一种谐振压电告警设备（６００）包括一个运动块（１３０）以及一个第一末端被固定在一个激励器支架（１３２）上而第二末端耦合到运动块（１３）的压电激励器（１００）。压电激励器（１００）响应一个控制信号以便产生具有一个幅度（４１２，４１４）的运...

一种半导体结构，包括硅衬底（１０），一层或多层单晶氧化物或氮化物（２６），和硅衬底与一层或多层单晶氧化物或氮化物之间的界面（１４），界面由与硅的晶格常数匹配的结晶材料制成。界面包括硅、氮和ＭＳｉＮ＃－［２］形式的金属的原子层，Ｍ是金属。...

本发明涉及进行集成电路测试的方法和一个因而包含一个数据分析器，一个测试程序服务器，一个数据存储单元和测试器的装置。一个实施例包含提供多个软件可开关测试程序和第一批多个集成电路，并且包含在第一批多个集成电路上运行软件可开关测试程序。该方法...

在淀积阻挡层（４１２）之前形成半导体衬底器件（４０４）的粘附／中间层区（４１０）改善了阻挡层（４１２）与下面介质（４０４）的粘附性并增加了与下一互连层的强度，同时没有改变阻挡层（４１２）限制Ｃｕ扩散到介质基底（４０４）内的功能。通过在附...

一个制造包括一个非对称场效应晶体管（１００）的一个半导体器件的方法，包括步骤：在一个衬底的、包括一第一弱掺杂漏电极区域（１３００）的一第一部分上面形成一个介质结构（１４０４），在所述衬底的一第二部分上面形成与所述介质结构相邻的侧壁隔离柱...

一种制造半导体结构的方法包括以下步骤：提供具有表面（１２）的硅衬底（１０）；在硅衬底的表面上形成以单原子层硅、氧和金属为特征的界面（１４）；及在所说界面上形成一层或多层单晶氧化物（２６）。所说界面包括ＸＳｉＯ↓［２］形式的硅、氧和金属原...

一种半导体结构包括硅衬底（１０），一层或多层单晶氧化物（２６），在硅衬底和一层或多层单晶氧化物之间的界面（１４），所说界面利用与硅的晶格常数匹配的结晶材料制造。所说界面包括ＸＳｉＯ↓［２］形式的硅、氧和金属原子层，其中Ｘ是金属。

电子标签组件（１００）包括：其上具有天线图形（１０４，１０６）的基底（１０２）；具有电连接端子（２０４，２０６）的集成电路管芯１０８，电连接端子（２０４，２０６）与天线图形（１０４，１０６）直接接触或连接；和置于基底和集成电路管芯（１０...

用于电子元件的两相冷却组件２００，包括：一压模成具有一凹形表面和一周边表面的整体部件的第一冷却腔室部件２１０。一用作冷却腔室部件的诸如一平坦薄片之类的第二冷却腔室部件２１０，６００，并用铜焊接到周边表面。一设置在第一冷却腔室部件和冷却腔...

一种半导体集成电路装置的引线键合区，包括：可被探测器触点所触及的第一测试部分，和引线与其键合的第二引线键合部分，用于将键合区电连接到载体或引线框架。所提供的分离的测试部分防止引线键合部分在测试中被探测器触点所损坏。

通过在硅晶片（２２）上首先生长缓冲适应层（２４）可在大的硅晶片上生长高质量的化合物半导体材料外延层。所述缓冲适应层是通过一个硅氧化物非晶态中间层（２８）与所述硅晶片间隔开的单晶氧化物层。所述非晶态中间层优选通过使氧经所述氧化物适应层扩散...

通过首先在硅晶片（２２）上生长出调节缓冲层（２４）可以生长出覆盖较大硅晶片的高质量复合半导体材料外延层。调节缓冲层是单晶氧化物层，其中氧化硅非晶质分界层（２８）将调节缓冲层与硅晶片分离开。非晶质分界层消除变形并且允许生长出高质量单晶氧化...

电路（１０）具有在半导体衬底（１４）上形成的双层栅极绝缘层（２９）。栅极绝缘层包括非晶层（４０）和单晶层（４２）。特别地，单晶层具有比非晶层更高的介电常数。

根据本发明的具体实施方式，公开了一种形成栅介质层的方法。在淀积室中方式半导体晶片（３４）。加热半导体晶片（３４），前体气体流入淀积室中。在一个实施例中，前体包括硅、氧和过渡金属的成分。在另一个实施例中，成分包括２族金属。

通过首先在硅晶片上生长调节缓冲层（２４）可以生长氧化物材料的高质量外延层（２６），覆盖大的硅晶片（２２）。调节缓冲层是通过氧化硅的非晶界面层（２８）与硅晶片间隔开的单晶氧化物层。非晶界面层驱散应力并允许高质量单晶氧化物调节缓冲层的生长。...

在此公开一种互连结构（１０），例如倒装片结构，其中包括一个底部焊盘（１４）和形成在该底部焊盘（１４）并且从该底部焊盘（１４）延伸的立柱（１７）。该立柱（１７）和底部焊盘（１４）是连续的，并且为基本上相同的导电基底材料。通常，一个焊接结构...

半导体结构（４００）和形成包括高介电常数材料的半导体结构的方法包括单晶半导体衬底（４０１）、一层或多层化学计量的单晶、高介电常数材料（４０４）、以及一层或多层非化学计量的、高介电常数材料（４０５）。高介电常数材料可包括单晶碱土金属钛酸盐...

通过形成柔顺衬底来生长单晶层（３４），可以在单晶衬底（２２）—例如大硅片—上生长单晶材料的高质量外延层（３４）。形成柔顺衬底的一个方法包括：首先在硅片（２２）上生长适应缓冲层（２４），在缓冲层（２４）上生长材料的薄单晶层（２６），并将缓...

本发明揭示了一种半导体器件和其制造方法。此器件包括具有允许的瓦片区域的第一沟槽隔离区和具有允许的瓦片区域的第二沟槽隔离区，其中所述第二沟槽隔离区的掺杂与第一沟槽隔离区不同。置于第一沟槽隔离区内的第一瓦片结构具有第一组设计参数值，而置于第...

通过首先在硅晶片上生长一个钛酸锶层（１０４），可以在大硅晶片上生长高质量的单晶Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ↓［３］外延层（１１０）。该钛酸锶层（１０４）为单晶层，与所述硅晶片之间隔有一个氧化硅无定形中间层（１１６）。