一种微波集成电路无源元件结构和降低信号传播损耗的方法。无源元件（１０）带有一个覆盖硅衬底（１４）的绝缘层（１２）。设置含有一信号线（１８）和一接地面（２０）的金属层（１６）覆盖绝缘层（１２），且金属层（１６）至少有一部分通过绝缘层（１２...

一种化学机械抛光１０机包括一个混合器部件１２，该混合器部件在将抛光液引入抛光机１０的一个抛光部件１３之前，混合抛光液的各组分。在一个实施例中，从供给管１１３和１１４来的各组分在一导管１２１中合并，并流过一个静压轴向式混合器１２３，使各组...

一种迁移率提高了的ＭＯＳＦＥＴ器件（１０），它包含一个形成在单晶硅层（１１）上的沟道层（１２）。沟道层（１２）包含硅和第二种材料的合金，其中，第二种材料替位地出现在硅的晶格位置上，其原子百分比使沟道层（１２）处于张应力之下。

一种用于球网格阵列（ＢＧＡ）组装件的多串印刷电路板衬底包括一个带有多个排列成Ｎ行（１４）和Ｍ列（１６）形成Ｎ×Ｍ阵列的ＢＧＡ衬底（１２）的印刷电路板（１１）。Ｎ和Ｍ都大于或等于２，且Ｎ×Ｍ阵列的大小选定为多个ＢＧＡ衬底（１２）中的每一个...

一种有机彩色发光二极管阵列，包括多个在基层上形成的分隔开的透光电极、在电极上面界定的多个腔和设计成发出三种不同颜色的三种电致发光介质，这些介质淀积在腔内。布置成与透光电极正交的多个彼此分隔开的金属电极，并这样形成以密封每一腔，由此密封腔...

一种集成电光封装结构，它包括：安装在衬底之上的电子电路、从该电路延伸通过一个密封区的第一和第二引线组并且每个引线在第一区中有一个露出端、放置于第一区中的透明导电条并且每个导电条与第一组中的一个引线的露出端相连、放置在每个导电条上的并且确...

超小型半导体器件与制造方法，包括对一基板的平面表面制作图案以形成一图案边缘（例如一台面）而且以覆盖图案边缘的关系，顺序形成多个半导体材料层使得在层中形成一间断，在图案边缘的一侧的第一层与图案边缘的另一侧的一个不同层直线对准并电连接。

一种二维有机ＬＥＤ阵列，包括位于绝缘基层上且横向分开的导电带，在该导电带上有一层介电材料，并在其中界定了穿过其间的腔以便露出腔中的导电带区域。在腔中的导电带上至少有一层活性发射体材料和一层低功函数金属，以便在每一腔中形成一个ＬＥＤ，其中...

一种倒装片结构和方法，使带有导电隆起物（１６）的半导体芯片（１１）连接于带有从衬底（１２）的第一侧（２１）延伸到第二侧（１８）的通道（１９）的衬底（１２）。填充材料（２２）沉积到通道（１９）之中，而导电隆起物（１６）插入到通道（１９）之...

本发明涉及一种在支持基片上钝化有机器件的方法，该方法包括把一层低温沉积的绝缘薄膜覆盖在有机器件上，并且在该绝缘材料上密闭地封接一层无机材料层从而实质性地密封该有机器件。在一个典型的实施例中，该绝缘层是二氧化硅（ＳｉＯ↓［２］），该无机材...

在半导体衬底（１１）中制作一个掺杂阱（１３），并在此阱中制作一个漏延伸区（２５）。在掺杂阱上制作一个氧化层（２６），其的厚度至少为４００Ａ。一个带有在氧化物（２６）减薄部分上的栅短路部位（３２）和在氧化物（２６）未经减薄部分上的栅延伸部...

高频功率ＦＥＴ装置（２２）与无源元件（２３、２４、２６、２８、３１）、静电放电（ＥＳＤ）装置（２７、１２７、２２７）和／或逻辑结构（２９）一起集成在半导体本体（１３）上以形成单片高频集成电路结构（１０）。此高频功率ＦＥＴ装置（２２）包含...

一种用于带有电镀可焊金属（５３）引线（４９）的半导体器件的方法，它包含使可焊金属（５３）暴露于足以流动或熔化该可焊金属（５３）的高温的步骤。在最佳实施例中，在引线（４９）从引线框（４８）被切断之前，可焊金属（５３）被暴露于高温下。

低电压场效应晶体管结构（２０）其阈值电压容许源注入区（４１）的位置发生改变的工艺变化。源区（４１）附近形成第一和第二晕圈区（３３、３６），在后续热处理之后在邻近源区（４１）的沟道区（２３）形成导电类型与源区（４１）相反的恒定掺杂分布轮廓...

焊接区（３９４、１０６）和焊接区窗口（６２、１０８）制作成使焊接区窗口（６２、１０８）不对称于焊接区（３９４、１０６）的导电区（３９８、１０６）。如果焊接区更可能从焊接区（３９４、１０６）的刻划线一侧剥离，则焊接区窗口（６２、１０８）制...

在衬底上制作一个薄膜压电谐振器阵列而且并联成一个具有增强压电耦合的单一的压电谐振器。此阵列包含一个位于衬底上且确定第一电极的第一导电层、多个位于导电层上且各确定一个分隔的压电谐振器的压电材料柱、以及一个位于多个柱上且确定第二电极的第二导...

在半导体器件中制造ＣＶＤ铝膜的方法，它包括在复合核化层上形成ＣＶＤ金属膜。此复合核化层包括有在溅射铝膜下的溅射钛膜。复合核化层与ＣＶＤ金属膜都在惰性气氛下加工。加上它们所在高真空条件能避免在多层金属加工中使金属表面暴露于大气中的氧。这样...

一种用于平板显示器的单独直立隔片包括在公共轴线上连结的多个构件。各构件的第一构件为支撑构件；各构件的第二构件为稳定构件。支撑构件伸展在显示器的前板和后板之间，以对机械力提供支撑隔离。支撑构件的纵横尺寸比在２∶１至２０∶１的范围内。单独直...

一种化学传感器，它包含一个薄膜晶体管，该晶体管带有一个位于一侧的栅极。隔离层位于相对侧而指示膜位于隔离层上，通常正对着栅。由生物或化学物质在指示膜中引起的感生电荷改变了晶体管中的沟道电流。然后用栅上的电位来消除得到的沟道电流的改变。用来...

一种形成单边缓变沟道场效应晶体管以及晶体管堆叠结构的方法包括提供带有覆盖的栅电极（１４，１６）的衬底（１０）。只在该栅电极的漏侧形成一个隔层（２３）。在与该栅电极的源侧对准的情况下形成一个缓变沟道区（３６），而该隔层保护该沟道区的漏侧。...