一种半导体器件（１０），其特征为：　　　　其引线框包含：　　　　多根具有内部引线部分和外部引线部分的引线（１４），其中的内部引线部分确定一个有中心区域的空白区；以及　　　　多根横穿空白区并在其中心区附近相连接的连结杆（１６）；　　　　一...

一种半导体器件，包括柔性或刚性的基底（１０），其上形成有栅极（１１）、源极（１２）和漏极（１３），在上至少部分布置有机半导体材料（１４）。适当的选择材料，栅极（１１）将形成肖特基结，并在有机半导体材料（１４）和每个源极（１２）和漏极（１...

本发明（图１）针对半导体膜及其制备方法。根据本发明的工艺，使半导体有机材料和多成分溶剂混合物相混合，并且混合物被淀积在接收材料上以提供连续高度有序的膜，该膜比在相同的处理条件下用单一溶剂／半导体材料混合物产生的膜具有更大的周期性。

使用一个衰减相移反射掩膜（１００）在覆盖一个半导体晶片的一个光刻胶层中形成所需图案。这个掩膜通过顺序地淀积一个衰减相移层（３０）、一个缓冲层（４０）和一个可修复层（５０）所形成。根据所需图案，该可修复层（５０）被构图。该可修复层（５５）...

使用标准的印刷线路板和高密度互连技术与实践，形成了具有悬臂梁的中尺度ＭＥＭＳ装置。该梁包括至少是一些聚合物材料以构成其长度，在一些实施例中还包含导体材料作为其承受载荷部件。在各种实施例中，该梁被固定在靠近其一端的位置，或远离其一端的位置。

通过在一个衬底（１０６，２０４）上形成有机半导体沟道（１１２，２１６，３０８，４１８）、在至少一个其它衬底（１０４，１０８，２０６）上形成器件电极（１１４，１１６，１１０，２０８，２１０，２１２）、并随后把衬底层压在一起，来制造含有场效...

一种自修复聚合物组合物１０，其含有聚合物介质１２和多个分散在聚合物介质１２中的易流动的可聚合材料的微胶囊１６，其中易流动的可聚合材料的微胶囊１６含有易流动的可聚合材料１５，并具有外表面１４２，其上连接至少一种聚合剂１３。微胶囊１６随聚合...

公开一种微器件，其包括晶片（１４）中的器件微结构（３８）和通气槽（３４），该晶片夹在基板（１０）与封盖（１６）之间。该封盖（１６）与基板（１０）具有围绕该微结构（２２）的凹槽（４１，２１），以限定腔体。通气孔（２５）与通气槽（３４）相连...

本发明涉及一种用于ＭＲＡＭ装置中的覆层区域的制造方法，包括在磁致电阻存储器件４０的附近形成导电位线４７。将导电位线浸入到含有第一导电材料溶解离子的第一槽中一段时间，足够在导线上通过置换镀形成第一阻挡层。随后，将第一阻挡层浸入到一个化学镀...

一种电气电路装置（３００），包括：具有接地层（３３６）、至少一个热孔（３３２）、和至少一个焊孔（３３４）的基板（３３０）；散热器（３１０）；和粘合层（３２０），用于将散热器以机械方式联接到基板的接地层，由此至少一个基板热孔的至少一部分同...

公开了一种制造图案化的嵌入电容层的方法。该方法包括制造（１３０５、１３１０）陶瓷氧化物层（５１０），其覆在导电金属层（５１５）上面，该导电金属层（５１５）覆在印刷电路基板（５０５）上面；在区域（７０５）内穿孔（１３２０）陶瓷氧化物层；并...

一种具有气密地密封的凹腔（２２）以容纳微结构（２６）的微器件（２０）。该微器件（２０）包括衬底（３０）、帽盖（４０）、隔离层（７０）、至少一个导电岛（６０）和隔离沟槽（５０）。衬底（３０）具有其上形成有多个导电轨迹（３６）的顶部侧（３２...

一种封装组件（１００）包括多个不同裸片（１０２，１０４，１０６），它们被焊接到基板（１１０）和接地件，所述基板（１１０）和接地件通过开口（１３２）连接到热沉（１０８）。配合板（１１２）连接到基板（１１０），以提供独立的表面可安装触点（１...

一种冷阴极场发射器件包括一镇流电阻（２０２，３０３，４０２），它与器件整件形成并与发射极（２０４，３０２，４０３）耦联以适当补偿由于制造而造成的发射极场发射的性能变化。

本发明为一场致发射电子装置，该装置采用了一个包括一个金刚石材料覆层的电子发射器，上述的金刚石覆层位于有选择地形成的导电／半导体电极（４０２）的表面上。本发明还涉及形成该装置的方法，该方法包括将碳离子植入导体半导体电极的一个表面使之在金刚...

置于导电／半导电材料层（４０７）表面的利用金刚石材料涂层（４０６）的场致发射电子发射极由包括以下步骤的方法构成：在经选择成型的衬底（４０１）的表面注入碳离子（４０４），对形成金刚石晶体来说起集结区的作用。在金刚石（４０６）上淀积导电层（...

一种具有金刚石半导体电子发射极（１０２）的场致发射器件，发射极有一个暴露面（１２０），呈现出低的／负的电子亲和能，该器件通过调整结耗尽区（１１０）加以控制。向器件的栅极（１０４）施加一个合适的工作电压（１０６）就能调整结耗尽区宽度，从而...

本发明为一个利用电子源（６１０）的电子装置（６００），该电子源包含的材料有一个表面呈现出很低的或负的电子亲和势，例如Ⅱ－Ｂ型金刚石的１１１结晶面。提供了电子源（８０２，９０２），它们的几何突变处一曲率半径大于约１０００埃。这些电子源显著...

本发明涉及一种由一层具有金刚石键结构的类金刚石碳组成的电子发射体，这种结构在发射位置带有电活性缺陷。电活性缺陷的作用类似于一个功函数很低、具有改善了的电流特性（包括改善了的饱和电流）的很薄的电子发射体。

显示器（１０）包含一个具有一个行导体（１７）的电子源，该行导体（１７）采用多个轴向部件（２６，２８）。每个轴向部件（２６，２８）具有引出部分（１９，２３），该引出部分从轴向部件向一个邻近的轴向部件伸展。利用多个横向连接体（２９，３８，３...