为了降低在重入芯片外选择性中的串音，在一种结构中使用了差动电路（４０２，４１５），传输线（４２３，４２４）和芯片外滤波器（４２２），该结构平衡与所有差动元件相关的寄生电容。该结构包括具有差动产生电路（４０２）和接收电路（４１５）的衬底（...

一种ＮＭＯＳ晶体管，有一个由ｎ↑［＋］型半导体材料构成的源和漏。由Ｐ型半导体材料组成的衬底区设于源和漏之间。栅区安排在衬底区的上方、及源和漏区之间。第一注入区邻近源区和栅区，由具有第一掺杂浓度的Ｐ型半导体材料构成。第二注入区安排在第一注...

本发明涉及一种半导体器件及其形成方法，它具有含一种金属元素及其导电金属氧化物的层，该层能优先于毗邻的器件区域被氧化或被还原。该层可保护和／或形成衬底区（１１）、含硅层（１３２）、介质层（４１、１０１、１２２及１３４）、电极（１３５）、阻...

公开了包括ＤＲＡＭ和ＮＶＲＡＭ单元（１００，１４０）的器件及其制造方法。形成一种带有金属氧化物介电层的电容器，电容器的上电极层与下层电路元件相连。电容器可以用来形成ＤＲＡＭ单元和ＮＶＲＡＭ单元的存储电容器。下层电路元件形成后，在电路元件...

一个包括一个单公共基区（２０２）的晶体管（２００）。一个或多个源区（１１２）形成在基区（２０２）中。一个或多个栅区（１２０）重叠在公区基区（２０２）和源区（１１２）之上。在另一个实施例中，栅区（３２０）具有一个高起的中心区（３２１）。在...

用ＢＩＣＭＯＳ工艺制作了一种变容管（１０、１１５、１２２）。通过用Ｎ型掺杂剂对外延层（２２）进行掺杂形成变容管区（１３）的Ｎ阱（２８）。通过用Ｎ型掺杂剂对Ｎ阱（２８）进一步掺杂形成阴极区（５５、１３２）。将外延层（２２）上的多晶硅层（６...

互连电子系统元件的方法和互连封装（３５），具有引线（１１）的引线框架（１０）被封在塑模剂中，形成互连封装（３５）的第一部分（３６）。第一部分（３６）可包含沟道（５４）。具有引线（２２，２３）的引线框架（２０）被包封在塑模剂中形成互连封装...

这是一种用来减小功耗的可变宽度ＦＥＴ，可变宽度ＦＥＴ包括ＦＥＴ，开关ＦＥＴ和另一个开关ＦＥＴ。开关ＦＥＴ具有与ＦＥＴ的栅极、漏极、源极并联的栅极、漏极和源极。此外，开关ＦＥＴ每个都有一用来开启相应器件的控制栅极。开启的开关ＦＥＴ增加可变...

一种集成电路由用介质材料层（３６）与第二导电材料层（３９）隔开的第一导电材料层（３０）制成。将第一导电材料层（３０）制成图形，形成电容器（２２、５０、６２、７２）的第一极板（３２、５９）。在第一极板（３２、５９）内分别形成电互连线（３３...

一种含液体的微电子器件管壳及其制作方法。该方法包括以下步骤：提供一个包括一个微电子器件的底座和一个配置在该底座周围的密封区域；提供一个盖子和一种配置在底座和盖子之间的密封剂；将底座、密封剂和盖子浸没在温度高过密封剂活化温度的液体中，并将...

制造半导体结构的一种优选的方法，包括改变一种外延基区双极晶体管（１０）的基区层（１７、２１）中多晶晶界（３８）的方向和使其位置最佳。通过淀积将形成较低的基区部分的基区层（１７）后对半导体结构进行退火，可以实现晶界（３８）的改变。改变晶界...

本发明金属腐蚀工艺消除了使用有机掩模层溶剂的必要性并在等离子金属腐蚀步骤之后用腐蚀液对部分隔离层（６８、８１）进行腐蚀。此腐蚀液可包括乙二醇、氢氟酸和氟化铵。腐蚀液对隔离层（６８、８１）的腐蚀范围为１００－９００Ａ。腐蚀至少消除掉隔离层...

一种有选择地形成半导体区域（２８）的方法，将已刻出图形的、具有暴露的半导体材料区（２６，２７）和氧化区（２４）的衬底（２１）在实质上不含卤素的气氛中经受第一温度和一种半导体气体源和氢气的处理，在该暴露的半导体材料区和氧化区上形成覆盖的半...

制造一种具有小图形尺寸Ⅲ－Ⅴ族半导体结构的方法。在Ⅲ－Ⅴ族半导体材料上形成一氮化硅层并在该层上形成由铝组成的介质层。再在此介质层上形成由硅和氧组成的另一个介质层。在用高功率的反应离子刻蚀法刻蚀由硅和氧组成的介质层时铝介质层起到刻蚀停止层...

一种ＥＥＰＲＯＭ单元（４０）包括浮栅晶体管（４７）和一隔离晶体管（４５）。浮置栅极（４８）和隔离栅极（４６）两者都形成在单元内的隧道介质层（４４）上。该隔离栅极耦联到浮栅晶体管的掺杂源区（５２）。单元编程操作中不给隔离晶体管加偏压，而使...

一种形成有高温金属氮化物隐埋层（１６）并且有改善的热传导率的直接圆片结合结构的方法。通过用非氧化光致抗蚀剂剥离剂形成高温金属氮化层（１６）图案，且不用光致抗蚀剂硬化步骤，可显著地改善在高温金属化物层（１６）和随后在高温金属氮化物层上形成...

提供一种在高温金属层１４上形成介质层的方法。通过用非氧化光致抗蚀剂去除剂处理高温金属层１４而没有光致抗蚀剂硬化步骤，在高温金属层１４与接下来形成在高温金属层１４上的介质层１６间的粘附被大大地改善。在高温环境介质层１６将粘附到高温金属层１...

引线框（１１）和改善聚合物（１７、１９）对引线框粘合性的方法。此引线框（１１）有一个带上表面（１５）和下表面（１８）的扁平板（１４）以及引线（１２）。借助于用砂砾材料轰击扁平板而在其上下表面形成细微锁紧特征（３１），将上下表面粗糙化。用...

公开了一种通过形成共价键粘合聚酰亚胺表面的方法和半导体装置。

散热器组件（１００）使用多个散热器，它们并置以提供气动地耦合气流通路。至少一个散热器最好包括一个空气环行器以迫使气流朝向该散热器的周围。多个热辐射表面提供该气流的气动通路，和至少两个气动通路基本上非平行地安排。按照这种方式，空气被迫（即...