【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。更具体地，半导体有机材料与具有在所定义范围内的复合极性的多成分溶剂混合物相混合。半导体有机材料和多成分混合溶剂的混合物有效用于提供一种具有改善的迁移率的高度有序的半导体膜以及用于提供一种具有改善的导通/截止比率特性的器件。
技术介绍
有机半导体材料的薄膜用于制造有机场效应晶体管(OFET)。OFET的性能通过例如迁移率的参数来测量并且部分取决于半导体膜的分子取向。像界面结构、分子排序的程度和薄膜的取向这样的因素影响膜特性。半导体膜的排序又取决于怎样淀积薄膜。一般认为增加分子排序的总量，例如通过降低晶界电阻，或提高长距离分子排序，使例如电子或空穴的电荷载流子以更有效地移动。这样能增加膜的迁移率特性。提供理想均匀性和厚度的廉价膜的淀积技术不必提供实际、有效的制造技术或提供表现必要所需的迁移率和用于薄膜晶体管的其它必要功能特征的半导体膜。例如，容许缓慢变干的溶剂铸膜当引入OFET时常常表现出相对高的迁移率。可惜，设想快速有效制造生产的一些淀积技术不容易使溶剂缓慢蒸发。例如，尽管旋涂法能产生相对均匀的薄湿膜，但溶剂常常相对快速地留下膜，通常导致低程度的...
【技术保护点】
一种用于产生半导体膜的工艺，所述工艺包括：使半导体有机材料和多成分溶剂混合物相混合；以及涂敷所述半导体有机材料／多成分溶剂混合物到接收材料上以形成半导体膜，所述半导体膜比仅用多成分溶剂混合物中的一种溶剂产生的半导体膜具有更高的迁移率，所述半导体膜有效用于提供一种器件，该器件比含有用多成分溶剂混合物中的仅仅一种溶剂产生的半导体膜的器件具有更高的导通／截止比率。
【技术特征摘要】
US 2002-1-28 10/058,7041.一种用于产生半导体膜的工艺，所述工艺包括使半导体有机材料和多成分溶剂混合物相混合；以及涂敷所述半导体有机材料/多成分溶剂混合物到接收材料上以形成半导体膜，所述半导体膜比仅用多成分溶剂混合物中的一种溶剂产生的半导体膜具有更高的迁移率，所述半导体膜有效用于提供一种器件，该器件比含有用多成分溶剂混合物中的仅仅一种溶剂产生的半导体膜的器件具有更高的导通/截止比率。2.根据权利要求1所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述半导体膜具有至少大约10-3cm2/V-s的迁移率并且器件具有大于大约1000的导通/截止比率。3.根据权利要求1所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，按照从大约0.025重量对体积百分比至大约60重量对体积百分比，使半导体有机材料与多成分溶剂混合物相混合。4.根据权利要求1所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述多成分溶剂混合物具有从大约0.1至大约1.0的有效复合极性。5.根据权利要求1所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，从由聚噻吩、低噻吩、烷基取代蒽并二噻吩、烷基取代萘并二噻吩、稠环四羧酸二酰亚胺、蒽2，3，6，7-四羧酸二酰亚胺、聚苯胺、聚(亚苯基-次亚乙烯基)、聚(噻吩基-次亚乙烯基)、并五苯、酞菁配位化合物及其混合物构成的组中选择所述半导体有机材料。6.根据权利要求1所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述多成分溶剂混合物包括从由二甲苯、苯、甲苯、丙酮、2-丁酮、甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、t-丁醇、二氯甲烷、氯仿、四氯化碳、水、四氢呋喃及其混合物构成的组中选择的溶剂。7.根据权利要求1所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述半导体有机材料是区规则聚(3-己基噻吩-2，5-二基)，所述多成分溶剂混合物包括氯仿和甲苯。8.根据权利要求1所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述半导体有机材料是区规则聚(3-己基噻吩-2，5-二基)，所述多成分溶剂混合物包括氯仿、四氢呋喃和二甲苯。9.根据权利要求1所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述多成分溶剂混合物包括从由氯化钠、硝酸钠、硼酸钾、硼酸钠、氟硅酸钠、次氯酸钙、碳化钙及其混合物构成的组中选择的成分。10.一种用于产生半导体膜的工艺，所述工艺包括使半导体有机材料和多成分溶剂混合物相混合；以及涂敷所述半导体有机材料/多成分溶剂混合物到接收材料上以形成半导体膜，所述半导体膜具有至少大约10-3cm2/V-s的迁移率并且所述半导体膜有效用于提供具有大于大约1000的导通/截止比率的器件。11.根据权利要求10所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，按照从大约0.025重量对体积百分比至大约60重量对体积百分比，使半导体有机材料与多成分溶剂混合物相混合。12.根据权利要求10所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述多成分溶剂混合物具有从大约0.1至大约1.0的有效复合极性。13.根据权利要求10所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，从由聚噻吩、低噻吩、烷基取代蒽并二噻吩、烷基取代萘并二噻吩、稠环四羧酸二酰亚胺、蒽2，3，6，7-四羧酸二酰亚胺、聚苯胺、聚(亚苯基-次亚乙烯基)、聚(噻吩基-次亚乙烯基)、并五苯、酞菁配位化合物及其混合物构成的组中选择所述半导体有机材料。14.根据权利要求10所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述多成分溶剂混合物包括从由二甲苯、苯、甲苯、丙酮、2-丁酮、甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、t-丁醇、二氯甲烷、氯仿、四氯化碳、水、四氢呋喃及其混合物构成的组中选择的溶剂。15.根据权利要求10所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述半导体有机材料是区规则聚(3-己基噻吩-2，5-二基)，所述多成分溶剂混合物包括氯仿和甲苯。16.根据权利要求10所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述半导体有机材料是区规则聚(3-己基噻吩-2，5-二基)，所述多成分溶剂混合物包括氯仿、四氢呋喃和二甲苯。17.根据权利要求10所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述多成分溶剂混合物包括从由氯化钠、硝酸钠、硼酸钾、硼酸钠、氟硅酸钠、次氯酸钙、碳化钙及其混合物构成的组中选择的成分。18.一种用于产生半导体膜的工艺，所述工艺包括使半导体有机材料和具有从大约0.1至大约1.0的复合极性的多成分溶剂混合物相混合以形成半导体有机材料/多成分溶剂混合物；以及涂敷所述半导体有机材料/多成分溶剂混合物到接收材料上以形成半导体膜。19.根据权利要求18所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述半导体有机材料/溶剂混合物包括从大约0.025重量对体积百分比至大约60重量对体积百分比的半导体有机材料与多成分溶剂混合物。20.根据权利要求18所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述半导体膜具有至少大约10-3cm2/V-s的迁移率并且所述半导体膜有效用于提供具有大于大约1000的导通/截止比率的器件。21.根据权利要求18所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，从由聚噻吩、低噻吩、烷基取代蒽并二噻吩、烷基取代萘并二噻吩、稠环四羧酸二酰亚胺、蒽2，3，6，7-四羧酸二酰亚胺、聚苯胺、聚(亚苯基-次亚乙烯基)、聚(噻吩基-次亚乙烯基)、并五苯、酞菁配位化合物及其混合物构成的组中选择所述半导体有机材料。22.根据权利要求18所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述多成分溶剂混合物包括从由二甲苯、苯、甲苯、丙酮、2-丁酮、甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、t-丁醇、二氯甲烷、氯仿、四氯化碳、水、四氢呋喃及其混合物构成的组中选择的溶剂。23.根据权利要求18所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述半导体有机材料是区规则聚(3-己基噻吩-2，5-二基)，所述多成分溶剂混合物包括氯仿和甲苯。24.根据权利要求18所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述半导体有机材料是区规则聚(3-己基噻吩-2，5-二基)，所述多成分溶剂混合物包括氯仿、四氢呋喃和二甲苯。25.根据权利要求18所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述多成分溶剂混合物包括从由氯化钠、硝酸钠、硼酸钾、硼酸钠、氟硅酸钠、...
【专利技术属性】
技术研发人员：阿比吉特R乔杜里，张婕，丹尼尔R加莫丹，
申请(专利权)人：摩托罗拉公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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