体结构加热而形成特点在于邻接硅衬底（１０）的...

一种半导体结构的制造方法，包括步骤：提供了具有一个表面（１２）的一个硅衬底（１０）；在与表面（１２）相邻的地方形成包括一籽晶层（１８）的一个界面，使用分子氧，形成一个缓冲层（２０）；和使用激活氧，在这个缓冲层（２０）上形成一层或者多层高...

多种腐蚀绝缘层（１１４、４００、４２２、４２６）的方法。在一组实施例中，用氧化物腐蚀组分、氟清除组分和有机腐蚀组分来腐蚀。在另一组实施例中，绝缘层（１１４、４００、４２２、４２６）包括至少１原子重量百分比的碳或氢。用氧化物腐蚀气体和含氮...

一种半导体结构的制造方法，包括以下工序：提供具有表面（１２）的硅衬底（１０）；在硅衬底表面上形成界面（１４），该界面的特征在于硅、氮和金属的单原子层；和在界面上形成一层或多层单晶氧化物（２６）。该界面包括硅、氮和ＭＳｉＮ↓［２］形式的金...